Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II eMax #9260047 zu verkaufen
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ID: 9260047
System, 8"
Model: Centura 5200 I
(3) Chambers
Mainframe: Centura 5200 I PH2
Loadlock: Wide body
SBC: V452
Robot: VHP+
Loadlock features:
Body loadlock: Wide body
Slit valve door O-ring: Viton
UNIVERSAL Wafer / Cassette sensors
Manual lid hoist
Helium cooling: MKS 649
Gas panel type: Seriplex
MFC Type: Unit 8160
No dummy wafer storage
Chambers A, B and C: eMax
Gate valve: VAT
Manometer: MKS 1 Torr
Chuck: Ceramic ESC
ALCATEL ATH 1600 Turbo pump
ALCATEL ACT 1300 M Turbo pump controller
RF Match box: 0010-30686
ENI OEM 28B RF Generator
Endpoint type: Hotpack
Chamber F: ORIENT
Power supply: 208 VAC, 50/60 Hz.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II eMax Reaktor ist eine Hochtemperatur-Hochdruck-Prozesskammer, die in der Halbleiterherstellung verwendet wird. Die komplette Ausstattung besteht aus einem integrierten Wärmetauscher und Druckkontrollsystem, hochreiner Gasförderung, Ultrahochvakuum (UHV) -Umgebung und einer Reihe von In-situ-Messtechnik-Tools. Der AMAT Centura II eMax Reaktor ist für eine überlegene Prozesssteuerung und Wiederholbarkeit ausgelegt und ermöglicht die zuverlässige Herstellung von führenden, mehrschichtigen Halbleiterbauelementen. Das Herzstück von APPLIED MATERIALS Centura II eMax ist eine höhere Temperatur, höherer Druck Prozesskammer. Diese Kammer ist bis zu 900 ° C temperaturfähig und enthält Druck bei bis zu einer Atmosphäre. Aufgrund seines effizienten Designs und seiner ausgeklügelten Leistung/elektrischen Konfiguration kann sich die Centura II eMax schnell erwärmen oder abkühlen, was effiziente Zykluszeiten ermöglicht. Darüber hinaus ist die Prozesskammer selbstüberwacht und bietet eine Echtzeitansicht von Prozesstemperatur und Druck. AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II eMax verfügt zudem über einen fortschrittlichen integrierten Wärmetauscher und eine Drucksteuerung. Diese integrierte Maschine regelt die Temperatur und den Druck der Prozesskammer in Abhängigkeit vom einzigartigen Lithographieverfahren intelligent. Dieses Werkzeug stellt sicher, dass die Prozesskammer unabhängig von der hergestellten Halbleiterschicht genau geregelt wird. Der integrierte Vermögenswert ermöglicht zudem Kosteneinsparungen, da zusätzliche externe Komponenten nicht erforderlich sind. AMAT Centura II eMax beinhaltet hochreine Gaslieferung für CVD (Chemical Vapor Deposition) und andere Prozesse. Dazu gehören Quellgase sowie Abgas-/Reinigungssysteme. Dadurch kann der Anwender eine breite Palette von Materialchemien für unterschiedliche Halbleiterbedürfnisse erstellen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura II eMax enthält eine Ultrahochvakuum (UHV) -Umgebung für maximale Prozessreinheit. Diese UHV-Umgebung stellt sicher, dass flüchtige Partikel, Verunreinigungen oder Gase die Leistung oder Qualität der Halbleiterscheiben nicht schädigen. Zusätzlich kann die UHV-Umgebung auch bei der Verunreinigung helfen, da bestimmte Partikel und Gase leicht aus der Kammer entfernt werden können. In der In-situ-Messtechnik bietet Centura II eMax erstklassige Funktionen. Dies beinhaltet die Fähigkeit, die Materialabscheiderate und das Profil des Wafers zu überwachen, sowie die Leistung des Monitorgeräts während der Verarbeitung. Darüber hinaus bietet AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II eMax auch die Möglichkeit, die Foliendicke verschiedener Materialien zu messen, die Kammerbedingungen mithilfe einer fortschrittlichen Rezeptursteuerung automatisch abzustimmen und die verschiedenen zu erzeugenden Schichten zu visualisieren. Das Modell AMAT Centura II eMax ist ein Top-Reaktor für die fortschrittliche Halbleiterherstellung. Seine leistungsstarken und fortschrittlichen Funktionen ermöglichen eine genaue und wiederholbare Verarbeitung von Hochleistungs-Halbleiterscheiben. Dies wird mit der fortschrittlichen Prozesskammer, integrierten Wärmetauscher-/Druckregelgeräten, hochreiner Gasförderung, Ultrahochvakuumumgebung und Suite von In-situ-Messtechnik-Tools erreicht.
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