Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Epi #9155788 zu verkaufen

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ID: 9155788
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1996
Reactor, 8" (2) ATM Chambers 1996 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Epi ist ein hochmoderner Epitaxiereaktor, der für überlegene Wafer-zu-Wafer-Konsistenz und überlegene Gleichmäßigkeit ausgelegt ist. Er ist einer der anwendbarsten und vielseitigsten Epitaxiereaktor für die Herstellung von Verbindungshalbleiterbauelementen und -materialien. Der AMAT Centura Epi Reaktor ist so konzipiert, dass er sehr zuverlässig ist und gleichmäßige und gleichmäßige Epitaxiefolien über eine Vielzahl von Temperaturen und Prozessbedingungen erzeugt. Zu den Hauptkomponenten der Reaktorausrüstung von APPLIED MATERIALS Centura Epi gehören ein Substratwafer, eine Epikammer und die zugehörige Prozesskammer, in der der komplette Epitaxieprozess stattfindet. Die Substratscheibe wird in der epi-Kammer in einer beheizten Vakuumumgebung aufgehängt und erwärmt. Die Prozesskammer verwendet mehrere Brauseköpfe und ein Ofen sorgt für eine gleichmäßige Gas- und Gasmischung, gefolgt von einem stufenweisen Erguss der erforderlichen Materialkombinationen zu einer epitaktischen Schicht auf der Substratscheibe. Centura Epi-Verfahren ist in der Lage, Wafertemperatur und epitaktische Wachstumsrate (EBR) unter einem breiten Spektrum von Bedingungen genau zu steuern, so dass die Gleichmäßigkeit der Folie und die höchste Qualität der epitaktischen Filme gewährleistet sind. Darüber hinaus bietet das Reaktorsystem Centura Epi von AMAT/APPLIED MATERIALS eine hervorragende Wafer-zu-Wafer-Konsistenz, die durch eine fortschrittliche Temperaturregelung, genaue Gasmischung und Produktrückverfolgbarkeit geschützt ist. Damit das Gerät optimal arbeiten kann, ist der AMAT Centura Epi Reaktor mit einem Satz fortschrittlicher Optik, d.h. einem Ofen, einer Infrarot-Bildverarbeitungsmaschine und einem CCD-Bildverarbeitungswerkzeug, ausgelegt. Der Ofen ist mit einem Hochtemperatur-Quarzkristallfenster zur direkten Beobachtung des epitaktischen Wachstumsprozesses ausgestattet. Die Infrarot-Bildgebung ermöglicht eine genaue Überwachung der Substrattemperatur, während das CCD-Bildgebungsmodell verwendet wird, um den aktiven epitaktischen Wachstumsprozess aufzuzeichnen. Die Temperatur der Centura Epi-Kammer von APPLIED MATERIALS kann fern- oder manuell mit einem programmierbaren Satz von Temperatursollwerten überwacht und gesteuert werden. Die Temperaturstabilität der Anlage wird durch den Zusatz eines Heizelementes weiter verbessert, das die Temperatur der Epikammer auch bei schnellen Wachstumsänderungen (z.B. plötzliche Temperaturerhöhungen) halten kann. Insgesamt ist der Centura Epi Reaktor ein vielseitiges und äußerst zuverlässiges Epitaxiesystem, das in der Lage ist, hochwertige Epitaxiefolien mit überlegener Gleichmäßigkeit und Wafer-zu-Wafer-Konsistenz zu produzieren. Mit seiner fortschrittlichen Optik, Temperaturregelung und Prozessflexibilität ist der Centura Epi Reaktor AMAT/APPLIED MATERIALS als Industriestandard für Hochleistungs-Epitaxiefolien weit verbreitet.
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