Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-56201 #293666003 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-56201 ist ein Reaktor für die Abscheidung von Halbleitermaterialien auf einem Siliziumwafer. Dieser Reaktor ist ein Clusterwerkzeug, das es ermöglicht, mehrere Prozesse in einer integrierten Ausrüstung abzuschließen, wodurch er sich ideal für die Abscheidung fortschrittlicher Dünnschicht-Halbleitertechnologie eignet. Der Reaktor hat ein Lithographie-Retikel, das es einem Benutzer ermöglicht, ein Substrat mit einem geometrischen Muster zu mustern. Das Retikel wird mit der Bearbeitungskammer kombiniert, um eine optische Lithographie zu ermöglichen, wodurch das gewünschte Muster auf dem Substrat erzeugt wird. Das plasmaverstärkte chemische Aufdampfverfahren dient dann zur Abscheidung einer dünnen Materialschicht, wie Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid. Die Abscheidung kann in einer oder mehreren Schichten erfolgen, wodurch gewünschte Eigenschaften und Merkmale auf dem Substrat erzeugt werden können. Der Reaktor ist als hochflexibles System ausgebildet, das in der Lage ist, mehrere Prozesse in derselben Kammer durchzuführen. Ein Beispiel für diese Flexibilität ist die Fähigkeit, das Substrat zu implantieren, ein Verfahren, das verwendet wird, um dem Substratmaterial elektrische Ladung hinzuzufügen, um die elektronischen Eigenschaften der Wafer zu steuern. Weitere Prozesse, die in der Kammer abgeschlossen werden können, umfassen Oxidation und selektives Ätzen, wodurch Wafer mit komplexen Geometrien oder mehreren Schichten hergestellt werden können. Dieser Reaktor ist auch mit Blick auf die Sicherheit entworfen, mit einer Luftfiltrationseinheit, Brandschutzmaschine und Notabschaltsteuerungen. Das reaktive Gasförderwerkzeug sorgt auch dafür, dass der Abscheidungsprozess sicher und effizient durchgeführt werden kann, wodurch potenzielle Sicherheitsrisiken im Zusammenhang mit chemischen Dämpfen oder Gasen vermieden werden. Der Reaktor ist in der Lage, eine Vielzahl von Verfahren durchzuführen, einschließlich Metallabscheidung, Schleuderbeschichtung, plasmaverbesserte chemische Dampfabscheidung und Sputtern. Die Flexibilität und Sicherheit machen diesen Reaktor zu einer idealen Wahl für jede Halbleiterherstellung oder -produktion.