Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9198283 zu verkaufen
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ID: 9198283
Wafergröße: 8"
Weinlese: 2000
HDP CVD System, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber configuration:
Chamber A: HDP Ultima TE process chamber
Chamber B: HDP Ultima TE process chamber
Chamber C: HDP Ultima TE process chamber
Chamber E: Multi cooldown chamber
Chamber F: Orient chamber
Loadlock configuration:
Loadlock type: Narrow body
Auto rotation
Cassette type: 200mm
Mapping function: FWM
Vent type: Variable speed
Fast vent option
Mainframe configuration:
Buffer robot type: HP+
Buffer robot blade: Ceramic blade
Status light tower: RYG
Remote monitor: Table mount
Includes:
SMC Thermo chiller INR-498-001B
RF Generator type: ETO RF System
Standard gas panel
With (3) sets gas pallet
LEYBOLD MAG2000 Turbo pump
Gate valve: NC
Electrical configuration:
Line voltage: 208V
Full load current: 320 A
Frequency: 50/60Hz
2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 ist ein fortschrittlicher Reaktor auf Plasmabasis für die Herstellung elektronischer Mikrogeräte. Als plasmaverbesserter chemischer Dampfabscheidungsreaktor (PECVD) hat AMAT Centura 5200 eine Reihe von Vorteilen gegenüber anderen Abscheidungsmechanismen, wie chemischer Dampfabscheidung (CVD) oder thermischem CVD. ANGEWANDTE MATERIALIEN Die Hauptkomponenten des Centura 5200-Systems sind die Plasmakammer, Netzteile, Vakuumpumpe, Glaswaren, computergesteuerte Prozesskammer und Support-Hardware. Die Plasmakammer ist eine Vakuumkammer, die ein Prozessgas, wie Stickstoff oder Argon, zusammen mit einer geringen Menge eines Vorläufergases, wie Silan, enthält. Diese Kombination von Gasen erzeugt das Plasma innerhalb der Kammer. Die Netzteile liefern die notwendige Energie, um das Plasma zu erzeugen. Die Glaswaren in Centura 5200 enthalten eine Abscheideplatte, eine Substratstufe, ein Austrittsrohr und verschiedene andere Komponenten, die helfen, die Größe und Temperatur der Prozesszone zu regulieren. Die Substratstufe ist für den Abscheidevorgang notwendig und hält das Substrat, entweder einen Wafer oder ein Transfersubstrat, fest. Die Abscheideplatte ist notwendig, um das Gas an die gewünschte Stelle auf dem Substrat zu leiten. Das Austrittsrohr transportiert die Abgase aus der Plasmakammer. Die Prozesskammer ist ein geschlossener Behälter mit einem rechnergesteuerten Temperatursensor und einem vorkonditionierenden Gasstromregler. Der Gasstromregler regelt den für den Abscheideprozess notwendigen Gasstrom und hält eine konstante Temperatur in der Kammer. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200 verwendet einen Luft-Gas-Mechanismus, um Plasma zu erzeugen, das zu hohen Abscheidungsraten und ausgezeichneter Gleichmäßigkeit der Ablagerungen auf dem Substrat führt. Die Vakuumpumpe innerhalb der AMAT Centura 5200 dient zur Aufrechterhaltung des Drucks innerhalb der Plasmakammer sowie zur Evakuierung etwaiger Nebenprodukte des Abscheidungsprozesses. Dadurch wird sichergestellt, daß das Prozessgas innerhalb der Kammer durch keine Streumatome oder Partikel aus der Reaktion beeinflußt wird. Schließlich ist die Support-Hardware von APPLIED MATERIALS Centura 5200 so konzipiert, dass sie den Betrieb des Reaktors integriert unterstützt. Dazu gehören Komponenten wie Luftventile, Drucksensoren, Temperatursensoren und Absperreinrichtungen. Diese Komponenten dienen sowohl der Überwachung als auch der Steuerung des Reaktorbetriebs durch Einstellung der Gasströme, Gasdrücke und Temperaturen und anderer Parameter. Insgesamt ist der Centura 5200 PECVD Reaktor ein zuverlässiges und effizientes System für die Herstellung einer Vielzahl von Mikrogeräten und Produkten. Die Kombination aus fortschrittlichen Komponenten und computergesteuerter Prozesskammer sorgt dafür, dass die höchste Qualität der Ablagerungen auf möglichst effiziente Weise erreicht wird.
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