Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi #164775 zu verkaufen

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ID: 164775
Reactor ATM 2 Chamber configuration AC Rack: 3 Phase, 208 V, 400 A CB1 Trip unit: 500 A GFCI option: Yes Water leak detect option: Yes AccuSETT controller: Yes (3 channel) 5 Phase controller: Yes Loadlock: Type: Narrow body Wafer mapping: Yes Wafer slide detect option: Yes Baratron: MKS Transfer chamber: Robot type: HP Center finder: OTF Slit valve plate: Insert O-ring type Col down chamber: Yes (#F position only) Robot blade: Quartz Process chamber (2 Chambers): Chamber typeL: EPI ATM Susceptor: 0200-01932 Pre heat ring: 0200-35081 Susceptor support shaft: 0200-00412 Wafer lift shaft: 0200-00412 Upper dome: 0200-35084 Lower dome: 0200-35042 Temp pyrometer: (3ea) with AUX Baratron: 1000 Torr AMV: (2ea) Inner/outer Blower type: VSB Blower motor: Baldor Gas panel: MFC Unit 1660 ETC: Umbilical cable: 55 Ft Transformer: TR: 480/208V, 130 kVA 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi ist eine fortschrittliche Plasma-verbesserte Abscheidung Ausrüstung. Es handelt sich um einen Batch-Reaktor, der üblicherweise zur Abscheidung fortschrittlicher Materialien wie Silizium, Germanium und Silizium-Germanium-Hetero-Strukturen zur Herstellung integrierter Schaltungen verwendet wird. AMAT Centura 5200 Epi verfügt über eine branchenführende vertikale und horizontale Substratkonfiguration, die höchste Skalierbarkeit und Flexibilität in der Produktion ermöglicht. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 Epi wird von zwei induktiv gekoppelten Hybrid-Plasmaquellen angetrieben, die eine sehr gleichmäßige Niederdruckabscheidung liefern. Es ist mit Endura Ion Energy Shaping III (IES III) ausgestattet, einer proprietären Technologie, die eine präzise Oberflächenselbstbegrenzung und Schicht-für-Schicht-Abscheidung Gleichmäßigkeit ermöglicht. Diese Schichten bestehen aus Hochleistungsdielektrikum- und Metallisierungsschichten. Der Zentrifugalgasinjektor (CGI) und das End-of-Run-Kühlsystem sind so konzipiert, dass sie eine schnelle Kühlung und Rückführung ermöglichen, um die Zykluszeiten zu maximieren. Das CGI ermöglicht eine schnelle, präzise und wiederholbare Einleitung von Hauptprozessgasen in den Reaktor. Dies erhöht den Wirkungsgrad der Abscheidekammer durch Aufrechterhaltung des thermischen Gleichgewichts. Die Vorrichtung weist außerdem ein ferngesteuertes Kühlprofil auf, das es der Kammer ermöglicht, vor dem Umschalten auf eine inerte Atmosphäre schnell eine sichere Temperatur zu erreichen. Dies gewährleistet maximale Zykluszeiten und Partikelkontrolle durch schnelle Abkühlung der Prozesskammer. Centura 5200 Epi verfügt auch über eine Software-Suite mit Prozessrezepten und anspruchsvollen Steuerungstechnologien. Die Einheit kann für die hohe Temperatur, Horatenabsetzung für höhere Durchflussanwendungen konfiguriert werden. Darüber hinaus bietet die eingebaute berührungslose Wafer-Temperaturmessmaschine eine schnelle, genaue In-situ-Temperaturmessung für die Prozesssteuerung. Insgesamt ist AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi das perfekte Werkzeug für hochpräzise, hochzuverlässige Produktionsprozesse. Seine einzigartige Kombination von Funktionen ermöglicht es, die höchste Ebene der Materialabscheidung Gleichmäßigkeit und Skalierbarkeit von der Halbleiterindustrie gefordert zu liefern.
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