Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #130202 zu verkaufen

AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 ist ein Reaktor entwickelt, um große Fläche Galliumnitrid (GaN) Filme wachsen. Dieser Reaktor ermöglicht die Herstellung von hocheffizienten Optik- und Elektronikkomponenten. AMAT P-5000 verwendet ein CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition), um GaN-Filme auf Substraten wie Silizium, Saphir und GaAs abzuscheiden. Der Reaktor ist mit einem Hochtemperatur-Quarzrohrofen ausgebildet und enthält eine Quarzreaktionskammer. Der Tiegel in der Reaktionskammer wird durch den Ofen auf Temperaturen zwischen 800 ° C und 1000 ° C erhitzt, während ein Quellgas, das entweder GaN oder SiGaN enthält, in die Reaktionskammer eingeleitet wird. Metallorganische chemische Vorläuferdampf wird auch geliefert. Innerhalb dieser Reaktionskammer zersetzen sich die Vorläufer zu einer gasförmigen Suspension aus Stickstoff und Gallium, die auf das Substrat zu einem homogenen Film mit einer flachen und gleichmäßigen Dicke gerichtet ist. ANGEWANDTE MATERIALIEN P 5000 Reaktor ist mit einer Vielzahl von Steuerungsmöglichkeiten und Funktionen ausgestattet. Zur Überwachung des Prozesses innerhalb der Reaktionskammer ist der Reaktor mit zwei unabhängigen Temperiersystemen für Substrat und Reaktionskammer ausgestattet. Dies ermöglicht eine Temperaturregelung und eine einstellbare Heizleistung sowie eine genaue Gasfluss-, Druck- und Temperaturregelung. Der Reaktor ist auch in der Lage, ein Array von GaN-Kristall-Züchtungsprozessen innerhalb der Reaktionskammer wie MOVPE (Metall organische Dampfphasenepitaxie), HVPE (Hydrid Dampfphasenepitaxie) und S-PDP (seeded-HVPE) einzubieren. Um ein effizientes und kontrolliertes Kristallwachstum zu ermöglichen, ermöglichen die Funktionen von APPLIED MATERIALS P-5000 die Steuerung des Gesamtdrucks innerhalb der Reaktionskammer, was eine dynamische Anpassung der Temperaturen sowie den Einbau von Gaskonditionierungs- und Temperaturstufen ermöglicht. Der Reaktor bietet auch einen eindeutigen Satz von Mehrzonen-Temperaturreglern, die eine genaue Kontrolle des Abscheidungsprozesses über Kristalloberflächen und Substrate ermöglichen. Darüber hinaus ist P 5000 mit einer breiten Palette von Sicherheitsfunktionen ausgestattet, die das Personal schützen, wie z. B. ein dielektrischer Ladungsausscheider zum Schutz der Betreiber vor elektrischen Stößen und ein verriegeltes Türsystem, um unbefugten Zugriff zu verhindern. Insgesamt ist der AMAT/APPLIED MATERIALS P 5000 Reaktor ein zuverlässiges und robustes CVD-Abscheidungswerkzeug für die Herstellung großflächiger GaN-Folien mit optimierter und gleichmäßiger Leistung.