Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS AMP-3300 #9201707 zu verkaufen
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ID: 9201707
PECVD System
Silicon nitride / silicon dioxide dielectric films: Plasma-enhanced chemical vapor deposition system
Low-temperature
Four controlled process
With reactor process chamber:
Radio frequency (RF) power
Chamber pressure
Chamber temperature / Gas flows
Plasma energy field is generated by RF power in the process chamber
Evacuated with a vacuum roughing pump / Motor-driven roots blower
Screwless electrode
Dual gas manifold
42 Pieces of 3-inch wafers
22 Pieces of 4-inch wafers
16 Pieces of 5-inch wafers
Deposition Rate: 300 A/Min
Temperature capability: Up to 300°C
RF Power: Up to 1500 W
Process Gases:
Oxide deposition: N2O & SiH4
Nitride deposition: SiH4, NH3, N2
Controller with real time process data collection / Control
User access: Password control
Complete system / Process parameters: Customer programming recipe
Process parameters recorded on system computer
Power Supply: Closed-loop RF
Water Pressure: 30-80 psig
Standard flow at 3 gpm (11.4 liters/minute) filtered to 100 to 125 microns.
AMP-3300, 68″
Dimensions:
Width: 173 cm x 37″
Depth: 93 cm x 51″
Height: 129 cm
Water temperature:
Maximum inlet temperature: 77 F (25°C)
Minimum: 68 F (20°C).
Water resistivity: >20,000 ohms cm
Ambient air relative humidity: 40% or less
Process gases:
N2 at 30 psig
Delivered at 20-30 psig
N2 Pump purge: 30 Liters / Minute at psig to dilute residual reactant gases
Pneumatic air: 80-100 psig
Exhaust: 2-1/8-inch (54 mm) O.D.
Mechanical pump with proper purging to dilute residual reactant gases
Power:
208 VAC +/-5%, 3 Ph, 80 Amps, 60 Hz, 5-wire wye
380 VAC +/-5%, 3 Ph, 50 Amps, 50 Hz, 5-wire wye.
AMAT/APPLIED MATERIALS AMP-3300 reactor ist eine Ausrüstung, die entwickelt wurde, um thermische und physikalische Dampfabscheidungsprozesse (PVD) durchzuführen. Es hat eine einzigartige Kombination aus einer großflächigen, schnellen thermischen Bearbeitungskammer (RTP), einer Vakuumübertragungskammer und einem Waferträgersystem. Die RTP-Kammer dient zur schnellen Erwärmung und Kühlung von Wafern während der Abscheidung. Es arbeitet im Bereich von bis zu 600 ° C und hat eine Temperatur-Sollwertgenauigkeit von +/- 0,5 ° C. Durch die Vakuumtransferkammer können Wafer im Vakuum in die RTP-Kammer ein- und ausgefahren werden. Die Waferträgersysteme ermöglichen eine präzise Steuerung des Wafer-Be- und Entladevorgangs. AMAT AMP-3300 verfügt auch über eine erweiterte Steuereinheit. Dadurch werden vorhersagbare und wiederholbare Prozessergebnisse gewährleistet. Es weist ein Plasmabehandlungsmodul auf, das zur weiteren Verbesserung des Herstellungsprozesses dem Standardpaket hinzugefügt werden kann. Dieses Modul hat die Fähigkeit, harte Oberflächen zu reinigen, zu ätzen und/oder zu aktivieren. Es ermöglicht eine höhere Abscheiderate und eine verbesserte Wafer-Gleichmäßigkeit. Beim Auftragen von Materialien auf Wafer ist die APPLIED MATERIALS AMP 3300 in der Lage, gleichmäßige Schichten über den gesamten Wafer zu liefern. Es hat auch eine VOC-arme Emissionsmaschine, die die durch den Prozess freigesetzten Abgase reduziert. Die Verwendung von AMP 3300 für Prozesse in der Halbleiterherstellung ist einfach. Sein leistungsfähiges Steuerungstool ermöglicht es dem Benutzer, die Einstellungen für jeden Prozess anzupassen. Darüber hinaus ermöglichen die hochwertigen optischen Komponenten dem Anwender, den Prozess in Echtzeit zu überwachen. Abschließend ist AMAT AMP 3300 ein effizientes und zuverlässiges Werkzeug, das eine großartige Lösung für PVD-Prozesse in der Halbleiterherstellung darstellt. Es verfügt über einen hochpräzisen Positionierer, der genaue Abscheidesequenzen über den gesamten Bereich des Wafers ermöglicht. Sein Plasmabehandlungsmodul erhöht die Prozessgeschwindigkeit und reduziert die Wafer-Gleichmäßigkeit der Ergebnisse. Darüber hinaus sorgt die leistungsstarke Steuerung dafür, dass jeder Prozess genau auf die gewünschten Ergebnisse abgestimmt ist.
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