Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-30125 #9277735 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-30125 ist eine Hochgeschwindigkeits-Reaktionskammer zur schnellen und präzisen Abscheidung dünner Filme. Es verwendet eine Mischung aus chemischem Gas und Energiequellen, um die gewünschten Eigenschaften eines dünnen Films wie Gleichmäßigkeit, optische und elektrische Eigenschaften zu erzeugen. Diese Reaktorkammer ist speziell für kostengünstige Prozesse ausgelegt, die niedrige Abscheidegebühren pro Fläche ermöglichen. Die Reaktorkammer ist aus Edelstahl gefertigt und bietet ein temperaturbeständiges Gehäuse. Zur Aufrechterhaltung der Stabilität im Betrieb und zur Vermeidung unerwünschter Oxidation und Verunreinigungen ist ein Inertgasdeckensystem vorhanden. Zusätzlich zieht eine Vakuumpumpe Luft aus der Kammer heraus, was einen gewünschten Druck für die Reaktion ermöglicht. Typischerweise wird diese Kammer während des Betriebs auf bis zu 650 ° C erwärmt, was den Reaktionsprozess weiter unterstützt. Das Herzstück dieser Kammer sind der Waferheizer, induktiv gekoppelter Plasma- (ICP) -Generator, Duschkopf, Hochfrequenz- und Niederfrequenz-Hochspannungsgenerator sowie die zugehörigen Elektroden, Spulen und Gasleitungen. Der Waferheizer hält eine gleichmäßige Temperatur auf den Wafern, während der induktiv gekoppelte Plasmagenerator ein gleichmäßiges Plasma aus positiv geladenen Ionen und Elektronen erzeugt. Der Duschkopf lenkt dann das Plasma auf die Wafer zu. Dabei liefern Hochfrequenz- und Niederfrequenzgeneratoren elektrische Energie an die Elektroden, was zu einer Kaskadenreaktion mit den Plasmapartikeln führt. Nach dem Abscheiden des gewünschten Kupferdünnfilms können die Gase und die elektrische Energie abgeschaltet werden, was einen schnellen Umsatz der Waferbearbeitung ermöglicht. Zusammenfassend ist AMAT 0010-30125 eine Hochgeschwindigkeits-Reaktionskammer, die für eine schnelle und kostengünstige Abscheidung von dünnen Schichten ausgelegt ist. Seine Komponenten kombinieren, um eine präzise, kontrollierbare Dünnschichtabscheidung durch eine kaskadierende Reaktion mit Plasma, elektrischer Energie und temperaturgesteuerten Gasen zu ermöglichen.