Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II Aluminum Interconnect #9392312 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9392312
Physical Vapor Deposition (PVD) System, 12"
Process: Reflowsput
Chamber Position
C- Process type reactive PC
Process type SIP Ti: 1 And 5
Process type ALPS: 2
HT Al: 3 And 4
D - RT DSTTN
Process Type: Reactive PC
Chamber position: C
Chamber body:
Al
Part number: 0040-76718
Slit valve
Seal: Bonded
Door part number: 0040-84391
Bias Generator Frequency: 13.56 MHz and 2 MHz(In one generator)
RF:
Coil generator: COMDEL CDX-2000
Match box: 0010-21748 / 0010-52033
AMAT / APPLIED MATERIALS Part number : 0190-23308
Adaptor part/number: 0041-02659
Upper shield part/number: BELLJAR 0040-55456
Treatment (Arc spray / bead blast): AL2O3
Lower shield part/number: 0040-86514
Treatment (Arc spray / bead blast): Bead Blast
inner / mid shield part/number: 0021-19342
Shield clamp part/number: 0020-19258
Inner / mid shield clamp part/number: Insulator 0200-01903
Cryo gate valve (2/3 Pos): PENDULUM
MFC 1
Gas: He
Cal Factor: 1
Size: 300
Type: He
Part number: 0010-44160
MFC 2
Gas: Ar2
Cal Factor: 1
Size: 200
Type: Ar
Part number: 3030-13113
MFC 3
Gas: A
Cal Factor: 1
Size: 20
Type: Ar
Part number: 3030-13116
MFC 4
Gas: (MFC6) H2
Cal Factor: (MFC6) 1
Size: (MFC6) 100
Type: (MFC6) H2
Part number: (MFC6) 0015-02990
Chamber base pressure (T): 0.0000002
Chamber Rate of rise (nTorr / min): 15000
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
Optional Gas (He): 30.1
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow (GPM): 0.8
Process type: SIP Ti
Chamber position: 1,5
Shutter option
chamber body:
(Al or SST): SS
Part number: 0040-98657
Slit valve:
Seal: Bonded
Valve door part number: 0040-84391
Target:
Vendor: Nikko/Tosoh
Bakeout / idle power (%): 0.4
DC Power supply (AE-MDX): AE-Pinnacle
AMAT Part number Master: 0190-08122
AMAT Part number Slave: 0190-08122
Generator size : 20kw
DC (12 kwh, 24kwh): 40 kw
Bias generator : ENI - GHW12Z
AMAT Part number : 0190-25529
Bias Generator:
Size: 1.25KW
Frequency: 13.56 MHz
Rf Match Box: 0010-02372/0010-52034
Magnet:
Rotation speed (RPM): 65
Shim thickness: Ch1:1.25mm Ch5:1.0mm
Type: LP-3.7.4
Part number: 0010-11228
Target to magnet spacing (mm): 1.5 ± 0.6
Adaptor part number: 0040-82921
Kit spacer:
Upper part number: 0040-7694
Lower part number: 0040-62877
Upper shield part number: 0020-23549
Treatment:
(Arc spray/Bead Blast): Arc Spray
(Arc spray/Bead Blast): Bead Blast
Lower shield:
Part number: 0020-02344
Clamp part number: 0020-02348
Inner / mid shield:
Part number: 0020-54777
Clamp part number: 0020-08299
Dep ring part number: 0200-08301
Cover ring part number: 0021-17770
Insulator bushing part number: 0200-00590
Shutter: 0021-25014
Pedestal:
Type: SLT FDR E-CHUCK
Part number: 0010-22985
Heater spacing in steps: -55050
Maximum Cryo regen gas load (L): 400
Cryo gate valve (2/3 Pos): 3-Position
MFC 1:
Gas: N2
Size: 200
Type: N2
MFC 3:
Gas: Ar
Size: 50
Type: Ar
MFC 4:
Gas: ArH
Size: 20
Chamber base pressure (T): 2.0 e-8
Chamber Rate-of-Rise (nTorr / min): 522
Process supply pressure:
Ar 30psi
N2 30psi
Cryo regen N2 pressure: 90
Vent Ar pressure: 40
CDA: 88
Slit valve CDA: 82
Cooling water flow (GPM): 8.9
Vent Ar pressure: 47.7
Lower shield part number: 0021-22065
Upper shield part number: 0021-21234
Process type: (RT DSTTN)
Chamber position: D
Heater spacing:
55mm
Steps: -51000
Optional gas (He): 37.9
CDA: 95.7
Cooling water flow (GPM): 11.2.
