Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-81296 #293809265 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-81296 ist ein Vakuum-Plasma-Ätzreaktor für Halbleiteranwendungen. Der Reaktor wird von einer dielektrischen Barrier-Hochfrequenz (RF) -Plasmaquelle gespeist und dient zum Ätzen von Materialschichten auf Halbleitersubstraten. Das Gerät verwendet turbomolekulare Pumpen, um Niederdruck und hohe Temperaturen zum Ätzen und Abscheiden von dünnen Filmen zu erreichen. Der niedrige Druck ist vorteilhaft für eine hohe Integrität der in den Substraten vorhandenen dielektrischen Schichten. Der Reaktor weist eine zylindrische Kammer mit einem Eingangsfenster auf, um eine Belastung der Substrate durch die Oberseite der Kammer zu ermöglichen. Das Substrat wird durch Elektroden beheizt, die an beiden Enden der Kammer angeordnet sind. Die HF-Quelle erzeugt Plasma innerhalb der Kammer, um die Ätzumgebung nach Bedarf zu schaffen. Die HF-Leistung kann eingestellt werden, um die gewünschte Ätzrate zu erreichen und den Ätzwirkungsgrad zu erhöhen. Der Reaktor ist mit einer digitalen Anzeige ausgestattet, die es dem Benutzer ermöglicht, die Temperatur, den Druck und die Leistung in der Kammer zu überwachen. Die Kammer weist außerdem ein Gasfördersystem auf, das eine präzise Steuerung von Reaktantgasen ermöglicht. Dies ermöglicht die optimale Materialabscheidung auf dem Substrat. Die Einheit umfasst auch ein Gasüberwachungssystem, das das Vorhandensein von gefährlichen Gasen in der Kammer erkennen kann. Das System wird automatisch heruntergefahren, wenn gefährliche Gase erkannt werden. Der Plasmareaktor kann so programmiert werden, dass er auf Wunsch automatisch arbeitet. Dies ermöglicht eine höhere Genauigkeit und Wiederholbarkeit im Ätzprozess. Programmierung kann auch verwendet werden, um das Ätzrezept für verschiedene Substrate und Materialkombinationen anzupassen. Der Reaktor AMAT 0010-81296 wurde entwickelt, um qualitativ hochwertige Ätzergebnisse mit höchster Effizienz und Genauigkeit zu erzielen. Die fortschrittlichen Funktionen machen es zu einer idealen Wahl für Halbleiterverarbeitungsanwendungen.