Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9174380 zu verkaufen

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ID: 9174380
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1996
CVD Nitride system, 8" Process: DCVD Wafer specification: Wafer shape: Notch SMIF Interface: None System information: Chamber A Chamber B Chamber D Chamber E (MS COOL) Chamber type: Chamber A: DxZ Chamber B: DxZ Chamber C: DxZ Chamber A: Manometer: 100/2 Heater: AL Clean method: AE 2000-2V Pressure method: Direct drive throttle valve Chamber B: Manometer: 100/2 Heater: AL Clean method: AE 2000-2V Pressure method: Direct drive throttle valve Chamber D: Manometer: 100/2 Heater: AL Clean method: AE 2000-2V Pressure method: Direct drive throttle valve System monitor: Monitor 1: Through the wall Monitor 2: Stand alone Mainframe information: Loadlock: Narrow body Robot type: HP OTF: Yes Gas delivery option: MFC Type: Unit MFCs Filters: Millipore Regulators: Veriflo Single line drop (SLD): Yes System cabinet exhaust: Top Gas pallet configuration: Chamber A Size Model SiH4 500sccm Stec MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NF3 1 Slm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs Chamber B Size Model SiH4 500sccm Stec MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NF3 2 slm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs Chamber D Size Model SiH4 500sccm Stec MFCs NH3 200sccm Unit MFCs NF3 1 Slm Unit MFCs N2O 500sccm Unit MFCs N2 5 Slm Unit MFCs 1996 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ ist ein hochspezialisierter Hochtemperaturreaktor für die fortschrittliche Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen. Diese vollautomatisierte CVD-Anlage bearbeitet gleichzeitig Wafer in einer einzigen Kammer mit der Fähigkeit, Produktionslaufmengen von bis zu 200 Wafern zu verarbeiten. Der Reaktor bietet eine Reihe von Ofentemperaturen für mehr Flexibilität bei der Programmierung und ansonsten für einheitliche Abscheidungsprozesse. Seine außergewöhnliche Temperaturgleichmäßigkeit von Rand zu Rand und von der Ober- zur Unterseite des Substrats ermöglicht eine verbesserte Konsistenz in der Geräteherstellung. Das System ist mit einer Reihe fortschrittlicher Funktionen und Fähigkeiten ausgestattet, darunter ein Quarz Crystal Microbalance (QCM) Monitor, ein Quarzreflexionsmonitor, ein O-Ring-Dichtungsdesign, Gashandlingfunktionen und eine Waferträgereinheit. Der QCM-Monitor bietet Informationen zur Echtzeitabscheidung und Wachstumsrate, während der Quarzreflexionsmonitor die Gleichmäßigkeit der Filmdicke während der Abscheidung gewährleistet. Die O-Ring-Dichtung unterstützt den effizienten und kontrollierten Prozess des Einbringens der notwendigen Gase in die Reaktionskammer, während die Gashandhabungsmerkmale es dem Reaktor ermöglichen, ideale Gaskonzentrationsverhältnisse aufrechtzuerhalten. Schließlich sorgt die integrierte Waferträgermaschine dafür, dass Wafer während des Abscheideprozesses unbeweglich bleiben. Das leistungsstarke Plasma-Tool AMAT Centura DxZ liefert fünf PVT-Alternativmodule für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter thermische Oxidation, Trockenätzen und plasmaverbesserte Abscheidung. Die fortschrittliche Advanced Glove Box Gas Mixing-Fähigkeit ermöglicht eine präzise Kontrolle der gelieferten Gase, einschließlich ihrer Durchflussrate und Konzentrationsstufen. Mit seinem Hochdruckbetrieb, seiner ungleichen Temperaturgleichförmigkeit und seiner Fähigkeit, eine breite Palette von Wafergrößen zu verarbeiten, ist das Kapital ideal für die Herstellung einer Vielzahl fortschrittlicher Halbleiterbauelemente. Die APPLIED MATERIALS Centura DxZ eignet sich perfekt für die anspruchsvollen Anforderungen der Herstellung von Verbundhalbleiterbauelementen und verfügt über modernste Hardware-Engineering, ein robustes Design und eine Reihe fortschrittlicher Prozessoptionen. Dieser Weltklasse-Reaktor ist in der Lage, zuverlässig und konsequent qualitativ hochwertige Verbindungshalbleiterbauelemente herzustellen und gleichzeitig Zeit und Ressourcen für Hersteller und Entwickler gleichermaßen zu sparen.
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