Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Epi #9249281 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9249281
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2002
System, 12"
Platform type: Centura, 12"
(2) Chambers
System configuration:
Application level 1: Reduced pressure
Application level 2: Reduced pressure
Chamber A: (RH3) Reduced pressure EPI
Chamber B: (RH3) Reduced pressure EPI
Electrical: SEMI
Chamber A:
Thickness control option: AccuSETT 2
Recipe control AccuSETT
Lamp type: USHIO BNA8
Chamber B:
Thickness control option: AccuSETT 2
Recipe control AccuSETT
Lamp type: USHIO BNA8
Gas delivery
Pump purge
Transducer display type: SI (KPA)
Single H2 leak detector
Gas pallet:
Slots / Chamber A / Chamber B
Slot 1 / N2 / N2
Slot 2 / HCL / HCL
Slot 3 / SiH4 / SiH4
Slot 5 / Si2H6 / D-DOP#1
Slot 6 / HCL / D-DOP#2
Slot 7 / DCS / DCS
Slot 8 / GeH4 / GeH4
Slot 9 / M-DOP#1 / M-DOP#1
Slot 10 / M-DOP#2 / M-DOP#2
Main frame:
Type: STD Centura
Batch loadlocks
Upper frame H2 leak detector
Mass flow verification
YASUKAWA Wafer transfer robot
Pre aligner orienter
End effecter: Edge grip peek material
2 Slots wafer storage
Wafer mapping: LED Sensor detector
(2) Load parts
2002 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Epi Reactor ist eine hochentwickelte Ausrüstung zur präzisen Abscheidung und Verarbeitung von epitaktischen Oxidschichten während der Herstellung von Halbleiterbauelementen. AMAT Centura Epi Reactor ist mit einem Gasfördersystem und einer Vakuumkammer ausgestattet, die eine präzise Gleichmäßigkeit und präzise Konformität im gesamten bearbeiteten Bereich erreichen soll. Die Kammer verfügt über eine mehrstufige Automatisierungsfähigkeit, die eine Vielzahl von Prozessrezepten für verschiedene epitaktische Oxidschichten ermöglicht. Der EPI-Reaktor von Centura kann verwendet werden, um die Wachstumsrate zu maximieren und die Fehlerdichte zu minimieren, um glatteste, dichteste und gleichmäßigste epitaktische Oxidschichten zu erhalten. Die globale Einheitlichkeit des Endprodukts gewährleistet eine robuste und zuverlässige Geräteleistung. Diese Gleichmäßigkeit wird durch die Kombination aus überlegener Prozessautomatisierung und fortschrittlicher Abscheidemechanik erreicht, was die gesamte Prozesszeit verkürzen kann. Der EPI-Reaktor von Centura ist mit einer erweiterten Impedanzkopplungssteuerung durch vierstufig modulierte HF-Quellen ausgestattet, die eine präzise Kontrolle über die Dicke und Gleichmäßigkeit der epitaktischen Oxidschicht ermöglichen. Die fortschrittliche Modulation bedeutet, dass die Einheit die Reaktionstemperatur und den Druck sowie andere Eigenschaften wie Brechungsindex, Wellenleiterdispersion und Absorption genau steuern kann. Dies ermöglicht optimale Wachstumsraten und Dicken während der Verarbeitung. Neben der fortschrittlichen Abscheidemechanik ist der EPI-Reaktor der Centura mit einer Gasfördermaschine von bis zu fünf unabhängigen Gaseingangsleitungen ausgestattet. Dies ermöglicht die Abscheidung gleichmäßiger und konsistenter mehrschichtiger epitaktischer Oxidschichten. Beispielsweise kann mit einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle (ICP) ein Eingangsgas ionisiert und Gas exakt in die Reaktionskammer dosiert werden. Das ionisierte Gas reagiert dann mit den anderen Gasen zu der gewünschten epitaktischen Oxidschicht. Zusammenfassend ist APPLIED MATERIALS Centura Epi Reactor ein hochmodernes epitaktisches Oxidschichtabscheidungswerkzeug, das präzise und gleichmäßige epitaktische Oxidschichten liefert. Es wurde mit fortschrittlichen modulierten HF-Quellen, mehrstufiger Automatisierung und einer fortschrittlichen Gaslieferung entwickelt, um optimale Bedingungen für die epitaktische Oxidschichtabscheidung zu ermöglichen. Mit seiner fortschrittlichen Prozesssteuerung lassen sich in kürzerer Prozesszeit hochwertige epitaktische Oxidschichten erzielen.
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