Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9168768 zu verkaufen

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ID: 9168768
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2008
EPI System, 12" Includes: HDD Factory interface options: Wafer transfer robot: YASKAWA Robot Load port types: TDK25 Wafer FOUP V2 (3) Loadports Power supply: FFU 208 VAC Controller 110 VAC ULPA Filter: PTFE Boron free ULPA Orienter: Pre aligner End effecter: Edge grip PEEK material Remote options: Monitor 1: 17" Flat panel with keyboard on ergo arm Mainframe options: Mainframe type: ACP BLOCK 2 Loadlocks: Batch loadlock Chamber interface: Vented stainless steel insert and door with viton DVR Record license Water hose fittings: Yes Water module stand: Yes Upper frame H2 leak detector: Yes Chamber A/B: (RH3) Reduced pressure EPI Lamp type: USHIO BNA8 MFC: UNIT 8561 Pump purge: Yes Regulator and displays: Transducers and regulators Transducer display type: SI (KPA) H2 Leak detector: Single H2 50slm H2 10slm HCL 500sccm HCL 15slm SiH4 500sccm SiH2Cl2 500sccm GeH4 500sccm Direct dopant x 2 line Dopant mixer 2line Spare 1 line 100sccm Aux GeH4 line 100sccm Currently warehoused 2008 vintag
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RP (RapidPulse) Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Reaktor ist eine Hochleistungs-Mehrkammerplattform zur Abscheidung von dünnen Schichten für die Halbleiterherstellungsindustrie. AMAT Centura ACP RP ist in der Lage, eine Vielzahl von Materialschichten wie Oxide, Nitride, diamantartige sowie Dotierstoffe für den Geräteherstellungsprozess abzuscheiden. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura ACP RP verfügt über eine Einzel-Wafer-Reinigungszone und eine beheizte Elektronen-Zyklotron-Resonanz (ECR) -Quelle. Die Quelle erzeugt ionisierte Arten und Radikale, die das Substrat für eine optimale Oberflächenaktivierung und erhöhte Haftung bombardieren. Das ACP RP verfügt auch über ein fortschrittliches Prozesssystem mit überlegener Temperaturregelung, einheitlichen Folien und minimierter Prozesskomplexität. Es integriert HF-Suszeptor-Heizung und Kopfkühlung mit Präzisionstemperaturgenauigkeit, um die Gleichmäßigkeit zwischen Nanometerwerkzeugen und vollen Wafern zu erhalten. Der Reaktor wird mit einer breiten Palette von In-situ-Sensor- und Steuerungssystemen geliefert, einschließlich Plasmaemissionssensoren, Quadrantenteil-Drucksensoren, thermischen Sensoren, Ionenmessgeräten und dedizierten Prozessleitsystemen, um die Substrattemperatur und den Prozesskammerdruck jederzeit genau zu überwachen. Darüber hinaus ermöglichen die Lastverriegelungskammern des ACP RP das automatische Be- und Entladen von Wafern aus den Waferhaltern, ohne die Prozessqualität zu beeinträchtigen. Dies trägt dazu bei, einheitliche Prozessergebnisse zu gewährleisten und gleichzeitig die beim manuellen Be- und Entladen auftretenden Trümmer zu beseitigen. Darüber hinaus ermöglicht der modulare Aufbau des ACP RP den Austausch von Waferhaltern und das Waferhandling des Reaktors kann an die Geräteanforderungen angepasst werden. Centura ACP RP bietet hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit mit Erträgen, die die Industriestandards übertreffen. Mit seinem hohen Durchsatz, geringen Platzbedarf und fortschrittlichen Prozesssteuerungsfunktionen ist das ACP RP die perfekte Wahl für anspruchsvolle Halbleiterproduktionsumgebungen.
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