Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Centura WCVD #9116738 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS Centura WCVD ist eine Art chemischer Aufdampfreaktor (CVD), der in Waferherstellungsprozessen verwendet wird. Die Centura ist ein Niederdruck-Hochtemperatur-System zur chemischen Dampfabscheidung, mit dem Siliziumdioxid (SiO2) -Oberflächen auf den Wafern erzeugt werden. WCVD steht für Wet Chemical Vapor Deposition, da Wasser dabei verwendet wird. Die Kammer des Reaktors besteht aus Edelstahl und ist für die Aufnahme von bis zu 12 300mm Wafern und 17 200mm Wafern oder Mini-Substraten ausgelegt. Das Verfahren erfolgt in einer Hochtemperatur-Thermozone mit Temperaturen bis 900 ° C. Mit Druckluft wird ein Trägergas zur Unterstützung der Dampfsublimation und des Transports der aktiven chemischen Spezies durch die Kammer bereitgestellt. Zu Beginn des Prozesses werden die Wafer in die Kammer geladen. Anschließend wird der Reaktor mit einer Vakuumpumpe evakuiert und die Kammer aufgeheizt. Anschließend wird das Wasser zu einer Dampfform erhitzt und in der Kammer mit Sauerstoff und Stickstoff vermischt. Dadurch entstehen Kohlenwasserstoffoxidationsmittel. Diese Kohlenwasserstoffoxidationsmittel reagieren mit der großen Oberfläche der erhitzten Wafer, wodurch sich eine gleichmäßige und dichte Oxidschicht bildet. Die abgeschiedene SiO2-Schicht ist hochkonform und kann sowohl flache als auch gestufte Strukturen aufnehmen. Dies ermöglicht einen besseren Flächenkontakt, was zu einer besseren Schrittabdeckung und hoher Ausbeute führt. Die Dicke der abgeschiedenen Schicht wird durch die Strömungsgeschwindigkeit und den Druck der Reaktanden genau gesteuert. Schließlich werden die Wafer nach Beendigung des Prozesses aus der Kammer entladen. AMAT Centura WCVD ist ein zuverlässiger und präziser CVD-Reaktor, der in Verfahren wie dielektrischen Prozessen, Nitridfilmen, metallischen Folien, Barrierefolien und an Gatekontakten weit verbreitet ist. Es ist ein wichtiges Gerät in der Wafer-Herstellung und Prozesstechnologie, mit seiner Fähigkeit, einheitliche und dichte SiO2-Schichten schnell und sicher bereitzustellen.