Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-13833 #9277934 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-13833 ist ein High-End-Dampfphasenepitaxie (VPE) -Reaktor zur Herstellung homogener Schichten aus Materialien wie Galliumnitrid, Silizium, Germanium und anderen Halbleitermaterialien in hoher Ausbeute, hoher Qualität und großen Volumina. Für das Wachstum in einer Quarz- oder Edelstahlreaktorkammer verwendet die Anlage ein horizontales, hypocycloidales Drehscheibenverfahren. Die Drehtischkonstruktion sieht eine invertierte Tiegelkonfiguration vor, bei der das Substrat erwärmt und unter einem Winkel auf einem in der Kammer horizontal angeordneten Drehtisch angeordnet wird. Der Tiegel wird dann in die Mitte des Drehtisches gelegt und das Substrat den verschiedenen Vorläufern und Wachstumsmaterialien innerhalb der Reaktorkammer ausgesetzt. Während des Epitaxieprozesses gewährleistet der gedrehte Drehteller eine gleichmäßige Abscheidung von Halbleitermaterialien über den gesamten Wafer, wodurch eine gleichmäßige, homogene Materialschicht auf dem Substrat entsteht. Die AMAT 0010-13833 verfügt neben der invertierten Tiegeldrehscheibe über eine Vielzahl weiterer Funktionen für präzise, effiziente und ertragsstarke Wachstumsprozesse. Das System ist mit einer doppelt integrierten Gasverteilereinheit ausgestattet, die bis zu 60 Gase aus unabhängigen Spülleitungen abgeben kann, um die gewünschte Abscheidungszusammensetzung zu erreichen. Die Maschine verfügt auch über ein fortschrittliches Prozesssteuerungswerkzeug, das eine Rückkopplungseinheit mit geschlossenem Kreislauf verwendet, um den Kammerdruck, die Temperatur und die Gaszusammensetzung zu überwachen, sodass der Benutzer die Abscheidungsrate, die Schichtdicke und die Gleichmäßigkeit genau steuern kann. APPLIED MATERIALS 0010-13833 bietet eine zuverlässige und kostengünstige Plattform für die Herstellung von Halbleitermaterialien. Das Modell ist sowohl für ertragsstarkes und qualitativ hochwertiges Wachstum als auch für langfristig zuverlässigen Betrieb konzipiert. Das Gerät ist in der Lage, Nanometer-Eigenschaften bis zu 300mm (12-Zoll) Wafer mit Komponentenschichten so dünn wie 5 Nanometer zu produzieren. Die hochzuverlässige und effiziente 0010-13833 bietet eine großartige Plattform, um die Halbleitermaterialien zu produzieren, die im stetig wachsenden und sich verändernden Elektronik- und Technologiemarkt von heute benötigt werden.