Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP #9105942 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9105942
Wafergröße: 8"
Dielectric oxide etcher, 8"
(3) Chambers
Install type: Through the wall
Cassette interface:
Narrow body load locks with wafer mapping
HP Robot
On-the-fly wafer center finding
Software version: 4.8_27
Chambers A, B, C, and D: Dielectric etch MXP
ESC
Standard cathode
Bolt-down chamber lid
Seiko seiki STP 301 CB1
Phase IV RF Match
AMAT optical endpoint system S/W version 30
(2) AMAT 1 heat exchangers
(2) Neslab HX-150 chillers with CHX Interface
Gas panel configured as follows:
Chamber A:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 150
Chamber B:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 110
Chambers C, D:
N2 100
O2 50
CF4$ 200
CHF3 100
Ar 250.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 MxP ist ein CVD-Reaktor (Chemical Vapor Deposition), der für fortgeschrittene Filmabscheidungsprozesse verwendet wird. Diese Ausrüstung verwendet ein fortschrittliches Design, um fortschrittliche Dünnschichtabscheidungsprozesse wie High-K-Dielektrikum, Metallnitrid und andere spezialisierte Materialien anzuwenden, um superschnelle Transistornetzwerke zu schaffen. AMAT Centura 5200 MxP ist das neueste in einer Reihe von AMAT Abscheidungssystemen, entworfen, um die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Der Centura 5200 MxP-Reaktor besteht aus fünf Modulen, die jeweils für überlegene Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt sind. Das System besteht aus der Stromversorgung, der Prozesskammer, der Wafer-Handhabungseinheit, den Temperaturregelsystemen und der Gasfördermaschine. Die Stromversorgung bietet eine hohe Genauigkeit und Kontrolle des Abscheideprozesses, was eine präzise Materialabscheidung ermöglicht. Die Prozesskammer verfügt über ein zylindrisches Edelstahl-Design mit einer Heizplatte und zwei Hubstiften für genaue und wiederholbare Dicke Gleichmäßigkeit. Die geschickt gestaltete Prozesskammer beinhaltet einen einzigartigen Abscheidezyklus, der sowohl im statischen als auch im dynamischen Abscheidemodus arbeitet. Das Wafer Handling Tool umfasst eine automatisierte 200mm Wafer Transport Asset und Drei-Achsen-Wafer Manipulation. Das Wafer-Manipulationsmodell ermöglicht eine hochgenaue Platzierung von Wafern und eine Gasflussregelung, die wiederholbare, gleichmäßige Abscheidungsergebnisse ermöglicht. Die Temperaturregelungssysteme sorgen für eine präzise Gleichmäßigkeit des Wafers während des Abscheideprozesses, indem die Substrate genau geheizt und gekühlt werden. Die Gasfördereinrichtung liefert die während des Abscheidungsprozesses benötigten Gase, während die flexible Gasauswahl die Möglichkeit bietet, entweder ein einziges oder mehrere Gase zu verwenden. Das System nutzt auch eine Reihe fortschrittlicher Sicherheitsfunktionen wie Brandunterdrückung, Lecksuche und Notabschaltung, um einen sicheren und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten. Insgesamt ist Centura 5200 MxP ein fortschrittlicher CVD-Reaktor, der speziell für fortgeschrittene Filmabscheidungsprozesse entwickelt wurde. Mit einem fortschrittlichen Design, einer Prozesskammer, Temperaturkontrollsystemen und einer Gasfördereinheit bietet die Centura 5200 MxP eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit für hochwertige Dünnschichtabscheidungsanwendungen.
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