Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II Polysilicon #9208337 zu verkaufen

ID: 9208337
Wafergröße: 12"
Polysilicon etcher, 12" Wafer Size: Diameter: 300 +/- 0.05mm 775 +/- 25um Notch Carrier: FOUP With SEMI E47.1 (25 Wafers) Water leak detector Regulated N2 gas supply line Corrosion resistant FI & SWLL Heated SWLL With ceramic diffusers Transfer chamber: Accelerator Loadlock isolation / Slit valve: AP Chemraz 513 elastomer Atmospheric robot: KAWASAKI Single fixed robot with Edgegrip (3) Loadports Loadport type: Enhanced 25 wafer FOUP (3) Light towers EMO Type: Turn to release System monitor: Flat panel: Monitor 1 With keyboard on stand Monitor cable lengths: 25ft With 16ft effective IPUP Type: ALCATEL A100L / TOYOTA 0395-11103 Supporting remote units: Etch common AC rack (DPS II): Cutler hammer blue AC rack (19) Kits for AC rack Chillers (DPS II): (2) H2000 & (4) SMC496 Coolant: DIEG / Galden Chiller hose length: 75 Feet Hardware configuration: Process chamber: 1 - 4 DPS-II With AGN Chamber hardware assy: MS411037-XA-BMA1A (24 Kit assemblies) Endpoint type (Eye D IEP) Plasma state monitor ESC Type: ESC, ASSY, DPS2 Single ring: Ceramic single ring With (12) pockets TMP SHIMADZU 3400l: TMP 3000 l/s, BOC EDWARDS Upper chamber liner Lower chamber liner Inner SV door Tunable gas nozzlez: With ceramic weldment RF Generator: 3 kW / 13.56 MHz, DPS2 1 Bottom RF Generator: 1.5 kW / 13.56 MHz, DS2 2 Bottom Bias match: DPS2 Source match: DPS2 O-ring kit for process express: KALREZ 8085 ESR80WN: EABARA Gas box configuration: Gas line 1: Cl2 100 sccm GF125 Gas line 2: HCl 200 sccm GF125 Gas line 3: HBr 600 sccm AE-PN780CBA Gas line 4: SiF4 200 sccm GF125 Gas line 5: N2 200 sccm GF125 Gas line 6: O2 200 sccm GF125 Gas line 7: O2/He 50 sccm GF125 Gas line 8: SF6 200 sccm GF125 Gas line 9: SF6 50 sccm GF125 Gas line 10: CF4 200 sccm GF125 Gas line 11: CHF3 200 sccm GF125 Gas line 12: Ar 400 sccm GF125 Gas panel: Standard Process kit configuration: Consumables Gas weldment O-ring: 250 rf Hours Swap parts Missing parts: Qty / Description / P/N (1) / View window / 0200-36461 (1) / 10 torr Gauge / 135-00013 (1) / Ion gauge / 3310-0006 (1) / Bias match / 0190-03009 (1) / HV / 0090-00865 (1) / Foreline gauge / 1350-01232 (1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021 (1) / Monochrometer EPD / 0010-05478 (1) / Slit door irons / 0020-64587 (1) / Slit door bellow / 0040-76767 (1) / NA Heated weldment tee KF 40 warranty / 0190-23502 (1) / Heated weldment 7.09 KF 40 R warranty / 0190-23503 (1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021 (1) / Ion gauge / 3310-00006 (1) / Heated weldment 7.09 kf 40 r warranty / 0190-23503 (1) / Ion gauge ISO valve / 3870-00021 (1) / Ion gauge / 3310-00006 (1) / Bias match / 0190-03009 (1) / Foreline gauge / 1350-01232 (1) / HV / 0090-00865 (1) / MF Robot driver / 0190-17853 (3) / E84 Cables (2) / Special gas pipes Qty / Chamber / Description (1) / CHA / Pressure switch 10 torr (1) / CHB / Check valve (1) / CHB / Pressure switch 10 torr (1) / CHC / Pressure switch 10 torr (1) / CHC / Check valve (1) / CHC / View port window.