Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI #9384326 zu verkaufen

AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI
ID: 9384326
Weinlese: 2021
PECVD System, 8" Chambers: Chamber A: ATM Epi Chamber B: ATM Epi Chamber C: ATM Epi Chamber F: Single slot cooldown STD Transfer Wide body loadlock System voltage: 480V Frequency: 60Hz Transformer capacity: 480V to 208V / 300Amps CB1 Current rating: 300 Amps Leak detectors: Gas panel, H2 Mainframe exhaust: H2 Clean room monitor: TFT Stand alone Maintenance room monitor: TFT Stand alone Gas panels: Gas panel type: Configuable FUJIKIN Gas panel exhaust position: CH-A (Only for configurable type) Platter mixer Platter chamber-A Platter chamber-B Platter chamber-C (2) Mixed dopants (1) Silicon source Fujikin FCST Main H2: 100 slm Slit H2: 30 slm Minimum HCl: 1 slm Maximum HCl: 30 slm TCS: 20 slm Dope (INJ): 300 sccm Dope mixer (SRC): 500 sccm Dope mixer (DIL H2): 20 slm Pressure transducer (gauge) range: 0-45 Cabinet exhaust switch type: AMAT Mainframe: EPICREW Blower and heat exchanger Blower voltage: 480 VAC YASKAWA Variable speed blower Mainframe cabinet exhaust: Channel A side AMAT Lamp fuse tray and fuses AMAT Lamp C/B AMAT Lamp contactor AMAT Lamp harness assembly AMAT Gas lines (From gas panel to floor plate) AMAT Chamber tray AMAT Facilities water supply/Return connections Stainless steel water fittings Remote frame: CB1 Current rating: 300 Amp Umbilical cable length: 25 Feet V452 SBC Board AMAT Video card SSD 1 GB Hard Disk Drive (HDD) Chamber interface board: Chamber A, B and C AMAT SCR Driver AMAT SCR C/B AMAT SCR Contactor with fuses AMAT H/A Breaker to contactor Load lock chambers: Universal platform Wide body Wafer mapping Wafer slide detect Fast backfill Cooldown chamber: Type: Non-contact Center finder : On-the-fly N2 Purge restrictor size: 5 slm Transfer chamber: Transfer chamber lid hoist Robot type: HP AMAT Slit valve N2 Purge restrictor size: 5 slm x 3 Chamber A: Wafer sizes: 8" Standard process: ATM Ushio -B3G Lamps Rotation rev.R3.4 Exhaust line cone baffles (ATM) Reflector cones SWAGELOK Isolation valve Chamber B: Wafer size: 8" Standard process (ATM) USHIO B3G Lamps Rotation rev.R3.4 Reflector cones SWAGELOK Isolation valve Chamber C: Wafer size: 8" Standard process (ATM) USHIO B3G Lamps Rotation rev.R3.4 Reflector cones SWAGELOK Isolation valve Pallets for FUJIKIN: Model / Positions / Process gas / MFC Size FCST / 1 / H2 / 20000 FCST / 3 / H2 / 500 FCST / 5 / HC1-Hi / 30000 FCST / 6 / HC1-Lo / 1000 FCST / 7 / H2 / 100000 FCST / 8 / H2 / 30000 2021 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI (Epitaxial Process Integration) Equipment ist ein vakuumbasierter Bearbeitungsreaktor auf Waferebene zur epitaktischen Abscheidung von Schichten auf Halbleiterscheiben. Dieser Waferherstellungsreaktor wurde speziell entwickelt, um die Leistung, Zuverlässigkeit und den Durchsatz für dielektrische Filme, Metallfilme und Verbundhalbleitermaterialien (wie Galliumarsenid, Aluminiumgalliumarsenid und Verbindungen auf Indiumbasis) zu erhöhen. Es eignet sich für eine Vielzahl von Branchen, darunter Mikroelektronik, Optoelektronik, Telekommunikation und Bioelektronik. Das System wurde entwickelt, um die Schwierigkeiten der Aufrechterhaltung hoher Wachstumsraten unter Beibehaltung einer gleichmäßigen Verteilung des abgelagerten Materials zu überwinden. Das Verfahren bietet Unterstützung für mehrere Schichten aus Polysilizium und Siliziumdioxid und bietet die Fähigkeit für das Wachstum von ultradünnen Schichten und Multiorientierung epitaktischen Operationen. Es bietet auch Hochtemperatur-thermische Verarbeitungsmöglichkeiten, wie Glühen und Kanalisieren. AMAT Centura 200 EPI verwendet eine Hochfrequenz (HF) -Anregungsquelle, um Wachstumsraten mit hohem Durchsatz zu erzielen. Die Einheit verwendet eine einwandige zylindrische Heizkammer, in der mehrere kleine indirekte Plasmageneratoren ein gleichmäßiges elektrisches Feld entlang der Richtung der Kammer erzeugen. Das gleichmäßige elektrische Feld und die hocheffiziente HF-Kopplung machen APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI sowohl für Tieftemperatur- als auch Hochtemperaturprozesse geeignet. Die Maschine ist auch hinsichtlich des Energieverbrauchs hocheffizient und kann bei hoher Abscheidungsselektivität geringe Keimdichten erzielen. Mit der angeschlossenen Software-Steuerung können Schichtgleichmäßigkeit und -stabilität bei sehr geringer Nebenproduktbildung erreicht werden. Darüber hinaus kann Centura 200 EPI mit anderen Abscheidungssystemen in einer Clusterkonfiguration für Substrate hoher Dichte kombiniert werden. Das Tool ist mit einer modularen Architektur konzipiert, die Automatisierungsoptionen ermöglicht, einschließlich roboterbasierter Wafer-Handhabung. Es ist in einem kompakten und robusten Gehäuse verpackt und eignet sich somit für die Integration in Reinraum-Workflows. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 200 EPI wird von einer robusten Vakuumanlage angetrieben und bietet volle Kontrolle über Wafertemperatur und Prozessparameter. Insgesamt bietet das AMAT Centura 200 EPI-Modell eine hochzuverlässige epitaktische Abscheidungslösung, die für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Der effiziente Energieverbrauch und die modulare Architektur machen es zur idealen Wahl für Gerätehersteller, die zuverlässige und konstante Leistung benötigen.
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