Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #9105942 zu verkaufen

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ID: 9105942
Wafergröße: 8"
Dielectric oxide etcher, 8" (3) Chambers Install type: Through the wall Cassette interface: Narrow body load locks with wafer mapping HP Robot On-the-fly wafer center finding Software version: 4.8_27 Chambers A, B, C, and D: Dielectric etch MXP ESC Standard cathode Bolt-down chamber lid Seiko seiki STP 301 CB1 Phase IV RF Match AMAT optical endpoint system S/W version 30 (2) AMAT 1 heat exchangers (2) Neslab HX-150 chillers with CHX Interface Gas panel configured as follows: Chamber A: N2 100 O2 50 CF4$ 200 CHF3 100 Ar 150 Chamber B: N2 100 O2 50 CF4$ 200 CHF3 100 Ar 110 Chambers C, D: N2 100 O2 50 CF4$ 200 CHF3 100 Ar 250.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP ist ein CVD-Reaktor (Chemical Vapor Deposition), der für fortgeschrittene Filmabscheidungsprozesse verwendet wird. Diese Ausrüstung verwendet ein fortschrittliches Design, um fortschrittliche Dünnschichtabscheidungsprozesse wie High-K-Dielektrikum, Metallnitrid und andere spezialisierte Materialien anzuwenden, um superschnelle Transistornetzwerke zu schaffen. AMAT Centura 5200 MxP ist das neueste in einer Reihe von AMAT Abscheidungssystemen, entworfen, um die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Der Centura 5200 MxP-Reaktor besteht aus fünf Modulen, die jeweils für überlegene Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt sind. Das System besteht aus der Stromversorgung, der Prozesskammer, der Wafer-Handhabungseinheit, den Temperaturregelsystemen und der Gasfördermaschine. Die Stromversorgung bietet eine hohe Genauigkeit und Kontrolle des Abscheideprozesses, was eine präzise Materialabscheidung ermöglicht. Die Prozesskammer verfügt über ein zylindrisches Edelstahl-Design mit einer Heizplatte und zwei Hubstiften für genaue und wiederholbare Dicke Gleichmäßigkeit. Die geschickt gestaltete Prozesskammer beinhaltet einen einzigartigen Abscheidezyklus, der sowohl im statischen als auch im dynamischen Abscheidemodus arbeitet. Das Wafer Handling Tool umfasst eine automatisierte 200mm Wafer Transport Asset und Drei-Achsen-Wafer Manipulation. Das Wafer-Manipulationsmodell ermöglicht eine hochgenaue Platzierung von Wafern und eine Gasflussregelung, die wiederholbare, gleichmäßige Abscheidungsergebnisse ermöglicht. Die Temperaturregelungssysteme sorgen für eine präzise Gleichmäßigkeit des Wafers während des Abscheideprozesses, indem die Substrate genau geheizt und gekühlt werden. Die Gasfördereinrichtung liefert die während des Abscheidungsprozesses benötigten Gase, während die flexible Gasauswahl die Möglichkeit bietet, entweder ein einziges oder mehrere Gase zu verwenden. Das System nutzt auch eine Reihe fortschrittlicher Sicherheitsfunktionen wie Brandunterdrückung, Lecksuche und Notabschaltung, um einen sicheren und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten. Insgesamt ist Centura 5200 MxP ein fortschrittlicher CVD-Reaktor, der speziell für fortgeschrittene Filmabscheidungsprozesse entwickelt wurde. Mit einem fortschrittlichen Design, einer Prozesskammer, Temperaturkontrollsystemen und einer Gasfördereinheit bietet die Centura 5200 MxP eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit für hochwertige Dünnschichtabscheidungsanwendungen.
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