Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254 #293763796 zu verkaufen
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ID: 293763796
Wafergröße: 8"
MCA E-Chuck assembly, 8"
Bellows leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
Helium line leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
SUS Cover leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
ESC:
Pad dimple height: 3 Microns
Depth of groove: 59 microns
Luminosity: 160-170
Flatness of WF Zone: 0.04-0.05 µm
Cables and resistivity:
Resistivity of electrodes: 1-2: 17.8 Ω
Resistivity of electrodes: 3-4: 4.9 Ω
TC 1: 10.2 Ω
TC 2: 8.7 Ω
Chucking test (±300 V / Bi-polar type):
600 V 1st(-): 300 V
600 V 2nd(+): 300 V
90° (No sliding).
AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor ist eine fortschrittliche Ionenimplantationsanlage, die für den Einsatz in Halbleiterherstellungsprozessen und verwandten Mikrofabrikationsanwendungen entwickelt wurde. Das System besteht aus einer Hochvakuumkammer mit einer Präzisions-Ionenquelle und einem Ionenstrahl-Kollimator zur Steuerung der Ionenstrahlrichtung und der Punktgröße. Der Ionenstrahl wird mit einem HF-Netzteil beschleunigt und anschließend auf eine Probenstufe fokussiert. Die Kammer kann mit den Intracavity-Turbopumpen und dem Absperrschieber evakuiert und aktiviert werden. AMAT 0010-03254 Reaktor enthält Ionen-Source-Technologie, die eine breite Palette von Prozessparametern ermöglicht, genau gesteuert zu werden. Die aktiven Hochenergieelemente in der Quelle sorgen für eine verbesserte Zuverlässigkeit, Prozessstabilität und schnelle Inbetriebnahme und sind gleichzeitig ideal für Niedertemperatur- und Hochenergieprozesse. Eine stabile elektrische Entladung ionisiert die Quellspezies und verwendet eine bipolare HF-Quelle, um die Ionenenergie zu steuern. Die Quellheizelemente zerstäuben und dissoziieren die Quellspezies genau, und das Gasventil kann verwendet werden, um den Durchfluss, den Druck und die Zusammensetzung der Quellspezies zu steuern. Die Energieausbreitung von Ionen wird durch zwei unabhängige Netze gesteuert. ANGEWANDTE MATERIALIEN 0010-03254 Der Reaktor enthält eine Strahldiagnoseeinheit, die Winkel- und Flugzeitabtastungen und extrahierbare Strahlstrommessungen zur Charakterisierung des Ionenstrahls umfasst. Eine optionale computergesteuerte Probenstufe kann zur Positionierung von Werkstücken verwendet werden, wodurch ein gescanntes Implantat und eine X, Y-ebene Probenbewegung zur präzisen Dosissteuerung ermöglicht werden. Die Maschine enthält auch eine unabhängige Endpumpe für schnelle Evakuierung. Das magnetronische Multipol dient zur Strahlfokussierung und kann für hohe Emaillewinkel und Niederenergiewinkel eingestellt werden. 0010-03254 Reaktor ist in der Lage, in mehreren Modi zu arbeiten, einschließlich einzelner Wafer- und Chargenmodi, und kann verwendet werden, um jede Art von Ionen zu implantieren. Das Werkzeug liefert bis zu zwei Stromstärken, einstellbare Vorspannung und einen aktiven Source-Temperaturbereich von 0- 980 ° C. Das Asset kann jede beliebige Probengröße/-form aufnehmen, einschließlich mehrerer Wafer, und der Druck kann zwischen 10-3 und 10-7 Torr liegen. Die maximale Strahlenergie beträgt 50 bis 500 keV und verfügt über erweiterte Prozessüberwachungs- und Maschinenbedienungsfunktionen. AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reaktor ist ein hocheffizientes und fortschrittliches Modell, das eine breite Palette kritischer Halbleiterherstellungsprozesse durchführt.
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