Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II IPS #115471 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II IPS-Reaktor ist ein hochzuverlässiges, langlebiges Ionen-Implantat, das im Halbleiterherstellungsprozess eingesetzt wird. Es ist speziell für p-Typ und n-Typ Schichten bei höheren Temperaturen konzipiert, so dass es ideal für VLSI-Anwendungen. Das System verwendet eine Einzelstrahl-Konfiguration für die Präzisions-Ionen-Implantation. Es hat minimale Lichtbogen auch bei höheren Strahlenergien und minimale Sputter Erosion Verunreinigungen zu minimieren. Dies ermöglicht die Implantation solcher dünner Schichten für MOSFETs, DRAMs und andere sehr große integrierte Schaltungen. Der AMAT Centura II IPS-Reaktor verwendet einen präzisen Hochspannungsmodulator, um die Spannung, den Strom und den Zeitpunkt des Ionenstrahls zu steuern. Dieses Gerät hilft, thermischen Aufprall zu verhindern, der Geräteleckage verursachen kann. Die höheren Temperaturen ermöglichen eine effizientere Nutzung von Strahlenergie, um eine bestimmte Anzahl von Dotierstoffatomen pro Verfahrensschritt zu erreichen. Die vollständige Vakuumkammer ist groß genug, um sowohl vertikale als auch horizontale Ablagerungen zu ermöglichen und bietet eine hervorragende Schnittstellenintegrität. Die Maschine hat einen modularen Aufbau, der Flexibilität bietet und gleichzeitig einen geringen Platzbedarf gewährleistet. Das Werkzeug umfasst eine überlegene Strahlformungsoptik, Probenhalter und Durchführungen sowie die Ionenquelle. Die Ionenquelle verwendet fortschrittliche Magnet- und Extraktionsoptiken, um ein stabiles Strahlprofil und Strahlenergie beizubehalten und die höchste Wiederholbarkeit in der gewünschten Prozessdichte zu gewährleisten. Die robuste Konstruktion der Anlage nutzt auch fortschrittliche Verriegelungen und Umweltkontrolle für einen sicheren Betrieb. ANGEWANDTE MATERIALIEN Der IPS-Reaktor Centura II verfügt über drei Standardnetzteile, die einstellbare Ionenstrahlspannung, Strahlstrom und Strahlimpulsbreite bereitstellen, um komplexe Implantate über Waferoberflächen zu ermöglichen. Der Reaktor kann mit bis zu 70 kV arbeiten und hat einen einstellbaren Strahlstrombereich von 0,1 mAmp bis zu 1 Amp. Das Modell verfügt über eine integrierte Temperaturregeleinrichtung, die Temperaturen bis zu 530 ° C erreichen und halten kann. Dies ermöglicht eine dynamische Steuerung der implantierten Spezies, um die gewünschten Ergebnisse für aggressive Implantate und flache Kreuzungstiefenprofile zu erzielen. Centura II IPS Reaktor ist ein hochentwickeltes System, das überlegene Leistung und Wirtschaftlichkeit bietet. Es ist eine zuverlässige und kostengünstige Lösung, die sich gut für die Herausforderungen der Halbleiterhersteller eignet. Es ist eine ausgezeichnete Wahl für Ionenimplantationsanwendungen, die eine hohe Genauigkeit und Wiederholbarkeit erfordern.