Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 4.0 Radiance #9072014 zu verkaufen

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ID: 9072014
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2002
Platform RTP system, 12" Chambers: A, B, D: Chamber type: Radiance RTP with ISSG Gas config. (sccm)=MFC full scale N2 Frame(50000)/H2 Low(10000)/H2(20000)/O2 Low(1000)/O2(50000)/N2(50000)/N2 BP(50000)/HE BP(50000)/N2 MLV(100000) Modifications: Ch-D Expansion, Chamber added Ch-D He Line additional remodeling, wafer cooling capacity improvement Missing parts: RTC CPU Board(Ch-A,B,D), 0190-28454 Electromagnetic valve unit(LLK-A), 0190-13033 Lamp Head Assy(Ch-A), 0040-88855 Lamp Head Assy(Ch-B), 0040-88855 Lamp Head Assy(Ch-D), 0040-88855 Lamp Power Face Board(Ch-A), 0100-01700 LFD Board(Ch-A), 0100-01973 Lamp Head Supply Water Line Pyrometer Set(Ch-A), 0010-18024 Pyrometer Set(Ch-B), 0010-18024 Pyrometer Set(Ch-D), 0010-18024 DC Power Supply(Ch-A), 1140-00187 ISO Valve(Ch-A) Leak Port Manual Valve(Ch-A) NSK Driver Lamp Head Vac Line Valve(Ch-A,D) Lift Pin (Ch-A,D), 0200-01942, Lamp Head Hose (Ch-D) Rotor Bottom Chamber Over Temp Sensor (Ch-D) Xfer OTF Sensor BANK4 (Buffer) Currently in storage 2002 vintage.
Das AMAT Centura 4.0 Radiance Tool ist eine Hochleistungs-Abscheideausrüstung, die für fortgeschrittene Halbleiterherstellungsanwendungen entwickelt wurde. Dieser Reaktor bietet ultrapräzise Prozesskontrolle, maximale Produktivität und herausragende Flexibilität für überlegene Geräte- und Produktqualität und maximale Investitionsrenditen. Die Centura 4.0 Radiance ist mit fortschrittlichen Prozesstechnologien ausgestattet, darunter eine Floating Zone MOCVD-Quelle, mehrere entfernte Plasmaquellen, integrierte Ätzung, in situ und außerhalb der Kapazität der Kammermesstechnik. Der Reaktor verfügt auch über Niederdruck-Kryogenese zur hochpräzisen Abscheidung auf Substratoberflächen mit verteilter Gleichmäßigkeit und hohen Durchsatzraten für mehr Produktivität. Die Floating Zone MOCVD-Quelle ist für hochpräzise Dotierung bis zu einer Auflösung von ± 5 μ m für eine hochwertige Geräteabscheidung und für nahezu perfekte Geräteeinheitlichkeit über ein Substrat ausgelegt. Diese Oxidätztechnologie vereint hohe Flexibilität, Selektivität und hohe Tiefengleichmäßigkeit für eine Reihe von Anwendungen zur Abscheidung von Halbleiterbauelementen. Hohe Quarzverarbeitungstemperaturen sorgen für optimale Silizium-Geräteprofile mit weniger Defekten. Die entfernten Plasmaquellen verfügen über ein innovatives, hochkonfigurierbares Einzelmoduldesign, um Kosten- und Wartungsanforderungen zu reduzieren. Diese Konstruktion erfordert keine interne Gasdichtung, wodurch der Prozessaufwand reduziert wird, was zu einer Reduzierung der Stillstandszeiten führt. Das In-situ-System zur elektrischen Charakterisierung von Messungen ermöglicht schnellere Messungen, wodurch Zykluszeiten für eine hervorragende Präzision reduziert werden. Diese fortschrittliche spektroskopische Metrologieeinheit kann Geräte bis zu einer Größe von 100 nm charakterisieren und quantitative Prozessdaten bei niedrigeren Vorspannungen bereitstellen. Die SureCEM Außerkammermesstechnik beschleunigt die Messzeit um bis zu 3x und erhöht die Testgenauigkeit im Vergleich zu herkömmlichen Röntgentechniken um bis zu 10x. Die Centura 4.0 Radiance ist für ultrahohe Durchsatzprozesse für eine hervorragende Geräteproduktion konzipiert. Ein Hochgeschwindigkeits-Objektiv mit digitaler Steuerung optimiert die Substrat-Scan-Geschwindigkeit für mehr Effizienz, während ein kompaktes Design die Notwendigkeit einer separaten Vor- und Nachvakuum-Sequenz eliminiert, was zu schnelleren Zykluszeiten führt. Der Reaktor ist auch mit Core Control ausgestattet, einem integrierten Wafer-by-Wafer-Datenmanagement-Asset, das eine Echtzeit-Prozessüberwachung und -berichterstattung bietet.
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