Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi #9034366 zu verkaufen
Es sieht so aus, als ob dieser Artikel bereits verkauft wurde. Überprüfen Sie ähnliche Produkte unten oder kontaktieren Sie uns und unser erfahrenes Team wird es für Sie finden.
Tippen Sie auf Zoom
Verkauft
ID: 9034366
System, 8"
(3) Selective Epi chambers RP
Process: SEG (Selective Epitaxial Growth)
Software version: B6.40
Wafer shape: SNNF (Semi Notch No Flat)
Wafer cassette: 8" PEEK Miraial
Wafer transfer: Robot: HP+ENP, Wafer centering: On the fly
SMIF Interface: No
System configuration:
Chamber A; SEG
Chamber B: SEG
Chamber C: N/A
Chamber D: N/A
Chamber F: Single cool down
Chamber A, B, and C:
Manometer: MKS (1 Torr, 100 Torr, 1000 Torr)
Clean type: HCI Clean
RGA Port: Yes (connection port to the foreline)
(2) Pyrometers (upper/lower): Iron: MR-T399-99C, K118 (AMAT: 0090-35052)
Gas Pallet Configuration:
Gas name: MFC size
H2/N2 (H2 Main): H2: 100 L
H2/N2 (H2 Slit): H2: 20 L
HCl: HCl: 300 cc
SiH4: SiH4: 1 L
GeH4: H2: 500 cc
Direct-Dopant 1: H2: 300 cc
Mixed-Dopant: H2: 300 cc
SiH2Cl2: SiH2Cl2: 1 L
Direct-dopant 2: H2: 300 cc
Gas Delivery:
MFC: Type: Unit (C8100AF, C3101AF)
Valves: Veriflo
Rim pressure compressor: Pump CPRSR air with RSVR 1 MPA
Filters: Pall Teflon filter
Transducers: Measurement: MKS 852861PCH2GD, Display: MKS LDM-14793
Regulators: Veriflo Parker
Coating: SUS316EP
Single line drop (SLD): No
System cabinet exhaust: Top and side
(3) H2 Leak detector: Control Inst: SNT476-1000 ppm-H2 (AMAT: 0820-01021
(1)System controller: Remote AC Controller
Transformer: N/A (480 V Direct connection)
Chamber process kit: Quartz, carbon parts
QTY | AMAT P/N | Parts Name
(1) 0200-36727 SUSCEPTOR, 200MM EPI W/O CENTER TOSHIB
(1) 0200-35081 RING, PREHEAT GRAPHITE BETA COATING
(4) 0200-36642 PIN, 200MM EPI WAFER LIFT （LIFT+LINER LOCK PIN）
(3) 0200-00207 TIP, SUSCEPTOR SHAFT OUTSIDE
(1) 0200-35007 DOME, UPPER RP
(1) 0200-35042 DOME, LOWER QTZ W/BALL
(1) 0200-35162 LINER, CHMBR UPPER BRKT/CEN (25x)
(1) 0200-35161 LINER, CHMBR LOWER BRKT/CEN (25x)
(2) 0200-35916 INSERT, INJECT 3 ZONE QTZ (25x)
(2) 0021-00571 INSERT,EXHAUST SST
(1) 0200-35159 BAFFLE, INJECT 3 ZONE (25x)
(1) 0200-00412 SHAFT, SUSCEPTOR W/RMVBL PINS NO CEN EPI
(1) 0200-35424 LIFT, WAFER 8" POLY QUARTZ
Foreline heater: Heater jacket from tool to pump 4", temp controller (not included in scope)
Dry pumps: Stored inside of Helios Zenith (not included in scope)
Load lock: iL70N New Look
Transfer: iL70N New Look
Chamber A: iH-35SE
Chamber B: iH1000
Chamber C: iH1000
Gas abatement: (not included in scope)
(1) Boc Edwards Helios Zenith
(1) Kurita water circulation unit
Full load current: 280 A
Maximum system rating: 87 KVA
Ampere rating of largest load: 100 A
Interrupting current: 10,000 Amps I.C.
480 VAC, 3-Ph, 50/60 Hz, 4-Wires
2003 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi ist ein modernes Halbleiterverarbeitungswerkzeug zum Aufbringen dünner Schichten aus polykristallinen Materialien auf Substraten. Dieser Reaktor eignet sich für eine Vielzahl von Epi-Verarbeitungsanwendungen, wie Epitaxie, gespannte Schichtheterostrukturen, hochmobile Pufferschichten, Dislokationsminderung und geringe Defekteinrichtungsschichten. AMAT Centura 5200 Epi nutzt eine Atmosphäre Kammer und Druckkontrolle Ausrüstung, um hohe Temperatur in situ epitaktischen Wachstum zu induzieren. Dieser Reaktor bietet ein hochpräzises System zur sicheren Kontrolle der Reaktionsumgebung und der Prozessbedingungen. Es verfügt über Niederdruck-Quarz-Doppelkammer-Designs mit einer Zone-by-Zone-Temperaturregelung für das Substrat ausgestattet. Dies gewährleistet ein reproduzierbares und gleichmäßiges epitaktisches Wachstum. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 Epi wird mit einer Kraftstoffzufuhreinheit geliefert, die für eine präzise und stabile Kontrolle der in die Kammer eingeleiteten Reaktantgase ausgelegt ist. Es ist mit integrierten Fernerkundungsmassenstromreglern ausgestattet, die den Druck kontinuierlich anpassen, um einen präzisen Gasfluss und eine präzise Zusammensetzung über einen Bereich von Drücken aufrechtzuerhalten. Diese Maschine verhindert, dass Verunreinigungen und Verunreinigungen in die Reaktorkammer gelangen. Centura 5200 Epi beinhaltet auch ein ineinandergreifendes Bypassventil und ein Drucküberwachungswerkzeug. Dadurch entfällt die häufige Wartung des Vermögenswertes. Darüber hinaus verfügt die fortschrittliche Reinigungsplatte über ein zweistufiges Heizmodell. Dies bietet eine effiziente bordeigene Weichmacherentfernung und Partikelkontrollausrüstung. Dies ermöglicht eine erhöhte Prozessgasstabilität und eine verbesserte Prozessgleichförmigkeit. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Epi wurde ebenfalls mit einem robusten Schnellwärme- und Kühlsystem entwickelt. Dieser Mechanismus gewährleistet eine präzise Temperaturregelung von Temperaturen bis 500 ° C und bis 700 ° C. Die Hochtemperaturregler bieten präzise Temperaturgleichförmigkeit für genaue und wiederholbare Prozessleistung. AMAT Centura 5200 Epi ist ein fortschrittliches und anspruchsvolles Epi-Bearbeitungswerkzeug, das für eine Vielzahl moderner Halbleiterherstellungsanforderungen entwickelt wurde. Es bietet Gleichmäßigkeit und Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Epi-Verarbeitungsanwendungen und ist damit ein ideales Werkzeug für den modernen Halbleiterhersteller.
Es liegen noch keine Bewertungen vor