Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS II #9189888 zu verkaufen
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ID: 9189888
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2006
Metal etcher, 12"
Chamber configuration:
(3) DPS II
Axiom
Chamber configuration:
Chamber A:
Chamber model: DPS II
Bias generator: AE APEX 1513, 13.56 MHz, maximum 1500 W
Bias match: AE 13.56 MHz,3 kV navigat
Source generator: AE APEX 3013, 13.56 MHz, maximum 3000 W
Source match: AE 13.56 MHz,6 kV navigat
Lid: Ceramic lid, Single gas nozzle
Turbo pump: STP-A2503PV
Throttle valve: VAT Pendulum valve DN-250
ESC: Dual zone ceramic ESC
Endpoint type: Monochromator
Cathode chiller: SMC POU
Wall chiller: SMC INR-496-016C
Process kits coating: Anodize coating
Cooling: HT 200 / FC 40
Chamber B:
Cathode chiller: SMC POU
Chamber C:
Cathode chiller: SMC POU
Wall chiller: SMC INR-496-016C
Mainframe configuration:
IPUP Type: ALCATEL A100L
Gas panel type: NextGen
VHP Robot: Dual blade
MF PC Type: CPCI
Factory interface configuration:
Frontend PC type: 306 Server
FIC PC type: 306 Server
(3) Load ports
Atmospheric robot: Yaskawa track robot
Side storage: Right side
MFC Configuration:
Chamber A:
Gas line Gas name Max flow MFC Type
Gas 1 BCL3 200 ARGD40W1
Gas 2 C2H4/HE 400 AAPGD40W1
Gas 3 NF3 200 AAPGD40W1
Gas 4 CL2 400 SC-24
Gas 5 N2_50 50 AAMGD40W1
Gas 6 N2_300 300 AAPGD40W1
Gas 7 CF4 100 AAPGD40W1
Gas 8 O2 1000 AASGD40W1
Gas 9 SF6 100 AAPGD40W1
Gas 10 CHF3 50 AANGD40W1
Gas 12 AR 400 AAPGD40W1
Chamber B:
Gas line Gas name Max flow MFC Type
Gas 1 BCL3 200 AARGD40W1
Gas 2 C2H4/HE 400 AAPGD40W1
Gas 3 NF3 200 AAPGD40W1
Gas 4 CL2 400 AARGD40W1
Gas 5 N2_50 50 AAMGD40W1
Gas 6 N2_300 300 AAPGD40W1
Gas 7 CF4 100 AAPGD40W1
Gas 8 O2 1000 AASGD40W1
Gas 9 SF6 100 AAPGD40W1
Gas 10 CHF3 50 AANGD40W1
Gas 12 AR 400 AAPGD40W1
Chamber C:
Gas line Gas name Max flow MFC Type
Gas 1 BCL3 200 AARGD40W1
Gas 2 C2H4/HE 400 AAPGD40W1
Gas 3 NF3 200 AAPGD40W1
Gas 4 CL2 400 AARGD40W1
Gas 5 N2_50 50 AAMGD40W1
Gas 6 N2_300 300 AAPGD40W1
Gas 7 CF4 100 AAPGD40W1
Gas 8 O2 1000 AASGD40W1
Gas 9 SF6 100 AAPGD40W1
Gas 10 CHF3 50 AANGD40W1
Gas 12 AR 400 AAPGD40W1
2006 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS II ist ein hochenergetischer Hochdurchsatz-Plasmaätzreaktor, der speziell für die Herstellung von Halbleiterbauelementen entwickelt wurde. Die Ätzrate von AMAT Centura DPS II gehört zu den höchsten verfügbaren auf dem Markt. Diese Fähigkeit ermöglicht es Herstellern, Zykluszeiten zu reduzieren und den Produktionsdurchsatz zu erhöhen. Der Reaktor kann auch die Temperatur des Substrats während des Ätzens senken, wodurch die strukturelle Integrität des Halbleiterbauelements erhalten bleibt. ANGEWANDTE MATERIALIEN CENTURA DPS + II wird von der AMAT High Density Plasma (HDP) Technologie angetrieben und bietet eine überlegene Gleichmäßigkeit über die gesamte Substratoberfläche und eine ausgezeichnete Ätzselektivität. Diese überlegene Kontrolle plasmagenerierter Spezies reduziert auch die Defektdichte auf dem Substrat. Die HDP-Quelle des Reaktors verfügt über eine leistungsarme, gepulste Elektronenquelle und mehrere induktiv gekoppelte Plasmaquellen mit integrierten Gassteuerungssystemen, die eine große Flexibilität bei Substratätzprozessen bieten. Centura DPS II hat eine maximale Substratgröße von 200mmx200mm. Es bietet auch variable Drucksteuerung, Vakuum-Auspuff und einstellbare Prozesstemperatur, so dass fein abgestimmte Plasmaprozess Bedingungen. Darüber hinaus kann der Reaktor so abgestimmt werden, dass flache Gräben, schmale Zellen und andere herausfordernde Funktionen optimiert werden, die einen geringen Ionen- oder Laserätzschaden erfordern. Das Plattformdesign mit geschlossener Patrone trägt dazu bei, das Prozessgas sauber zu halten und die Fehlerbildung weiter zu reduzieren. Die große PDLT-Zelle und das ionenarme Kammerdesign minimieren zudem die Verarbeitungszeit und maximieren den Produktionsdurchsatz. Schließlich ermöglicht APPLIED MATERIALS Prozessüberwachungs- und Optimierungssoftware zuverlässige und wiederholbare Prozessergebnisse, die den strengsten Industriestandards entsprechen.
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