Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9096042 zu verkaufen

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AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP
Verkauft
ID: 9096042
Wafergröße: 12"
Epitaxial silicon (EPI) System, 12" Position A: Yes Position B: Yes Position C: Yes Position D: Yes System software: B2.7_39 FiCGUI: fB4.90_15 Beta GP: gB7.50_11 WIP Delivery type: OHT WIP delivery (2) Load ports Remote control system capable: NO eDiagnostics ready: Yes Docked E99 reading capability: Yes Load port types: Enhanced 25-Wafer FOUP Docking flange shield: Yes Air intake system: Top intake E84 carrier handoff: Upper E84 interface enabled OHT E84 PIO sensors and cables: Upper E84 sensor an cable E99 Carrier ID: TIRIS With RF Operator access switch: Yes Carrier ID host interface: No OHT Light curtain: Light curtain SECS Trace: Yes Single axis aligner: Single axis aligner Robots: No Mainframe type: CORE ENP BLOCK 2 LL: Batch load lack Chamber Interface: Vented stainless stell insert Pumps: Process pump: EDWARDS iH1000SC, 100 Hz Transfer Pump: ALCATEL ADS602 LL Pump: ALCATEL ADS602 Baratrons : MKS Lift Pins: Hollow silicon carbide graphite Recipe control AccuSETT: Yes Lamp type: USHIO 0190-31284 Process temperature: PID Control real time display Emissivity: 0.55 to 0.75 upper and 0.6 to 0.8 lower Upper/Lower Gain (kw/C): 0.5 NOT allowed to adjust but capable Upper/Lower TI (sec): 10s Upper 20s Lower Gas panel feed: Bottom Pump purge: YES Regulators and displays Transducers and regulators SiH2CI2 Stick 07: DCS (500 sccm) HCl Stick 03: HCL (500 sccm) SiH4 tick 04: SIH4 (500 sccm) H2 NIL H2 Main Stick 01: Purge main (100000 sccm) H2 Slit Stick 02: Purge slit (30000 sccm) 3 degree flared in upper outer threaded upper inner: threaded upper inner 0041-01969 FTGNIP QDISC: FTGNIP QDISC 3/8BODY X 3/8-18FP1.71"LSST303 3300-01720 Phase II hardware Shaft 6-arm susceptor support: Reflector Base Lower mid Top Lower mid H2 Purifier: Yes Currently de-installed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RP ist ein fortschrittlicher Hochleistungs-Plasmaätzreaktor für die Halbleiterherstellung. Es verfügt über ein hocheffizientes Abscheidungssystem mit einer speziell entwickelten Sputterelektrode und der patentierten Costar Rotatable Process (CRP) -Ausrüstung zur präzisen Steuerung von Prozessparametern. Das CRP ermöglicht Prozessoptimierung und verbesserte Ausbeute durch sorgfältige Prozesskontrolle und genaue Abscheidung. Das ACP RP ist für eine Reihe von Halbleiterverarbeitungsanforderungen ausgelegt, einschließlich CMOS- und III-V-Bauelementen. Es ist sowohl in-situ physikalische als auch chemische Abscheidung fähig und bietet eine höhere Prozesskontrolle durch fortschrittliche Präzision und Genauigkeit. Der AKP-RP-Reaktor wird mit HF-Plasma betrieben und bietet eine effektive und effiziente Plasmaquelle für die Herstellung einer Vielzahl von Materialien für Halbleiteranwendungen. Der Reaktor besitzt eine breite Prozessfähigkeit von der Ätzung und Ionenimplantation bis zur selektiven Abscheidung. Es verwendet proprietäre Software und patentiertes Costar Rotatable Process, um die Elektroden und die Plasmapfade für eine optimale Abscheidung von Schichten über dem Wafer genau auszurichten. Darüber hinaus verfügt das System über hocheffiziente Vakuumsysteme mit einer spezialisierten Prozesskammer für eine verbesserte Gleichmäßigkeit der Abscheidung. Dies ermöglicht eine höhere Gleichmäßigkeit über die gesamte Länge des Abscheideprozesses. Die spezielle Prozesskammer reduziert die Geräuschpegel und verbessert die Abscheidungsleistung. Darüber hinaus verfügt das ACP RP über e-Beam Driven Process Sources (EBPS), die schnelles Ätzen, Ionenimplantation und andere Plasmabearbeitungstechniken in einem einzigen Schritt ermöglichen. Das ACP RP ist mit einem fortschrittlichen Steuerungssystem ausgestattet, das eine präzise und genaue Steuerung der Prozessparameter ermöglicht. Dies sorgt für reproduzierbare, ertragsstarke Ergebnisse, wodurch das ACP RP für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist. Darüber hinaus ist der ACP RP leicht erweiterbar, mit optionalen Funktionen wie drehbarer Platte, Unigy Electrostatic Chuck (ESC), RoboSTAT Process Control Software und mehr. Alle diese Funktionen gewährleisten konsistente und vorhersehbare Ergebnisse, was einen optimierten Durchsatz und eine verbesserte Ausbeute in einer Produktionsumgebung ermöglicht. Der ACP RP ist für einen schnellen, störungsfreien Betrieb konzipiert und bietet herausragende Eigenschaften und eignet sich somit für eine Vielzahl von Halbleiterherstellungsprozessen. Seine fortschrittliche HF-Plasmaquelle und hochpräzise Prozesskontrolle machen es zu einer guten Wahl für jeden Prozess, der Zuverlässigkeit und Genauigkeit erfordert. Mit seiner robusten Konstruktion und Leistung ist AMAT Centura ACP RP eine ideale Wahl für hohe Volumina und komplexe Plasmaätzverarbeitungsaufgaben.
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