Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9195497 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9195497
PVD System
(4) Chambers
Process type: HT DSTTN
Chamber position: 1,2
Shutter option
Chamber body: SST
Chamber body part number: 0040-98657
Slit valve seal: Bonded
Slit valve door part number: 0040-84391
Target vendor: NIKKO
Target number: TAG72
DC Power supply (AE-MDX): ENI
APPLIED MATERIALS Part number master: 0190-22931
OEM Part number master: DCG200Z
Generator size: 20 kW
Total DC (12 kWh,24 kWh): 20 kW
Magnet rotation speed: 95 RPM
Magnet shim thickness: No data
Magnet type: TI / TIN
Magnet part number: 0010-03487
Magnet spacing: 1.0 mm
Adapter part number: 0040-69768
Upper shield part number: 0021-21234
Treatment: Bead blast
Lower shield part number: 0020-29706
Treatment: Bead blast
Dep ring part number: 0200-01080
Cover ring part number: 0021-22177
Treatment: Bead blast
Shutter: 0021-25014
Treatment: Bead blast
Pedestal type: HT ECHUCK
Pedestal part number: 0010-27430
Heater spacing: 55 mm
Heater spacing: -51000 Steps
Minimum heater spacing: 32 mm
Minimum heater spacing: -69000 Steps
Maximum heater spacing: 55 mm
Maximum heater spacing: -51000 Steps
CRYO Gate valve: (3) Positions
MFC 1 Gas: N2 Process
MFC 1 Size: 200
MFC 1 Type: N2
MFC 1 Part number: 0015-02992
MFC 2 Gas: None
MFC 3 Gas: Ar process
MFC 3 Size: 150
MFC 3 Type: Ar
MFC 3 Part number: 0015-02992
MFC 4 Gas: ArH
MFC 4 Size: 20
MFC 4 Type: Ar
Chamber base pressure (T): 3-E8
Chamber rate-of-rise: 650 nTorr / Min
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
CDA: 95.7
Slit valve CDA: 85
Cooling water flow: 11.2 GPM
Process type: RT DSTTN
Chamber position: 3,4
Shutter option
Chamber body: SST
Chamber body part number: 0040-98657
Slit valve seal: Bonded
Slit valve door part number: 0040-84391
Target vendor: NIKKO / TOSOH
Target number: TAG 72
Bake out / Idle power: 0.4 %
DC Power supply (AE-MDX): ENI
APPLIED MATERIALS Part number master: 0190-22931
OEM Part number master: DCG200Z
Generator size : 20 kW
Total DC (12 kWh,24kWh): 20 kW
Magnet rotation speed: 95 RPM
Magnet shim thickness: No data
Magnet type: TI / TIN
Magnet part number: 0010-03487
Magnet spacing: 1.1 mm
Adapter part number: 0040-69768
Upper shield part number: 0021-21234
Treatment: Bead blast
Lower shield part number: 0021-22065
Dep ring part number: 0040-07291
Cover ring part number: 0021-22064
Shutter: 0021-26609
Pedestal type: Advanced A101
Pedestal part number: 0010-27432
Heater spacing: 55 mm
Heater spacing: -51000 Steps
Minimum heater spacing: 32 mm
Minimum heater spacing: -69000 Steps
Maximum heater spacing: 55 mm
Maximum heater spacing: -51000 Steps
CRYO Gate valve: (3) Positions
MFC 1 Gas: N2 Process
MFC 1 Size: 200
MFC 1 Type: N2
MFC 1 Part number: 0015-02992
MFC 2 Gas: None
MFC 3 Gas: Ar process
MFC 3 Size: 150
MFC 3 Type: Ar
MFC 3 Part number: 0015-02992
Chamber base pressure: 3-E8 T
Chamber rate-of-rise: 650 nTorr / Min
Process Ar supply pressure: 34.7
Process N2 supply pressure: 33.9
Vent Ar pressure: 47.7
CDA: 95.7
Silt valve CDA: 85
Cooling water flow: 11.2 GPM.
AMAT / APPLIED MATERIALS / AKT Endura II ist ein Doppelraum oxidation/etch/CVD/ALD Reaktorausrüstung, die für fortgeschrittene Halbleiteranwendungen und Gerätherstellung verwendet ist. Es wurde entwickelt, um einen hohen Durchsatz und eine höhere Produktivität zu bieten. Das System verfügt über eine Zwei-Kammer-Konstruktion, die simultane Operationen in verschiedenen Prozesskammern ermöglicht, was einen höheren Durchsatz und eine verbesserte Gleichmäßigkeit ermöglicht. Die Kammern verfügen über eine unabhängige Temperaturregelung mit einer maximalen Betriebstemperatur von 1020 ° C. AKT Endura II ist in der Lage, hochdichtes Plasma (HDP) zu verarbeiten, was einen Vorteil in den Bereichen Präzisionsätzen, Sputterabscheidung, chemische Dampfabscheidung (CVD) und Atomschichtabscheidung (ALD) bietet. Seine erweiterten HDP-Steuerungsfunktionen ermöglichen präziseres Ätzen und Sputtern für feinere Linienauflösungen und feinere Abscheidung für nanoszentrierte Funktionen. Darüber hinaus unterstützt das Gerät eine Vielzahl von Plasmaquellen, so dass eine breite Palette von Materialien verwendet werden kann. AMAT Endura II beinhaltet auch Echtzeitüberwachung für zuverlässige Prozesssteuerung und höhere Erträge. Die benutzerfreundliche grafische Benutzeroberfläche (GUI) ermöglicht eine Prozessautomatisierung und ermöglicht bei Bedarf einen schnellen Wechsel zwischen verschiedenen Rezeptsätzen. Die Einstellung von Rezepten für fortgeschrittene Filmstrukturen und Abscheideprozesse ist mit der GUI möglich, sowie die Fähigkeit, Substratniveauparameter wie Temperatur, Druck und Wafer-Gleichmäßigkeit zu betrachten. Die Maschine verfügt auch über ein erweitertes Autokorrekturmodul (ACM), das eine Methode zur Optimierung von Prozessergebnissen mit weniger Benutzereingriff bietet. Dieses Modul ermöglicht es Benutzern, Parameter unterwegs zu überwachen und anzupassen, wodurch eine verbesserte Prozessgleichförmigkeit und Wiederholbarkeit bei minimalen Ausfallzeiten gewährleistet ist. Darüber hinaus ermöglichen intelligente Technologiefunktionen wie mehrfache Rezeptoptimierung, intelligentes Wafer-Handling und präzise Prozesskontrolle verbesserte Erträge und Qualität. Aufgrund seiner fortschrittlichen Eigenschaften und Fähigkeiten ist APPLIED MATERIALS Endura II eine ideale Wahl für eine fortschrittliche Halbleiterverarbeitung, die es Anwendern ermöglicht, einen hohen Produktionsdurchsatz und eine verbesserte Gerätequalität zu erreichen. Das Tool bietet überlegene Leistung, Zuverlässigkeit und Flexibilität für höhere Erträge und Prozessgleichmäßigkeit.
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