Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP #293592988 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP Reactor ist ein hochmodernes CVD-Werkzeug (Chemical Vapor Deposition), das das überlegene kantendefinierte Filmwachstum (EFG) von Dünnschichtmaterialien auf Substraten ermöglicht. Es ist ideal für Anwendungen in der Herstellung von kleinvolumigen, hochleistungsfähigen optischen, Halbleiter- und MEMS-Bauelementschichten. Der hocheffiziente und kostengünstige AMAT Centura ACP Reactor ermöglicht eine hohe Gleichmäßigkeit der Folien auf großen und kleinen Flächen und revolutioniert die Chipherstellung in der gesamten Branche. Das Herzstück von APPLIED MATERIALS Centura ACP Reactor ist eine neuartige hocheffiziente direkte Plasmaquelle, die die Prozesskontrolle maximiert und gleichzeitig die Ungleichmäßigkeit des Films minimiert, selbst bei schnellen Wafer-Scan-Raten. Dies ist auf seinen geringen Gasfluss zurückzuführen, der ein räumlich lokalisiertes Filmwachstum und eine verbesserte Abscheideregulierung für gleichmäßige Abscheidungsprofile ermöglicht. Diese komplexe Einbindung von Technologie bietet präzisere und wirtschaftlichere EFG-Fähigkeiten als alle vorhandenen Geräte. Centura ACP ist darüber hinaus mit einer responsiven In-Situ Etch (I-S-E) -Fähigkeit ausgestattet, die die Herstellung komplexer Prozesskomponenten und Dünnschichtschichten vor Ort ermöglicht. Es bietet hocheffiziente Ätz-, Abscheide- und Oberflächenmodifizierungstechniken in einem System, wodurch kostspielige und oft zeitaufwändige Ätzungen entfallen. Darüber hinaus ist AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP mit einer fortschrittlichen Gasflaschenhalterung ausgestattet, die einen sicheren und einfachen Zugang zu mehreren Reagenzien bietet. Weitere innovative Merkmale von AMAT Centura ACP Reactor sind die neue patentierte Substrathalterung mit optimaler thermischer Stabilität und minimalem Wärmeverlust. Dadurch werden thermische Gradienten minimiert und eine Gleichmäßigkeit beim Filmwachstum gewährleistet, ohne dass aufwendige Wärmemanagementsysteme erforderlich sind. Darüber hinaus ist die Maschine mit einer patentierten In- und Out-of-Chamber (IOCC) Mischkammer und Gasmischtechnik ausgestattet. Dies ermöglicht eine präzise Gasmischung und -abgabe in der Filmwachstumszone, wodurch eine Reihe von Gaskonzentrationen und eine Steuerung der Filmwachstumsraten möglich sind. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura ACP Reactor ist ein beeindruckender Fortschritt in der CVD-Technologie. Durch eine Reihe von innovativen Funktionen ermöglicht es effiziente und zuverlässige Gleichmäßigkeit und Leistung auf großen und kleinen Flächen. Es eignet sich ideal für Anwendungen bei der Herstellung von Halbleiter-, MEM- und optischen Dünnschichtbauelementen und ermöglicht eine schnellere, kostengünstigere Herstellung bei beispielloser Steuerung. Centura ACP Reactor wird ein Game-Changer in der Branche sein und die Chipherstellung durch fortschrittliche EFG-Technologie revolutionieren.