Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9176687 zu verkaufen

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ID: 9176687
Chamber, 8" Wafer shape: SNNF Chamber type: PE TEOS DxZ (Delta MF oxide) Chamber B: Frequency type: Mixed Heater: 0010-050254 Manometer type: Single 100 torr Throttle valve: Dual spring Chamber O-ring: Chemraz Cover plate: Dimpled Clean method: RF Endpoint detector: Chamber Gas delivery option: Single line drop: No Valve: FUJIKIN 5 Ramax Filter: Millipore Ni 10 Ramax MFC: STEC 4400 MC Regulator: Verfilo Transducer: MKS with display Display gas pallet: Yes Gas pallet: Line 4: N2 Purge Line 5: N2 Purge Line 6: NF3 300 sccm Line 7: C2F6 2 SLM Line 8: O2 3 SLM Line 9: N2 1 SLM Liquid sources: TEOS Delivery type: EPLIS MFO Type: Unit 1661C TEOS LFM: 1.5 QFM LFM maker: STEC Carrier 1: HE 3 SLM Cable length: Controller signal cable: 25ft RF coaxial cable: 50ft Pump signal cable: 50ft RF generators: HF RF generator: AE RFG 2000-2V LF RF generator: AE PDX 900-2V.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ Reactor ist eine fortschrittliche, in-situ, High-Temperature Chemical Vapor Deposition (CVD) -Ausrüstung zur Verarbeitung von Silizium und Verbundhalbleitermaterialien für die fortschrittliche Geräteherstellung. Es ist für den Einsatz im Herstellungsprozess und für Forschungs- und Entwicklungslabore gebaut. Das System verfügt über eine vakuumdichte, modulare Kammer und ist mit Temperatur- und Gaskontrollen sowie Probenhandhabung und In-situ-Diagnosefunktionen ausgestattet. AMAT Centura DxZ Reactor ist in der Lage, sowohl Silizium als auch Verbundhalbleitermaterialien zu verarbeiten und kann als Single-Wafer- oder Batch-Prozesswerkzeug konfiguriert werden. Das Gerät ist auch mit fortschrittlichen, hocheffizienten Turbomolekularpumpen ausgestattet, die Hochvakuumdrücke mit einer Nennleistung von 2x10-4Torr liefern können. Die Maschine ist für die Verarbeitung von Silizium- und komplexen Verbundhalbleiterfilmen bei Temperaturen bis zu 1050 ° C ausgelegt und kann mit optionalen Laserheizsystemen und Probenchucks konfiguriert werden, um höhere Temperaturen zu erreichen. Die umweltgerechte Kammer ermöglicht eine stabile Prozesstemperatur und Gasregelung, was zu einer verbesserten Prozessgleichförmigkeit und reduzierter thermischer Drift bei einer Temperaturgleichförmigkeit von ± 3 ° C in einer 675 ° C-Kammer führt. Das Werkzeug ist in der Lage, präzise Gasströmungssteuerung und reine Gasförderung für bis zu 8 Gase, mit individueller Strömungssteuerung für bis zu 8 Zonen, sowie Chargenprozessfähigkeit für verbesserte Prozessgleichförmigkeit und verringerte Gefahr von Folienverunreinigungen. Das Asset ist auch mit In-situ-Diagnose und einem Closed-Loop-Feedback-Modell ausgestattet, das die Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit der Prozesse gewährleistet. Dieses Feedback-Gerät kann den gesamten Prozess genau überwachen, aufzeichnen und steuern, während die In-situ-Diagnose in der Lage ist, die Filmdicke und andere Parameter zu messen, zu überwachen und zu steuern. Das System ist auch in der Lage, zusätzliche, unterschiedliche cuicuy Verfahren, wie Epitaxie-Abscheidung durchzuführen, um gewünschte Materialeigenschaften in komplexen Schichten von Halbleiterfilmen zu erreichen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura DxZ Reactor ist sowohl für die Produktion als auch für die Forschung konzipiert und bietet leistungsstarke Prozessfähigkeiten, Einheitlichkeit und Wiederholbarkeit für eine Reihe von Anwendungen und Forschungsanforderungen, einschließlich fortschrittlicher Geräteherstellung, Dünnschichtsolarzellen und vieles mehr. Mit seinen Fähigkeiten wird erwartet, dass das Gerät die Filmabscheidungsergebnisse und -genauigkeit deutlich verbessert, Kosten reduziert und die Geräteerträge erhöht.
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