Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I #9133092 zu verkaufen

ID: 9133092
Oxide etcher, 8" Wafer shape: JMF Chamber Type/ Location Selected Option System Configuration BASE Position A Oxide Main Etch Position B Oxide Main Etch Position C Oxide Main Etch Position F ORIENTER Position A Configuration Oxide Main Etch Position B Configuration Oxide Main Etch Position C Configuration Oxide Main Etch Position D Configuration System Safety Equipment Selected Option EMO Switch Type TURN TO RELEASE EMO ETI COMPLIANT EMO Guard Ring INCLUDED Smoke Detector At MF No Skin YES Smoke Detector At Gen Rack YES Smoke Detector At AC Rack YES Water and Smoke Detector ALARM System Labels ENGLISH CHA - CHA - OXIDE Chamber Options Selected Option Process Kit USED Turbo Pump Seikoseiki 301 Emission Endpoint Type Monocro Oxide ESC USED Flat BIAS RF GEN OEM-28B MxP Oxide Throttle Butter fly MxP Oxide Gate Valve VAT CHB - CHB - OXIDE Chamber Options Selected Option Process Kit USED Turbo Pump Seikoseiki 301 Emission Endpoint Type Monocro Oxide ESC USED Flat BIAS RF GEN OEM-28B MxP Oxide Throttle Butter fly MxP Oxide Gate Valve VAT CHC - CHC - OXIDE Chamber Options Selected Option Process Kit USED Turbo Pump Seikoseiki 301 Emission Endpoint Type Monocro Oxide ESC USED Flat BIAS RF GEN OEM-28B MxP Oxide Throttle Butter fly MxP Oxide Gate Valve VAT Gas Delivery Options Pallet Options Selected Option Valve Fujikin Regulator Fujikin Gas Panel Pallet A Gas Panel Pallet A Gas Line Requirement Selected Option Pallet Pallet Gas Line Configuration Selected Option Pallet Corrosive Gas Line Qty 3 Pallet Inert Gas Line Qty 5 Filter Qty 8 Gas Panel Pallet B Gas Panel Pallet B Gas Line Requirement Selected Option Pallet Pallet Gas Line Configuration Selected Option Pallet Corrosive Gas Line Qty 3 Pallet Inert Gas Line Qty 5 Filter Qty 8 Gas Panel Pallet C Gas Panel Pallet C Gas Line Requirement Selected Option Pallet Pallet Gas Line Configuration Selected Option Pallet Corrosive Gas Line Qty 3 Pallet Inert Gas Line Qty 5 Filter Qty 8 Gas Panel Features Gas Panel Features Gas Panel Features Selected Option Gas Panel Controller VME I Mainframe General Mainframe Options Selected Option Facilities Type REGULATED Facilities Orientation MAINFRAME FACILITIES BACK CONNECTION Loadlock/Cassette Options Selected Option Loadlock Type NBLL W/ AUTO-ROTATION Loadlock Cover Finish ANTI-STATIC PAINTED Loadlock Slit Valve Oring Type VITON Wafer Mapping STD Wafer Out of Cassette Sensor YES Cassette Present Sensor YES Transfer Chamber Options Selected Option Transfer Ch Manual Lid Hoist YES Robot Type CENTURA HP ROBOT Wafer On Blade Detector BASIC Loadlock Vent BOTTOM VENT Front Panel Selected Option Front Panel ANTI-STATIC PAINTED Signal Light Tower 4 COLOR SIGNAL LIGHT TOWER INCLUDING RED LIGHT 4 Color Signal Light Tower Configuration Selected Option Top Light Color RED Second Light Color YELLOW Third Light Color GREEN Fourth Light Color BLUE Signal Light Tower Buzzer ENABLED Second Signal Light Tower YES Remote System Controller Selected Option Controller Type 86 INCH COMMON CONTROLLER Cntrlr Electrical Interface BOTTOM FEED Controller Exhaust TOP EXHAUST Controller Cover Option YES System Monitors Selected Option System Monitor 2 TTW / different cable lengths Monitor Cursor 2 BLINKING CURSOR AC Rack Selected Option GFI 30mAMP AC Rack Types 84 INCH SLIM AC GEN RACK Exhaust Collar 84 INCH SLIM RACK EXHAUST COLLAR Umbilical Selected Option Ctrlr to Mainframe Umbilical 25Ft HX Control Cable Length 50Ft Heat Exchanger Hose Length 65Ft Pump Cable Length 65Ft RF Generator Cable 65Ft Pump Interface Only Selected Option Pump Interface Qty Interface Only.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I ist ein für die Halbleiterherstellung konzipierter Reaktor. Es hat eine SiH4/NH3/DOP Endpunktätzung mit einer 56MHz HF-Quelle und ist in der Lage, Tiefen bis 8,5 Mikron zu ätzen, mit einem auf Phosphortrichlorid (PCl3) basierenden Ätzmodul. Die Kammer ist aus Edelstahl gefertigt und verfügt über einen Tieftemperaturbetrieb zur besseren Ätz-/Prozessverträglichkeit. Der Reaktor verfügt über einen Prozesssteuerungskasten und eine separate Luftschleuse zum Be- und Entladen von Kammern. AMAT Centura 5200 Phase I verfügt über eine große, intern beheizte, gasdichte Prozesskammer. Diese Kammer soll verhindern, dass Partikel und Ätzreagenzien beim Ätzen in den Wafer gelangen. Es kann bis zu 2 Zoll (5,08 cm) und 8000 lb (3,63 Tonnen) Halbleiterscheiben aufnehmen. Die Kammer verfügt über eine Vakuumausrüstung und einen Abgaskamin mit Umlenkleitblechen, um ein gleichmäßiges Ätzen und eine geringe Rückseitenverschmutzung zu gewährleisten. Der eingebaute Endpunktregler überwacht den Ätzvorgang, indem er den Druck innerhalb der Kammer, den Zustand des Gasfördersystems und den Strom über das Magnetron der Stromversorgung misst. Die Prozesskammer enthält außerdem ein automatisches Temperaturkompensationsmodul (ATCM) für verbesserte Prozesskonsistenz und -leistung. Der ATCM hat einen Bereich von 180 ° bis 260 ° C und bietet eine breite Palette von Prozessoptimierungsanpassungen. Es verfügt auch über eine flexible Temperaturregelung mit anwenderwählbaren Parametern zur Optimierung von Prozessparametern. Der Endpunkt-Ätzprozess soll eine effiziente und präzise Steuerung der Ätztiefen ermöglichen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Die Centura 5200 Phase I verfügt über eine selbstabstimmende, 56 MHz HF-Stromquelle mit einer Vollwellenform-Prozesssteuerung. Diese Maschine ermöglicht es dem Bediener, Wafer mit unterschiedlichen Ätztiefen zu ätzen und hilft auch, Beschädigungen und Vernarbungen von Wafern zu verhindern. Schließlich wurde Centura 5200 Phase I entwickelt, um einen sicheren, zuverlässigen und wiederholbaren Prozess mit einem hervorragenden Endergebnis zu bieten. Es verfügt über eingebaute Sicherheitsfunktionen zur Warnung des Bedieners bei möglichen Fehlern. Das Tool verfügt auch über integrierte Wartungs- und Fehlerbehebungsfunktionen zur einfachen Analyse und Fehlerbehebung. Daher ist AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 Phase I eine ideale Bereicherung für die effiziente Herstellung von Halbleiterscheiben.
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