Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #137526 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 137526
Wafergröße: 6"
Tungsten WxZ / HeWEB system, 6"
(2) Deposition and (2) etch chambers
Process: CVD W
Standard Centura frame
SoGware Version: E3.0
System Power Rating: 208 VAC 3Phase
Loading Configura(on: Narrow Body Dual AutoIndexer Loader
Chm Positon A: HeWEB. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific
Chm Positon B: HeWEB. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific
Chm Positon C: WxZ. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific
Chm Positon D: WxZ. Chamber: Gases/Chemicals Used: Customer specific
Chm Positon E: Mul( Slot cooling Chamber: Gases/Chemicals Used: N2
Chm Positon F: Orient chamber
System Configuration:
AMAT CENTURA 5200 Standard Mainframe Body
AMAT CENTURA 5200 Mainframe Transfer Chamber
(2) Narrow Body Loadlock Chamber
(2) WxZ Process Chamber
System Controller/AC Power Box
CRT Monitor with Light Pen
RF Generator rack
Currently stored in a warehouse.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP ist ein PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) Reaktor zur Massenproduktion von Halbleiterscheibensubstraten und anderen elektronischen Komponenten. Es ist ein Hochdurchsatz, konfigurierbares Desktop-Tool mit einem Multi-Puls-Rezept für präzise Wiederholbarkeit und beispiellose Konsistenz in Betriebsbedingungen. AMAT Centura 5200 MxP kann aufgrund seines flexiblen Moduldesigns mehrere Filme aus der gleichen Auflage bereitstellen - darunter ein spezielles „Multiplexer“ -Modul, das bis zu 9 unabhängige Filme unterstützt. Dadurch erreicht der Endanwender einen höheren Durchsatz und weniger Produktionsschritte. Der 5200 MxP basiert auf der MxP-Hardwarearchitektur, die durch die Integration neuer Werkzeugkomponenten und -prozesse maximale Flexibilität und Skalierbarkeit bietet. Es enthält ein Oberflächenverfolgungssystem zur präzisen Steuerung der Substrattemperatur während der Filmabscheidung, eine reaktive Ionenausrüstung zum Metallionen-Plasmaätzen und ein fortgeschrittenes Reaktionskontrollsystem zur Einstellung der inneren Umgebung. Der Reaktor ist mit einer Diffusionsabschirmung ausgestattet, die eine gleichmäßige Abscheidung über das gesamte Substrat gewährleistet und unerwünschte elektrische und thermische Effekte reduziert. Darüber hinaus verfügt der 5200 MxP auch über ein rezirkulierendes Konvektionskühlsystem, das ein präzises Temperaturprofil über die Oberfläche des Substrats beibehält und Hochleistungsfolien ermöglicht. ANGEWANDTE MATERIALIEN Die Centura 5200 MxP verfügt über eine integrierte dynamische Feedback-Steuerung (DFC), die in Echtzeit auf Abscheidebedingungen reagieren und Korrekturen vornehmen kann. Dieses Merkmal trägt dazu bei, eine gleichmäßige Dicke über das gesamte Substrat zu erhalten und gleichzeitig unerwünschte Effekte wie elektrische und thermische Belastungen zu reduzieren. Das Gesamtdesign von Centura 5200 MxP bietet zuverlässige und wiederholbare Ergebnisse bei schneller Geschwindigkeit, was es zu einer guten Wahl für große Großserien-Fertigungsanwendungen macht. Sein integriertes Design, kombiniert mit den fortschrittlichen Reaktionskontroll- und Temperaturregelsystemen, sorgt für einheitliche und überlegene Ergebnisse für jede Art von Substrat.
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