Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9168768 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9168768
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2008
EPI System, 12"
Includes: HDD
Factory interface options:
Wafer transfer robot: YASKAWA Robot
Load port types: TDK25 Wafer FOUP V2
(3) Loadports
Power supply:
FFU 208 VAC
Controller 110 VAC
ULPA Filter: PTFE Boron free ULPA
Orienter: Pre aligner
End effecter: Edge grip PEEK material
Remote options:
Monitor 1: 17" Flat panel with keyboard on ergo arm
Mainframe options:
Mainframe type: ACP BLOCK 2
Loadlocks: Batch loadlock
Chamber interface: Vented stainless steel insert and door with viton
DVR Record license
Water hose fittings: Yes
Water module stand: Yes
Upper frame H2 leak detector: Yes
Chamber A/B: (RH3) Reduced pressure EPI
Lamp type: USHIO BNA8
MFC: UNIT 8561
Pump purge: Yes
Regulator and displays: Transducers and regulators
Transducer display type: SI (KPA)
H2 Leak detector: Single
H2 50slm
H2 10slm
HCL 500sccm
HCL 15slm
SiH4 500sccm
SiH2Cl2 500sccm
GeH4 500sccm
Direct dopant x 2 line
Dopant mixer 2line
Spare 1 line 100sccm
Aux GeH4 line 100sccm
Currently warehoused
2008 vintag
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RP (RapidPulse) Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Reaktor ist eine Hochleistungs-Mehrkammerplattform zur Abscheidung von dünnen Schichten für die Halbleiterherstellungsindustrie. AMAT Centura ACP RP ist in der Lage, eine Vielzahl von Materialschichten wie Oxide, Nitride, diamantartige sowie Dotierstoffe für den Geräteherstellungsprozess abzuscheiden. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura ACP RP verfügt über eine Einzel-Wafer-Reinigungszone und eine beheizte Elektronen-Zyklotron-Resonanz (ECR) -Quelle. Die Quelle erzeugt ionisierte Arten und Radikale, die das Substrat für eine optimale Oberflächenaktivierung und erhöhte Haftung bombardieren. Das ACP RP verfügt auch über ein fortschrittliches Prozesssystem mit überlegener Temperaturregelung, einheitlichen Folien und minimierter Prozesskomplexität. Es integriert HF-Suszeptor-Heizung und Kopfkühlung mit Präzisionstemperaturgenauigkeit, um die Gleichmäßigkeit zwischen Nanometerwerkzeugen und vollen Wafern zu erhalten. Der Reaktor wird mit einer breiten Palette von In-situ-Sensor- und Steuerungssystemen geliefert, einschließlich Plasmaemissionssensoren, Quadrantenteil-Drucksensoren, thermischen Sensoren, Ionenmessgeräten und dedizierten Prozessleitsystemen, um die Substrattemperatur und den Prozesskammerdruck jederzeit genau zu überwachen. Darüber hinaus ermöglichen die Lastverriegelungskammern des ACP RP das automatische Be- und Entladen von Wafern aus den Waferhaltern, ohne die Prozessqualität zu beeinträchtigen. Dies trägt dazu bei, einheitliche Prozessergebnisse zu gewährleisten und gleichzeitig die beim manuellen Be- und Entladen auftretenden Trümmer zu beseitigen. Darüber hinaus ermöglicht der modulare Aufbau des ACP RP den Austausch von Waferhaltern und das Waferhandling des Reaktors kann an die Geräteanforderungen angepasst werden. Centura ACP RP bietet hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit mit Erträgen, die die Industriestandards übertreffen. Mit seinem hohen Durchsatz, geringen Platzbedarf und fortschrittlichen Prozesssteuerungsfunktionen ist das ACP RP die perfekte Wahl für anspruchsvolle Halbleiterproduktionsumgebungen.
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