Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254 #293632752 zu verkaufen

AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254
ID: 293632752
Wafergröße: 8"
MCA E-Chuck, 8".
AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 ist ein Reaktortyp für die Halbleiterherstellung und wird zur Abscheidung dünner Filme auf einer Waferoberfläche verwendet. Der Reaktor ist äußerst effizient, dennoch zuverlässig und kostengünstig ausgelegt und liefert eine konstante Leistung hochwertiger Dünnschichten. Dieser Reaktor weist die Verwendung einer kontrollierten physikalischen Bedampfung (PVD) auf. PVD ist ein Dünnschichtabscheidungsprozess, der in einer als Abscheidekammer bekannten Umgebung stattfindet. Innerhalb dieser Kammer wird verdampftes Material eingeleitet und dann auf einem vordefinierten Substrat abgeschieden. Dieses Substrat ist üblicherweise ein Halbleiterwafer. Bei Halbleiter-PVD enthält das in die Kammer eingeleitete Gas Vorläufermoleküle, die anschließend in mehr reaktive Atome und Moleküle zerlegt werden, die dann richtungsgerecht und konform auf der Waferoberfläche abgeschieden werden. AMAT 0010-03254 Reaktor verwendet fortschrittliche traditionelle PVD-Kammer-Designs, die für hohen Durchsatz und Effizienz optimiert wurden. Als solcher ist der Reaktor in der Lage, hohe Substratvolumina mit minimaler Zykluszeit und Durchsatz der Dünnschichtabscheidung zu handhaben. Im Prinzip besteht der Reaktor aus einer Reihe von Komponenten. Zu diesen Komponenten gehören die Inertgasversorgungsleitungen, der Zielhalter, die Sputterquellenbaugruppe, die HF- oder DC-Stromversorgung, die Anodenbaugruppe und das Vakuumsystem sowie die Kammer selbst. ANWENDUNGSMATERIALIEN 0010-03254 Reaktor ist mit mehreren anderen Merkmalen ausgestattet. Beispielsweise kann er so programmiert werden, dass er durch verschiedene Gaseinleitungsgeschwindigkeiten automatisch übergeht und sowohl einen Lichthintergrund als auch einen Partikelmonitor aufweist. Auf diese Weise können Benutzer den Fortschritt von Prozessen manuell oder automatisch beobachten und überwachen. Es funktioniert, indem die Vorläufer und inerten Hintergrundgase in die Kammer gepumpt werden, wo sie reagieren und sich schnell auf die Waferoberfläche ablagern. Die Prozesstemperatur und der Druck können präzise gesteuert werden, so dass qualitativ hochwertige Dünnschichten mit einer Vielzahl von Materialien abgeschieden werden können. Je nach verwendetem Material und Anwendungsfall können verschiedene Kammergeometrien eingesetzt werden, wie z.B. Offenfläche, Glockenglas oder andere Typen. 0010-03254 ist eine äußerst zuverlässige und kostengünstige Methode zur Herstellung von Halbleitern. Es kann dünne Filme erzeugen, die gleichmäßig in der Dicke sind, mit ausgezeichneter Stufendeckung. Infolgedessen hat es sich zu einem wichtigen Kapital im Fluss der Halbleiterherstellung entwickelt.
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