Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #293767095 zu verkaufen

ID: 293767095
CVD System (2) Poly DPS Chamber.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 ist ein Zweikammer-dynamischer CVD-Reaktor, der zur Herstellung von polykristallinen Siliziumfolien in der Halbleiterindustrie verwendet wird. Die Ausrüstung wurde entwickelt, um die Prozesskosten zu senken und gleichzeitig die Qualität des Abscheideprodukts zu verbessern. AMAT Centura 5200 arbeitet durch Spaltzylinder-Rotationsoxidation von Silan zu polykristallinen Silizium-Dünnfilmen. Im Zweikammermodell erzeugt die erste Kammer ein hydriertes Oxid, das dann einer zweiten Kammer zur Weiterverarbeitung zugeführt wird. Das System umfasst sowohl horizontale als auch vertikale RF/DC/RF-Stromquellen zur weiteren Optimierung des Abscheideprozesses. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 ist mit einer Vielzahl von Prozesssteuerungsverfahren ausgestattet, um einen ordnungsgemäßen Betrieb zu gewährleisten. Mehrere Prozessgasventile können mit spezifischen Durchflussraten, Drücken und Gemischen programmiert werden, um optimale Prozessbedingungen zu gewährleisten. Eine programmierbare Gleichstromsteuerung ermöglicht die Optimierung des Abscheideprozesses. Die Maschine umfasst auch Mikrosteuerungs- und Umgebungssensoren zur genauen Prozesssteuerung und -überwachung. Centura 5200 ist mit einem effizienten Auspuffwerkzeug ausgestattet, das eine schnelle Evakuierung silanhaltiger Gase ermöglicht. Dies ist ein wichtiges Merkmal, da es einen schnellen Wechsel zwischen verschiedenen Prozessgasen ermöglicht, was zu einem kürzeren Gesamtzyklus führt. Was die Sicherheit anbelangt, verfügt die AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 über eine luftdichte Isolieranlage zum Schutz der Anwender vor gefährlichen Abscheidungsgasen. Die Auspufföffnungen des Modells sind auch mit doppelt gefilterten Patronen ausgestattet, um das Entweichen von Abscheidegasen in die umgebende Atmosphäre zu minimieren. Schließlich bietet die AMAT Centura 5200 eine kostengünstige Plattform für die Herstellung hochwertiger Dünnschicht-Halbleiterbauelemente in Röntgenqualität. Das Gerät bietet eine hervorragende Stabilität und Zuverlässigkeit bei Temperaturen bis 1500 ° C und eignet sich somit für eine Reihe schwer ätzbarer Silizium-Geräte wie GaN/AlN und SOI. Das fortschrittliche Automatisierungssystem erhöht die Effizienz des Geräts weiter und trägt dazu bei, Variationen in der Produktqualität zu minimieren.
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