Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Endura 5500 #9258406 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9258406
Wafergröße: 8"
Weinlese: 2000
PVD Sputtering system, 8"
Wafer shape: SNNF
VHP Robot
Chamber configuration:
Chamber A: Pass chamber
Chamber B: Cooldown chamber
Chamber 2 and 3: HP TxZ Chamber with gas panel
Chamber 4: IMP Ti Chamber
Chamber C: Pre-clean II Chamber
Chamber D: Pre-clean II Chamber
Chamber E and F: Degas Chamber
Loadlock configuration:
Widebody loadlock
Auto rotation
Cassette type, 8"
Mapping function: WWM
Fast vent option
SMIF Interface
Mainframe configuration:
Buffer robot type: HP+
Buffer robot blade: Metal blade
XFER Robot type: VHP
Lid hoist
Status light tower
Remote monitor: Stand alone
Missing parts:
Chamber 2 and 3:
Turbo pump
Turbo pump controller
Chamber lid
Process kits and heater
Chamber 4:
Cryo pump
Source assy
Magnet
B101 Heater
Lift assy
RF Generator
Chamber C:
Turbo pump
Turbo pump controller
400K RF Generator
Chamber D:
Turbo pump
Turbo pump controller
400K RF Generator
13.56M RF Generator
Mainframe:
Buffer
Transfer chamber cryo pump
Rack electrical configuration:
SBC
VGA Board
OMS / SEI
Electrical configuration:
Line voltage: 208 V
RF I and II Rack:
Line voltage: 208 V
Compressor electrical configuration:
Line voltage: 208 V
9600 Compressor, 3 Phase
UPS Interface
AC Rack:
Line voltage: 480 V
Full load current: 400 A
Frequency: 60 Hz
CE Marked
2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura 5500 Reaktor ist eine fortschrittliche Abscheideanlage mit Einzelwaferverfahren für die Halbleiterverarbeitung. Der 5500 wurde entwickelt, um durch bewährte Prozess- und Automatisierungstechnologien den Durchsatz, die Ausbeute und die Funktionalität zu maximieren. Mit modernsten Steuerungssystemen und Gleichmäßigkeitswerten von konstant unter 0,2% ist der 5500 bestens geeignet, um die anspruchsvollsten Prozessanwendungen zu bewältigen, einschließlich der Bildung fortgeschrittener Verbindungen, Speicher und optoelektronischer Geräte. Die 5500 nutzungsinduktiv gekoppelten Plasmaquellen (ICP) liefern eine Quelle von energetischen Ionen und Radikalen, die Ionenimplantation, Abscheidung, Sputtern und Ätzprozesse innerhalb der Kammer erleichtern. Die ICP-Quellen sind mit umfassenden, bordeigenen Prozessleitsystemen gekoppelt, um eine präzise Kontrolle der Plasma- und Substratbedingungen zu ermöglichen. Der 5500 verfügt über ein automatisiertes Substratübertragungssystem, das eine genaue, wiederholbare und zuverlässige Waferbearbeitung ermöglicht. Darüber hinaus tragen eine Reihe von Kohlenwasserstofffallen und Pellitoren dazu bei, optimale Prozessbedingungen aufrechtzuerhalten und das Gerät vor Kontamination zu schützen. Die 5500 verfügt über bis zu zehn steuerbare Prozessgasleitungen zur Optimierung von Prozessparametern wie Ionenimplantation und Sputterabscheidungsraten. Die 5500 verfügt auch über mehrere Cassette-to-Cassette (C2C) -Stationen, so dass bis zu acht Source-Wafer-Lose gleichzeitig verarbeitet werden können. Dies ermöglicht einen hohen Durchsatz bei minimalem Abfall sowie die Möglichkeit, die Wafer-Losverarbeitung in Sekunden zu schalten. Die Maschine verfügt auch über ein integriertes reaktives Sputtermodul, das UED-Techniken (Ultraviolet Enhanced Deposition) verwendet, um vollständig selbstgebildete photonische Funktionen zu ermöglichen. Um die Gleichmäßigkeit zu gewährleisten, verwendet der 5500 branchenführende, proprietäre Algorithmen, um die Gleichmäßigkeit auf der gesamten Waferebene zu optimieren. Das Tool verfügt auch über ein integriertes Analyse-Tool, das eine beispiellose Einsicht in die Gleichmäßigkeit und die Prozessbedingungen im gesamten Wafer ermöglicht. Dieses Tool ermöglicht eine schnelle Prozessintegration und -optimierung mit verbesserten Durchlaufzeiten im Vergleich zu herkömmlichen Methoden. Der 5500 bietet außergewöhnlichen Durchsatz mit branchenführender Einheitlichkeit und Wiederholbarkeit, gepaart mit fortschrittlicher Prozesssteuerung und prozessfähigen Funktionen. Mit seiner Kombination aus Eigenschaften und Fähigkeiten bietet der 5500 eine hervorragende Lösung für kritische Abscheidungsprozesse, die bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet werden.
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