Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA ENABLER E2 #9249293 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA ENABLER E2 Reaktor ist ein Hochleistungs-Molekularstrahl Epitaxie (MBE) Werkzeug. Es wurde entwickelt, um das Wachstum hochwertiger Dünnschichtmaterialien mit beispielloser Genauigkeit und Reproduzierbarkeit zu fördern. Der E2-Reaktor verfügt über die patentierte Field Modulation Expansion (FME) -Struktur, die die Stabilität des wachsenden Prozesses durch die Einführung von Wechselpotenzialen zwischen Substraten erhöhen soll. Der E2-Reaktor verfügt auch über Substrate Rotation Control (SRC) -Technologie, um eine reibungslose und reproduzierbare Substratrotation zu gewährleisten und ist mit 8 „- und 4“ -Substraten kompatibel. Der E2-Reaktor hat einen maximalen Temperaturbereich von bis zu 970 ° C und bietet einen hochpräzisen Analysator für kinetische Energie zur genauen Detektion und Analyse von MBE-gewachsenen Schichtproben. Darüber hinaus ermöglicht der E2-Reaktor erweiterte Oxidationsprozesse bis 1000 ° C Prozesstemperaturen bei schneller Ansprechzeit. Der E2-Reaktor verfügt auch über einen erweiterten programmierbaren elektrisch verstellbaren Verschluss, der zum Umschalten zwischen den verschiedenen MBE-Quellen auf dem System verwendet werden kann. Der Verschluss ermöglicht auch den gleichzeitigen Einsatz mehrerer MBE-Quellen während des Wachstumsprozesses. Dadurch kann das System zum Anbau mehrerer Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften verwendet werden, um die Entwicklung neuer und einzigartiger Materialien zu erleichtern. Der E2 bietet eine hochpräzise Temperaturregelung mit fortschrittlichen Thermoelementen zur präzisen Temperaturregelung bei schneller Reaktionszeit. Dieses Merkmal gewährleistet eine einheitliche und wiederholbare Temperaturregelung für jeden Wachstumsprozess. Zusätzlich können die Temperaturregeleinstellungen auf unterschiedliche Wachstumsprozesse zugeschnitten werden. Der E2-Reaktor verfügt außerdem über eine speziell konstruierte Kammer zur Bereitstellung einer Niederdruckumgebung, die für Molekularstrahl-Epitaxieprozesse geeignet ist. Die Kammer ist zur Minimierung von Verschmutzungen ausgelegt und kann Bodendrücke von bis zu 10-8 Torr aufrechterhalten. Ein leicht zugänglicher Kammeranschluss ermöglicht den Anwendern dabei den Zugang zur Wachstumskammer. Abschließend ist der AMAT CENTURA ENABLER E2 Reaktor ein Hochleistungs-MBE-System, das entwickelt wurde, um hochwertige Dünnschichtmaterialien anzubauen und zu analysieren. Der Reaktor verfügt über eine Reihe fortschrittlicher Technologien, um genaue, wiederholbare Wachstumsprozesse und die Fähigkeit zu gewährleisten, mehrere Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften zu wachsen. Die hochpräzise Temperaturregelung und die Niederdruckumgebung machen den E2 zu einem idealen Werkzeug für Molekularstrahl-Epitaxieanwendungen.