Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MxP+ #9351620 zu verkaufen

ID: 9351620
Wafergröße: 8"
Weinlese: 1997
Poly etcher, 8" Wafer shape: SNNF (Notch) Type: Centura 1 P-2 No SMIF interface Chamber A, B, C and D: MxP+ Buff robot type: HP Loadlock: Wide body Metal buff robot blade Water detector: Alarm Wafer sensor: Standard Smoke detector: Alarm EMO AC Rack: Single phase Monitor and EDP monitor: Standalone Controller rack: Single phase Umbilical cables: Controller to mainframe: 25 ft Controller to AC rack: 25 ft RF to chamber coaxial: 50 ft Pump interface cable: 50 ft Chamber A: Chamber type: MxP+ ESC Type: Polymide IHC Type: MKS 640 Manometer type: 1 Torr Lid type: Clamp Slit valve O-ring: Viton Bias RF match: Standard OEM 12B RF Generator No autobias End point: Monochromator SEIKO SEIKI 301 Turbo pump Magnet driver Simply cathode Butterfly throttle valve VAT Gate valve Standard process kit Chamber B, C and D: Chamber type: MxP+ IHC Type: MKS640 Manometer type: 1 Torr Lid type: Clamp Slit valve O-ring: Viton Bias RF match: Standard OEM 12B RF Generator No autobias End point: Monochromator SEIKO SEIKI 301 Turbo pump Magnet driver Simply cathode Throttle valve: Butterfly VAT Gate valve Gases: Chamber A and B: Gas / Name / MFC Size / Make / Model Gas 1 / CL2 / 200 / STEC / SEC-4400MC Gas 2 / HBR / 200 / STEC / SEC-4400MC Gas 3 / N2 / 20 / STEC / SEC-4400MC Gas 4 / CF4 / 200 / STEC / SEC-4400MC Gas 5 / O2 / 10 / STEC / SEC-4400MC Gas 6 / O2 / 100 / STEC / SEC-4400MC Gas delivery: MFC Maker: STEC MKS Transducer display NIPPON SEISEN Mykrolis Filter Regulator: Veriflo MKS Transducer FUJIKIN Valve Gas connection: Multiline drop Chiller: Chiller valve connections: Manifold Generator rack valve connection: Manifold Chiller hose size: 3/8 Quick Valve connection: Wall: Chamber A, B and C Cathode: Chamber A, B and C Power supply: 208 V, 400 A, 60 Hz 1997 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura MxP + ist ein Hochleistungsreaktor, der die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie Transistoren, Dioden und Widerständen bei der Herstellung integrierter Schaltungen erleichtert. Dieser Reaktor ist ideal für Halbleiterherstellungsprozesse, die eine Hochtemperaturverarbeitung und eine präzise Steuerung von Gasfluss, Druck und Temperatur erfordern. Der Reaktor verfügt über eine patentierte High-Efficiency Direct Gas Distribution Equipment (HEDGDS), die eine gleichmäßige Gasverteilung und Druckkontrolle über die gesamte Kammer ermöglicht. Dieses System erspart manuelle Gaspumpen und ermöglicht eine präzise Steuerung von Gasströmungen und Druck. Das HEDGDS benötigt keine Gasleitungen oder externe Anschlüsse, wodurch der Reaktor leichter installiert und betrieben werden kann. Die Innentemperatur des Reaktors kann mit einer Genauigkeit von 0,1 ° C zwischen 25 ° C und 1000 ° C eingestellt werden. Dies ermöglicht eine optimierte Temperaturregelung, um genaue Prozessergebnisse und ein effizientes Workflow-Management zu gewährleisten. Darüber hinaus verfügt der MxP + über eine Niederdruck-elektrische Impulseinheit, die manuelle Vakuumpumpen überflüssig macht. Die elektrische Impulsmaschine ist auch in der Lage, einen konstanten Kammerdruck aufrechtzuerhalten, um den Gasdurchbruch während des Prozesses zu minimieren. Der Reaktor verfügt auch über ein fortschrittliches zweiphasiges Gasstromschutzwerkzeug, das eine Gasstromverunreinigung wirksam verhindert. Diese Anlage verwendet einen Dynamic Flow Splitter, der die Gleichmäßigkeit des Gasflusses maximiert und gleichzeitig die Kreuzkontamination von Prozess- und Trägergasen verhindert. Das Modell verfügt auch über eine aktive Gaskontrolleinrichtung, die den Kammerdruck ständig überwacht und den Fluss des Trägergases automatisch anpasst, um die Wiederholbarkeit des Prozesses zu gewährleisten. Der Reaktor ist zudem mit Temperatursensoren und einem programmierbaren Logikregler (SPS) ausgestattet, die eine präzise Temperaturregelung und automatisierte Prozessüberwachung ermöglichen. Diese SPS-Steuerung ist auch in der Lage, eine Abfolge komplexer Ereignisse auszuführen, die eine optimale Prozessqualität und Effizienz gewährleisten. Darüber hinaus bietet der Reaktor eine Vielzahl von zusätzlichen Merkmalen, wie eine schalterbasierte Stromversorgung und eine flexible Induktionsheizung, die eine weitere Steuerung des Halbleiterherstellungsprozesses ermöglicht. Darüber hinaus ist dieser Reaktor auch ETL-gelistet und RoHS-zertifiziert, so dass er die Sicherheitsstandards der Halbleiterindustrie erfüllt oder übertrifft. Insgesamt ist der AMAT Centura MxP + Reaktor eine fortschrittliche Halbleiterherstellungslösung, die auf zuverlässige und konsistente Ergebnisse bei gleichzeitiger Optimierung der Fertigungsabläufe ausgelegt ist.
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