Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI #9384326 zu verkaufen
URL erfolgreich kopiert!
ID: 9384326
Weinlese: 2021
PECVD System, 8"
Chambers:
Chamber A: ATM Epi
Chamber B: ATM Epi
Chamber C: ATM Epi
Chamber F: Single slot cooldown
STD Transfer
Wide body loadlock
System voltage: 480V
Frequency: 60Hz
Transformer capacity: 480V to 208V / 300Amps
CB1 Current rating: 300 Amps
Leak detectors: Gas panel, H2
Mainframe exhaust: H2
Clean room monitor: TFT Stand alone
Maintenance room monitor: TFT Stand alone
Gas panels:
Gas panel type: Configuable FUJIKIN
Gas panel exhaust position: CH-A (Only for configurable type)
Platter mixer
Platter chamber-A
Platter chamber-B
Platter chamber-C
(2) Mixed dopants
(1) Silicon source
Fujikin FCST
Main H2: 100 slm
Slit H2: 30 slm
Minimum HCl: 1 slm
Maximum HCl: 30 slm
TCS: 20 slm
Dope (INJ): 300 sccm
Dope mixer (SRC): 500 sccm
Dope mixer (DIL H2): 20 slm
Pressure transducer (gauge) range: 0-45
Cabinet exhaust switch type: AMAT
Mainframe:
EPICREW Blower and heat exchanger
Blower voltage: 480 VAC
YASKAWA Variable speed blower
Mainframe cabinet exhaust: Channel A side
AMAT Lamp fuse tray and fuses
AMAT Lamp C/B
AMAT Lamp contactor
AMAT Lamp harness assembly
AMAT Gas lines (From gas panel to floor plate)
AMAT Chamber tray
AMAT Facilities water supply/Return connections
Stainless steel water fittings
Remote frame:
CB1 Current rating: 300 Amp
Umbilical cable length: 25 Feet
V452 SBC Board
AMAT Video card
SSD 1 GB Hard Disk Drive (HDD)
Chamber interface board: Chamber A, B and C
AMAT SCR Driver
AMAT SCR C/B
AMAT SCR Contactor with fuses
AMAT H/A Breaker to contactor
Load lock chambers:
Universal platform
Wide body
Wafer mapping
Wafer slide detect
Fast backfill
Cooldown chamber:
Type: Non-contact
Center finder : On-the-fly
N2 Purge restrictor size: 5 slm
Transfer chamber:
Transfer chamber lid hoist
Robot type: HP
AMAT Slit valve
N2 Purge restrictor size: 5 slm x 3
Chamber A:
Wafer sizes: 8"
Standard process: ATM
Ushio -B3G Lamps
Rotation rev.R3.4
Exhaust line cone baffles (ATM)
Reflector cones
SWAGELOK Isolation valve
Chamber B:
Wafer size: 8"
Standard process (ATM)
USHIO B3G Lamps
Rotation rev.R3.4
Reflector cones
SWAGELOK Isolation valve
Chamber C:
Wafer size: 8"
Standard process (ATM)
USHIO B3G Lamps
Rotation rev.R3.4
Reflector cones
SWAGELOK Isolation valve
Pallets for FUJIKIN:
Model / Positions / Process gas / MFC Size
FCST / 1 / H2 / 20000
FCST / 3 / H2 / 500
FCST / 5 / HC1-Hi / 30000
FCST / 6 / HC1-Lo / 1000
FCST / 7 / H2 / 100000
FCST / 8 / H2 / 30000
2021 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI (Epitaxial Process Integration) Equipment ist ein vakuumbasierter Bearbeitungsreaktor auf Waferebene zur epitaktischen Abscheidung von Schichten auf Halbleiterscheiben. Dieser Waferherstellungsreaktor wurde speziell entwickelt, um die Leistung, Zuverlässigkeit und den Durchsatz für dielektrische Filme, Metallfilme und Verbundhalbleitermaterialien (wie Galliumarsenid, Aluminiumgalliumarsenid und Verbindungen auf Indiumbasis) zu erhöhen. Es eignet sich für eine Vielzahl von Branchen, darunter Mikroelektronik, Optoelektronik, Telekommunikation und Bioelektronik. Das System wurde entwickelt, um die Schwierigkeiten der Aufrechterhaltung hoher Wachstumsraten unter Beibehaltung einer gleichmäßigen Verteilung des abgelagerten Materials zu überwinden. Das Verfahren bietet Unterstützung für mehrere Schichten aus Polysilizium und Siliziumdioxid und bietet die Fähigkeit für das Wachstum von ultradünnen Schichten und Multiorientierung epitaktischen Operationen. Es bietet auch Hochtemperatur-thermische Verarbeitungsmöglichkeiten, wie Glühen und Kanalisieren. AMAT Centura 200 EPI verwendet eine Hochfrequenz (HF) -Anregungsquelle, um Wachstumsraten mit hohem Durchsatz zu erzielen. Die Einheit verwendet eine einwandige zylindrische Heizkammer, in der mehrere kleine indirekte Plasmageneratoren ein gleichmäßiges elektrisches Feld entlang der Richtung der Kammer erzeugen. Das gleichmäßige elektrische Feld und die hocheffiziente HF-Kopplung machen APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI sowohl für Tieftemperatur- als auch Hochtemperaturprozesse geeignet. Die Maschine ist auch hinsichtlich des Energieverbrauchs hocheffizient und kann bei hoher Abscheidungsselektivität geringe Keimdichten erzielen. Mit der angeschlossenen Software-Steuerung können Schichtgleichmäßigkeit und -stabilität bei sehr geringer Nebenproduktbildung erreicht werden. Darüber hinaus kann Centura 200 EPI mit anderen Abscheidungssystemen in einer Clusterkonfiguration für Substrate hoher Dichte kombiniert werden. Das Tool ist mit einer modularen Architektur konzipiert, die Automatisierungsoptionen ermöglicht, einschließlich roboterbasierter Wafer-Handhabung. Es ist in einem kompakten und robusten Gehäuse verpackt und eignet sich somit für die Integration in Reinraum-Workflows. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI wird von einer robusten Vakuumanlage angetrieben und bietet volle Kontrolle über Wafertemperatur und Prozessparameter. Insgesamt bietet das AMAT Centura 200 EPI-Modell eine hochzuverlässige epitaktische Abscheidungslösung, die für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Der effiziente Energieverbrauch und die modulare Architektur machen es zur idealen Wahl für Gerätehersteller, die zuverlässige und konstante Leistung benötigen.
Es liegen noch keine Bewertungen vor