Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II DPS #115097 zu verkaufen

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ID: 115097
Poly etch system Wafer Shape: SNNF (Notch) Centura II M/F: Robot: HP+ Wafer on Blade Detect Umbilicals : Cntrl M/F: 40ft Cntrl AC: 75ft AC Rack M/F: 60ft Pump M/F Intfc: 75ft RF PS Chamber: 75ft Facility Connections: M/F Rear System AC / Controller: 66” Common Controller System SW: Legacy E4.5 GEMS / SECS Interface GEMS SW ver.: E4.5 Load Locks: Narrow Body w/Tilt-out 25-Wafer Cassettes Chambers: Position Chamber Type E Orienter (OA) F Orienter (OA) A DPS+ Poly B DPS+ Poly C - D DPS+ Poly Chamber A/B/D: DPS+ Poly Pedestal Type: Ceramic ESC Single zone independent He control Endpoint Type: Monochromator Chamber E: Orienter (OA), narrow hoop Chamber F: Orienter (OA), narrow hoop Heat Exchanger / Chiller: H2000 DI EG Fluid Type: 50/50 (water/glycol) Power Requirements: V 208, 3-Phase, 4-Wire, Freq 50 / 60Hz Gas Box Config: Vertical height: 31” (10) Gas line positions per Pallet Valve Type: Veriflo Filter Type: Millipore Transducer Type: MKS Controller Type: Standard (VME/VMEII) Facility Line Connection: Single Line Drop, AC side, Bottom Fed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II DPS ist ein Hochtemperatur-CVD-Reaktor (Chemical Vapor Deposition), der für die fortschrittliche Materialproduktion entwickelt wurde. Mit Hilfe der CVD-Technologie ermöglicht die Centura II das Abscheiden von dünnen Folien und Schichten mit höchster Präzision und Genauigkeit auf verschiedenen Substraten. Das Verfahren ist hoch steuerbar und kann auf die gewünschte Anwendung zugeschnitten werden, so dass es eine ideale Wahl für Anwendungen wie Halbleiterherstellung, dielektrische Filmschichten und Metallverbindungsschichten ist. Die Centura II ist energieeffizient und ermöglicht schnelle Produktionsraten. Die CVD-Kammer und das Verfahren sollen chemische Nebenprodukte reduzieren, Zeit und Betriebskosten reduzieren. Dies trägt auch dazu bei, die Lebensdauer der verwendeten Teile und Komponenten in den Geräten zu erhöhen. Sein Temperaturregelsystem ermöglicht eine präzise Temperaturregelung und garantiert Prozessgleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit. Die Centura II bietet eine dynamische Druckskaliereinheit, die die Einstellung des In-situ-Kammerdrucks ermöglicht. Dadurch wird die Gleichmäßigkeit der Reaktionsbyprodukte und die Fähigkeit zur Abstimmung der Reaktivität und der Abscheidungsgeschwindigkeiten gewährleistet. Die Maschine ist mit Mehrzonensteuerung ausgestattet, die eine breitere Substrattemperaturregelung ermöglicht, die Gleichmäßigkeit erhöht und Fehler in Beschichtungs- und Filmschichten reduziert. Die Centura II ist zudem äußerst vielseitig einsetzbar und kann eine Vielzahl von Substraten aufnehmen, darunter Silizium, Quarz und Quarz/Silizium-Substrate. Es hat auch die Fähigkeit, mit einer Vielzahl von Vorläufern zu arbeiten, einschließlich gasförmige Vorläufer und metallorganische Vorläufer. Damit kann es in einer Vielzahl von Anwendungen über die Halbleiterherstellung hinaus eingesetzt werden. Die Centura II ist auch einfach zu bedienen und zu konfigurieren, mit einer einfachen Benutzeroberfläche. Dies macht es einfach, Betriebsparameter schnell hinzuzufügen oder zu ändern, was die Zeit und Kosten der Schulungsoperatoren reduziert. Darüber hinaus verfügt das Tool auch über erweiterte Funktionen wie Excimer Metallicseed und Vorläufer Lieferung zur Erhöhung der Genauigkeit und Gleichmäßigkeit der Schichtabscheidung. Die Centura II ist eine leistungsstarke und zuverlässige CVD-Anlage, die für die Abscheidung von Dünnschichtschichten mit höchster Genauigkeit und Präzision entwickelt wurde. Sein effizientes Design und seine Vielseitigkeit machen es zu einer idealen Wahl für Halbleiterherstellung, dielektrische Filmschichten und Metallverbindungen. Seine benutzerfreundliche Oberfläche und erweiterte Funktionen machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für jede Anwendung.
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