Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9176687 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9176687
Chamber, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber type:
PE TEOS DxZ (Delta MF oxide)
Chamber B:
Frequency type: Mixed
Heater: 0010-050254
Manometer type: Single 100 torr
Throttle valve: Dual spring
Chamber O-ring: Chemraz
Cover plate: Dimpled
Clean method: RF
Endpoint detector: Chamber
Gas delivery option:
Single line drop: No
Valve: FUJIKIN 5 Ramax
Filter: Millipore Ni 10 Ramax
MFC: STEC 4400 MC
Regulator: Verfilo
Transducer: MKS with display
Display gas pallet: Yes
Gas pallet:
Line 4: N2 Purge
Line 5: N2 Purge
Line 6: NF3 300 sccm
Line 7: C2F6 2 SLM
Line 8: O2 3 SLM
Line 9: N2 1 SLM
Liquid sources:
TEOS Delivery type: EPLIS
MFO Type: Unit 1661C
TEOS LFM: 1.5 QFM
LFM maker: STEC
Carrier 1: HE 3 SLM
Cable length:
Controller signal cable: 25ft
RF coaxial cable: 50ft
Pump signal cable: 50ft
RF generators:
HF RF generator: AE RFG 2000-2V
LF RF generator: AE PDX 900-2V.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ Reactor ist eine fortschrittliche, in-situ, High-Temperature Chemical Vapor Deposition (CVD) -Ausrüstung zur Verarbeitung von Silizium und Verbundhalbleitermaterialien für die fortschrittliche Geräteherstellung. Es ist für den Einsatz im Herstellungsprozess und für Forschungs- und Entwicklungslabore gebaut. Das System verfügt über eine vakuumdichte, modulare Kammer und ist mit Temperatur- und Gaskontrollen sowie Probenhandhabung und In-situ-Diagnosefunktionen ausgestattet. AMAT Centura DxZ Reactor ist in der Lage, sowohl Silizium als auch Verbundhalbleitermaterialien zu verarbeiten und kann als Single-Wafer- oder Batch-Prozesswerkzeug konfiguriert werden. Das Gerät ist auch mit fortschrittlichen, hocheffizienten Turbomolekularpumpen ausgestattet, die Hochvakuumdrücke mit einer Nennleistung von 2x10-4Torr liefern können. Die Maschine ist für die Verarbeitung von Silizium- und komplexen Verbundhalbleiterfilmen bei Temperaturen bis zu 1050 ° C ausgelegt und kann mit optionalen Laserheizsystemen und Probenchucks konfiguriert werden, um höhere Temperaturen zu erreichen. Die umweltgerechte Kammer ermöglicht eine stabile Prozesstemperatur und Gasregelung, was zu einer verbesserten Prozessgleichförmigkeit und reduzierter thermischer Drift bei einer Temperaturgleichförmigkeit von ± 3 ° C in einer 675 ° C-Kammer führt. Das Werkzeug ist in der Lage, präzise Gasströmungssteuerung und reine Gasförderung für bis zu 8 Gase, mit individueller Strömungssteuerung für bis zu 8 Zonen, sowie Chargenprozessfähigkeit für verbesserte Prozessgleichförmigkeit und verringerte Gefahr von Folienverunreinigungen. Das Asset ist auch mit In-situ-Diagnose und einem Closed-Loop-Feedback-Modell ausgestattet, das die Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit der Prozesse gewährleistet. Dieses Feedback-Gerät kann den gesamten Prozess genau überwachen, aufzeichnen und steuern, während die In-situ-Diagnose in der Lage ist, die Filmdicke und andere Parameter zu messen, zu überwachen und zu steuern. Das System ist auch in der Lage, zusätzliche, unterschiedliche cuicuy Verfahren, wie Epitaxie-Abscheidung durchzuführen, um gewünschte Materialeigenschaften in komplexen Schichten von Halbleiterfilmen zu erreichen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura DxZ Reactor ist sowohl für die Produktion als auch für die Forschung konzipiert und bietet leistungsstarke Prozessfähigkeiten, Einheitlichkeit und Wiederholbarkeit für eine Reihe von Anwendungen und Forschungsanforderungen, einschließlich fortschrittlicher Geräteherstellung, Dünnschichtsolarzellen und vieles mehr. Mit seinen Fähigkeiten wird erwartet, dass das Gerät die Filmabscheidungsergebnisse und -genauigkeit deutlich verbessert, Kosten reduziert und die Geräteerträge erhöht.
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