Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Ultima HDP CVD #62203 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 62203
Wafergröße: 8"
Weinlese: 2000
Etcher, 8"
(2) Ultima chamber
(1) Ultima plus chamber
Technology :IMD
Wafer Size : 8"
Wafer Shape : SNNF (Semi Notch No Flat)
Software Version : B4.3.14
CHAMBER TYPE AND LOCATION
Ch A : Ultima HDP-CVD
Ch B : Ultima HDP-CVD
Ch C : Ultima + HDP-CVD
Ch E : Multislot Cool Down
Ch F : Orientor
CHAMBER A,B Ultima HDP-CVD :
Nozzle : Long/Long Side
Clean Gas Distribution : Baffle
Turbo Pump : Ebara ET1600WS w/ HVA
Wafer Temperature Monitoring : Yes
Top Gas Feed : Without Top O2
Dual Independent He Control : Standard 10/10 TORR
Clean Method : Microwave
CHAMBER C - Ultima + HDP-CVD :
Nozzle : Long/Long Side
Clean Gas Distribution : Baffle
Turbo Pump : Ebara ET1600WS w/ HVA
Wafer Temperature Monitoring : Yes
Top Gas Feed : Without Top O2
Dual Independent He Control : Standard 10/10 TORR
Clean Method : Top Mount
EXISTING ELECTRICAL REQUIREMENTS
Line Frequency : 60Hz
Line Voltage : 200/208V
Line Amperage : 600A Platform
EXISTING SAFETY EQUIPMENT :
EMO type : Turn to release EMO
EMO Guard Ring : Yes
System Labels : English w/Chinese Non-simplified
System Smoke Detector : Controller
EXISTING MAINFRAME :
Mainframe Type : Ultima HDP w/Multislot
Frame Type : Standard Frame
System Placement : Through the Wall
Mainframe Skins : No
Mainframe Exhaust Duct : No
Mainframe Facilities Connection : Back
Robot Type : HP Robot
Robot Blade : Ceramic
Loadlock Cassette : Narrow Body
Narrow body Loadlocks : Cassette Present Sensor
Loadlock Wafer Mapping : Basic
N2 Purge Type : STEC 4400MC 10 Ra Max
EXISTING GAS DELIVERY :
Gas Panel Surface Finish : Standard Gas Panel
MFC Type : STEC 4400MC 10 Ra Max
Valves : Fujikin 5 Ra Max
Filters : Pall Ni 10 Ra Max
Transducers : MKS w/ Display
Regulators : Veriflo
System Cabinet Exhaust : Top
Gas Panel Gas/Flow Direction Labels : Yes
APC Seriplex Cover : Yes
Gas Panel Doors : Solid
Gas Pallet Configuration :
Chamber A, B, C
Gas Stick/Process Gas/MFC size/Regulator/Transducer
#1 SiF4 100 Y Y
#2 O2 400 Y Y
#3 SiH4 200 Y Y
#4 Ar 300 Y Y
#5 SiH4 20 Y Y
#6 Ar 50 Y Y
#7 NF3 2000 Y Y
#8 Ar 2000 Y Y
REMOTES :
RF Generator Rack - Ultima Gen. Rack
ASTEX 80S09mW (3)
Quantity : Two
Ultima Stand-Alone RF Generator Rack : Yes
Generator Rack Cooling - RF Gen Rack Manifold with Quick Disconnect Ultima Gen Rack H20 Connection - Barbed Brass
Existing Heat Exchanger : SMC Thermo
Umbilicals :
System Controller Signal Cable Length : 55ft
RF Gen Rack Cable Length : 50ft
Ultima Stand-Alone Generator Rack : 98 ft
HX Hose Length : 50ft
HX Cable Length : 50ft
Pump Cable : 50ft
Ultima Microwave Generator Cable Length : 50 ft
Ultima WTM Cable Length : 32.8 ft (10m)
Vacuum Pumps, Exhaust Scrubber not included in sale
Currently crated and stored
System Can be inspected
1999-2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Ultima HDP CVD ist ein CVD-Reaktor mit einer proprietären Hot-Wall-Delivery-Plasma (HWDP) -Verarbeitungskammer. Dieser Reaktor wurde speziell entwickelt, um die chemische Bedampfung einer Reihe von Materialien mit optimierter thermischer und Plasma-Gleichmäßigkeit zu erleichtern. Der Reaktor verwendet chemische Vorläufer, um Materialschichten auf Substraten wie Metall, Silizium oder Keramik zu erzeugen. Mit der Fähigkeit, unglaublich dünne, konforme Schichten hochdichter plasmagestützter Abscheidung (HDP) herzustellen, ist dieser Reaktor ein ideales Werkzeug für Anwendungen von Halbleiterverpackungen über fortschrittliche Verbindungen bis hin zu biomedizinischen und nanotechnologiebezogenen Anwendungen. Der AMAT Centura Ultima HDP CVD-Reaktor wurde entwickelt, um maximale Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit während des CVD-Prozesses zu gewährleisten. Der Aufbau der HWDP-Bearbeitungskammer ermöglicht eine präzise Verdampfung von Vorstufen, die bei Kontakt mit der heißen Plasmaquelle in einen Plasmazustand überführt werden. Diese Plasmaquelle weist eine hohe Gleichmäßigkeit auf, wodurch die resultierende Beschichtung im gesamten Substrat eine gleichmäßige Schichtdicke aufweist. Darüber hinaus entfällt durch die HWDP-Kammerkonstruktion die Notwendigkeit einer Kühlung, was eine höhere Temperaturregelung für eine verbesserte Schichtdichte ermöglicht. Die Verwendung von Temperatursensoren in der gesamten Kammer ermöglicht auch eine präzise Temperaturregelung für eine verbesserte Schichtgleichförmigkeit und Eigenschaftenkontrolle. ANGEWANDTE MATERIALIEN Der Centura Ultima HDP CVD-Reaktor wurde ebenfalls entwickelt, um eine hohe Durchsatzleistung zu fördern. Die Verarbeitungskammer ist so ausgelegt, dass sie unter niedrigem Druck arbeitet und hohe Durchflussraten von Vorläufer- und Prozesssteuergasen ermöglicht. Dieser hohe Durchsatz kann genutzt werden, um Produktionsvolumen und Ertrag zu maximieren und gleichzeitig die höchste Prozess- und Qualitätskontrolle zu gewährleisten. Centura Ultima HDP CVD ist ein ausgezeichnetes Werkzeug für eine Vielzahl von CVD-Anwendungen. Von der Schaffung von Schichten hoher Dichte für Halbleiterverpackungen über biomedizinische Materialien und Nanotechnologie verfügt dieser Reaktor über Funktionen, die entwickelt wurden, um die Abscheidung von Beschichtungen mit verbesserter Gleichmäßigkeit und Wiederholbarkeit zu erleichtern. Dieser Reaktor ist ideal für Anwendungen, die eine genaue Kontrolle der Schichtdicke, Temperatur und Gleichmäßigkeit erfordern und die Abscheidung von HDP-Schichten für die modernste Technologie ermöglichen.
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