AMAT/APPLIED MATERIALS Endura II Aluminium Interconnect (AMAT) integriert ein einzigartiges Design, das speziell für die Herstellung von Aluminium-basierten Verbindungen entwickelt wurde. Dieser Reaktor wird bei der Entwicklung fortgeschrittener Halbleiter und optoelektronischer Bauelemente eingesetzt. Es ist eine ideale Ausrüstung für Technologien wie organische Feldeffekttransistoren (OFET) und organische Leuchtdioden (OLED). AMAT Endura II Aluminium Interconnect verfügt über einen anisotropen Ätzprozess, der präzise Verbindungen gewährleistet. Dies ist möglich durch den kombinierten Betrieb einer induktiv gekoppelten Plasmaquelle (ICP) und einer Niederdruck-Plasmaquelle, die das Ätzen von Metallspuren mit hohem Seitenverhältnis mit senkrechten Kanten, geringem Kontaktwiderstand und ohne übermäßigen Metallverlust ermöglicht. Die ICP-Quelle wird mit einer resistiven, niederdruckgefilterten Ar-Cl2 (Argon-Chlor) Prozesskammer mit einem integrierten, computergesteuerten, dynamischen Temperaturregelsystem kombiniert. Diese Kombination bietet eine präzise Linkverarbeitung, die in der Lage ist, hohe Seitenverhältnismerkmale zu erzeugen, ohne einen übermäßigen Verlust an Metall. Es ist auch mit der Dynamic Pressure Control (DPC) -Einheit ausgestattet, die sicherstellt, dass die Prozessbedingungen für eine bessere Prozesssteuerung und eine verbesserte Reproduzierbarkeit von Verbindungskonstruktionen optimiert werden. Diese Maschine verfügt auch über eine moderne grafische Benutzeroberfläche, mit der die Prozessparameter gesteuert werden können. Es kann auch GDSII-Dateien importieren und exportieren, so dass die Konvertierung bestehender Designs in das APPLIED MATERIALS-Verbindungsformat ermöglicht wird. Mit der Fähigkeit, die Winkelschichtabdeckung und -steuerung über intuitive Befehle zu unterstützen, kann eine breite Palette von Prozessscheiben hergestellt werden. ANGEWANDTE MATERIALIEN Endura II Aluminium Interconnect verfügt auch über eine Filtered-Via-Technologie, die in der Lage ist, Niedertemperatur-Verbindungen mit verbesserter Planität und niedrigem Eigenkontaktwiderstand. Unterstützt wird dieses Merkmal durch ein automatisiertes Polymerinjektionswerkzeug für die Filterung über Leiterbahnen. Abschließend bietet Endura II Aluminium Interconnect (AMAT/APPLIED MATERIALS) eine integrierte, präzise, hochproduktive und kostengünstige Lösung für die Herstellung fortschrittlicher Aluminium-basierter Verbindungen. Die Fähigkeit dieser Anlage, Metallspuren mit hohem Seitenverhältnis mit senkrechten Kanten, geringem Kontaktwiderstand und ohne übermäßigen Verlust von Metall zu produzieren, macht es zu einer idealen Wahl für optoelektronische und Halbleitertechnologien der nächsten Generation.
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