Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #293690469 zu verkaufen

AMAT / Reaktor von APPLIED MATERIALS P5000 ist ein fortgeschrittener, hoher Durchfluss vertikale Transistorgerätherstellungsausrüstung. Es wird für die Ultrahochleistungs-Geräteverarbeitung verwendet und bietet unübertroffene Geräteleistung, Ausbeute und Zuverlässigkeit. Das Gerät ist in der Lage, Wafer von einem bis sechs Zoll Durchmesser zu verarbeiten. Es verwendet einen induktiv beheizten Heißwandquarzsockel für die Substratheizung und ist in der Lage, bis zu 500 ° C für bis zu 15 Minuten absorbierte Leistung zu 200W. Die maximale Temperatur kann bis zu 1250 ° C eingestellt werden. Das System verfügt über eine automatische Plasmareinigung und eine computergesteuerte Prozesssteuerung. Die AMAT-Pedastal-zu-Substrat-Ausrichtung ist sowohl Batch- als auch Single-Wafer-Verarbeitung möglich. Es bietet auch einen schnellen Wafer-Transfer zwischen Prozess- und Transfermodulen. Es bietet auch eine hochflexible und präzise Wafer Handhabungsmaschine. AMAT P-5000 Reaktor ist mit einer fortschrittlichen Elektronenzyklotronresonanz (ECR) Mikrowellenquelle für Sauerstoff und Silizium-Plasma-verbesserte chemische Dampfabscheidung (PECVD) ausgestattet. Dieses Verfahren ermöglicht hohe Dichten und eine qualitativ hochwertige Abscheidung. Der PECVD-Reaktor ist in der Lage, Temperaturen bis zu 900 ° C zu verarbeiten und kann eine Abscheiderate von bis zu 6 Mikrometer pro Minute erreichen. ANGEWANDTE MATERIALIEN P 5000 Werkzeug hat auch eine Temperatur-und Sauerstoff-Feedback-Steuerung, die die höchste Kontrolle über die Prozessparameter bietet. Es bietet auch einstellbaren Prozessdruck und Plasmaenergie, um eine hohe Gleichmäßigkeit im Substratabscheidungsprozess zu gewährleisten. Das Asset bietet auch ein transparentes Quarz-Wafer-Transferfenster. Dieses Merkmal ermöglicht die Überwachung sowohl der Kammer als auch der Wafer mit optischer Mikroskopie, UV-Reflexion oder infraroter (IR) Strahlung. Insgesamt ist P-5000 Reaktor ein fortschrittliches Modell zur Herstellung von vertikalen Transistorbauelementen mit hohem Durchsatz, das die Verarbeitung, Ausbeute und Zuverlässigkeit von Hochleistungsbauelementen ermöglicht. Es bietet eine breite Palette von Funktionen und Funktionen, die es ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und kostengünstigen Transistorbauelementen machen.