Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA #9293686 zu verkaufen

AMAT / APPLIED MATERIALS CENTURA
ID: 9293686
System.
AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA ist ein Hochdichteplasma (HDP) -Reaktor, der eine einzigartige Kombination aus Hochfrequenz, Wechselstrom (AC) und intensiven, thermisierten H2-Plasmen verwendet, um hochzuverlässige, hochleistungsfähige Wafer zu erzeugen. Der AMAT CENTURA HDP-Reaktor nutzt die Kombination einer großflächigen Multi-Wafer-Trägerplattform mit einem Hochtemperatur-Keramikheizsystem, um ein Prozessfenster zu schaffen, das extrem enge kritische Abmessungen und die gleichzeitige Abscheidung fortschrittlicher Materialien erreichen kann. Dieser Reaktor verfügt über einen schnellen thermischen Zyklus zur schnellen Prozessoptimierung mit einstellbarer Gasdurchflussfähigkeit und fortschrittlicher Prozessüberwachung. Angewandte Materialien CENTURA Reaktor verfügt auch über Vakuumkammerheizung, um Aberrationen an Proben zu minimieren, sowie Kammern mit verschiedenen Drücken und Temperaturen, die eingestellt werden können, um die gewünschten Prozessrezepte zu erfüllen. Der Reaktor verfügt über eine einzigartige Multi-Wafer-Ladeblockzone, die Wafergrößen bis 300mm Durchmesser aufnehmen kann und es dem Benutzer ermöglicht, mehrere Wafer in einer einzigen Charge zu laden und zu entladen. Darüber hinaus bieten spezielle elektrostatische Spannfutter und aktive Stabilisierung konkurrenzlose Gleichmäßigkeit, um die Ausbeute bei minimalem Prozessaufwand zu maximieren. CENTURA-Reaktor hat die Flexibilität, beliebige Plasmaprozesse zum Timing und Ätzen anzuwenden. Es ermöglicht dem Anwender, bestimmte Rezepte mit verschiedenen Gasmischungen, Drücken und HF-Leistungsstufen zu verwenden, um verschiedene Strukturen zu erzeugen. Es bietet auch effektive Ätztiefe, hohe Anisotropie und geringe Oberflächenrauhigkeit. Der Motor von AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA ist eine AC-gekoppelte induktiv gekoppelte Plasmaquelle (ICP), die sowohl für Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) als auch für Ätzverfahren sowohl für Silizium als auch für Verbundhalbleitermaterialien geeignet ist. Die ICP-Quelle im AMAT CENTURA-Reaktor liefert Plasma mit sehr hoher Dichte und kann auch auf eine gute Gleichmäßigkeit auf jedem Wafer über 4-Zoll und 12-Zoll-Wafer-Mengen abgestimmt werden. Der CENTURA-Reaktor verwendet die einzigartige Multiwafer-Ladeblockzone, die Wafer-zu-Wafer-Ungleichförmigkeiten minimiert und Prozessdaten, Durchsatz und Rentabilität maximiert. Es hat auch eine automatisierte Kammer Zugriffsfähigkeit, die die Notwendigkeit, die Kammer während des Betriebs zu öffnen entfällt, um sicherzustellen, dass die Prozessparameter stabil bleiben. Darüber hinaus ist die einzigartige Multi-Wafer-Trägerplattform im CENTURA-Reaktor für Waferbereich und Gleichmäßigkeit optimiert und bietet eine spürbar verbesserte Ausbeute und Durchsatz. Abschließend ist der AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA Reaktor die perfekte Lösung für anspruchsvolle Ätz-, Abscheide- und Prozessoptimierung. Der AMAT CENTURA Reaktor bietet dank seiner leistungsstarken und fortschrittlichen Funktionen eine ultraschnelle Verarbeitung für eine Vielzahl von Anwendungen. Mit seiner breiten Prozessskalierbarkeit, den benutzerfreundlichen Rezepturen und dem Plasma mit hoher Dichte ist der APPLIED MATERIALS CENTURA Reaktor das ultimative Werkzeug zur Bewältigung extremer Prozessaufgaben.
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