Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MxP+ #166626 zu verkaufen

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ID: 166626
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1996
Oxide etch system, 8" Install Type: Stand-Alone Cassette Interface: (Qty 2) Jenoptic InFab (SLR-200-LPTSL/R) Bolt-On SMIF Wafer Shape: SNNF (Notch) Centura (common) M/F: Robot: HP Robot Blade Type: Ceramic Wafer on Blade Detect Umbilicals : Cntrl - M/F: 40ft Pump - M/F Intfc: 50ft RF PS - Chamber: 50ft Water Leak/Smoke Detection Facility Connections: M/F Rear M/F Exhaust Line: 304SST Status Lamp (RYG) System AC / Controller: Type: Phase 1 System SW: Legacy E3.8 Endpoint SW: ENDP28 GEMS / SECS Interface GEMS SW ver.: OS2 E3.8 Load Locks: Wide Body w/Auto-Rotation 25-Wafer Cassettes Wafer Mapping Chambers: Position Chamber Type E: Orienter (OA) F: Orienter (OA) A: MXP+ Oxide B: MXP+ Oxide C: MXP+ Oxide D: MXP+ Oxide Chamber E/F: Orienter (OA) Lid Type: Hinged Chamber A/B/C/D: MXP+ Lid Assy PN: 0010-36123 rev A Lid Type: Screw/Bolt Down Pedestal Type: Polyimide ESC Process Kit: Quartz Single Ring RF Match Type: Phase IV Cathode Type: Simplified Bias RF PS: ENI OEM-12B3 Endpoint Type: Monochromator Throttling Valve + Gate Valve : Vat 65 Turbo Pump: Ebara ET300WS Gas Box Config: Vertical height: 31” (Qty 10) Gas line positions per Pallet Valve Type: Fujikin Filter Type: Millipore Transducer Type: SPAN Controller Type: Standard Facility Line Connection: Single Line Drop, Top Exhaust Heat Exchanger / Chiller: (Qty 2) Neslab 150 Fluid Type: 50 / 50 Power Requirements: V 208, 400A, 3-Phase, 4-Wire, 60Hz 1996 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura MxP + ist ein Abscheidungsreaktor, der für den Einsatz in Nanofabilisierungsprozessen entwickelt wurde. Es ist mit einer leistungsstarken Mikrowellen-Plasmaquelle ausgestattet und nutzt die CVD-Technologie (Hot Organic-Based Chemical Vapor Deposition), um dünne Filme von Molekülen auf einem Substrat abzuscheiden. Der MxP + ist mit einer langen Lebensdauer außerordentlich zuverlässig und eignet sich daher gut für kritische Produktionsprozesse. Der MxP + wird in einer Vakuumkammer betrieben. Die Mikrowellenquelle liefert Energie, um aus dem Reaktionsgas ein Plasma zu erzeugen, das dann zum Substrat geleitet wird, um CVD zu verursachen. Je nach Reaktionsgas können verschiedenste Materialien abgeschieden werden, darunter Metalle, Oxide, Nitride und Halbleiter. Das Reaktionsgas wird strömungsgesteuert, um eine präzise Abscheidung von Materialien mit präziser Dickenregelung zu ermöglichen. Der MxP + ist mit einem flexiblen Waferarm ausgestattet, mit dem Wafer mit einem Durchmesser von bis zu sechs Zoll geladen und innerhalb der Kammer bewegt werden können. Es ist ein hochautomatisiertes System mit einer benutzerfreundlichen Oberfläche, mit der Benutzer Prozesse erstellen und speichern können. Es kann in einem Bereich von Temperaturen, Drücken und Leistungsstufen betrieben werden, so dass Benutzer die besten Parameter auswählen können, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen. Die Temperatur wird innerhalb enger Toleranzen überwacht und aufrechterhalten, um genaue Abscheideraten zu gewährleisten. Das MxP + ist mit mehreren Sicherheitsfunktionen ausgestattet, um Benutzer und das zu bearbeitende Substrat zu schützen. Die Kammer ist mit einem Niederdruckgas gefüllt, das zur Verringerung des Wärmeübergangs zwischen dem Waferarm und den Kammerwänden dient. Dies hilft, thermische Schäden am Substrat zu verhindern. Das System enthält auch eine automatisierte Dosissteuerung plus Funktion, die die Menge an Plasma reguliert, die von der Mikrowellenquelle erzeugt wird, um die Kammerwände zu schützen und das Potenzial für Produktverschmutzung zu reduzieren. Der MxP + ist die ideale Wahl für Forschungs- und Produktionsanwendungen mit Präzision, Zuverlässigkeit und Wiederholbarkeit. Es ermöglicht Anwendern, neue Abscheideprozesse zu entwickeln oder bestehende zu optimieren, um die Leistung zu verbessern. Dieser Hochleistungsabscheidungsreaktor bietet eine ideale Lösung für fortschrittliche Nanofabrikationsanwendungen.
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