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II Polysilicon Reactor ist eine fortschrittliche Produktionsausrüstung für die Herstellung von hochreinem Polysilizium für die Halbleiterindustrie. Dieses ausgeklügelte System nutzt drei unterschiedliche Prozessausführungen - Argon Plasma Doping (APD), Charge Floating Layer (CFL) und Silizium Implantation (SI) - um ein optimales Reinheitsniveau im produzierten Polysilizium zu erreichen. Das APD-Verfahren nutzt die Argon-Plasma-Dotierungstechnologie, die Arsen oder Phosphor-Dotierstoffe in die Oberfläche des Polysilizium-Wafers einführt, was eine Änderung der Leitfähigkeit und eine präzise Kontrolle der elektronischen Eigenschaften des Materials ermöglicht. Das CFL-Verfahren nutzt eine Floating Charge Layer (FCL) zur Regulierung der Dotierstoffbewegung, die Flexibilität bei der Dotierstoffauswahl und verbesserte Prozesskontrolle bietet. Schließlich verwendet das SI-Verfahren einen Ionenimplantationsprozess, um eine einzigartige Substratoberfläche in eine Polysiliziumscheibe einzuführen, die eine genaue Kontrolle über ihre elektrischen Eigenschaften und eine verbesserte Waferqualität bietet. Der AMAT Centura AP DPS II Polysiliziumreaktor wurde entwickelt, um einen Hochgeschwindigkeits-Mehrkammeransatz zur Herstellung von Polysilizium zu ermöglichen, der eine gleichzeitige Verarbeitung von bis zu sechs Vollgrößen pro Stunde ermöglicht. Dies macht es ideal für große Produktionsanforderungen. Mit seiner Anpassungsfähigkeit können Benutzer das Gerät konfigurieren, um eine Vielzahl von Ausgabespezifikationen zu erstellen, wie z. B. wie gewachsene Trägerkonzentrationen, schnelles thermisches Glühen (RTA) und Polysiliziumabscheidung. Dies ermöglicht weitere beschleunigte Bearbeitungszeiten. Die Maschine ist mit sechs Schlüsselkomponenten integriert: 1) ein Gasförderwerkzeug; 2) ein Vakuumgut; 3) ein Kontaminationskontrollmodell; 4) eine Prozesskammer; 5) eine Elektronikeinheit und 6) eine Mikrokaschiereinrichtung. Das Gasfördersystem sorgt dafür, dass alle notwendigen Gase und Dotierstoffe sicher und effizient zugeführt werden. Die Vakuumanlage entfernt flüchtige Verunreinigungen aus der Umgebung und steuert den Druck der Maschine. Das Kontaminationskontrollwerkzeug umfasst fortschrittliche Waschtechnologie zur Reinigung der Umwelt vor und nach jedem Verfahren. Die Prozesskammer ist darauf ausgelegt, die Stoffe auf dem erforderlichen Temperatur- und Druckniveau zu halten und eine wirklich saubere Umgebung zu bieten. Die Elektronikeinheit überwacht und erfasst alle Asset-Vorgänge sowie eine Vielzahl von Modellsteuerungsfunktionen. Schließlich ermöglicht die Mikrokaschierausrüstung eine genaue Materialabscheidung und -kontrolle. Zusammenfassend ist APPLIED MATERIALS Centura AP DPS II Polysilicon Reactor ein fortschrittliches Produktionssystem für die Halbleiterindustrie. Es nutzt drei verschiedene Prozeßausführungen - Argon-Plasma-Dotierung (APD), Ladung schwimmende Schicht (CFL) und Silizium-Implantation (SI) - um eine optimale Reinheit des produzierten Polysiliziums zu erreichen. Das Gerät ist in der Lage, bis zu sechs Wafer in voller Größe pro Stunde zu produzieren, und kann für eine Vielzahl von Wafer Spezifikationen angepasst werden. Die Maschine ist weiter integriert mit sechs Schlüsselkomponenten - Gasförderwerkzeug, Vakuumanlage, Verschmutzungssteuerungsmodell, Prozesskammer, Elektronikeinheit und Mikro-Laminiergerät - um höchste Qualität und Effizienz zu erreichen.
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