Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9103153 zu verkaufen

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ID: 9103153
Wafergröße: 6"
CVD Nitride system, 6" (4) Chambers 15 Slot storage elevator Phase III robot VAT ZA Style slit valves rectangular insert Penulator flat screen monitor Solid state hard drive 28 Slot gas panel Mini controller with remote gas control (28) Horriba STEC Z500 digital MFC’s Modular AC rack Load lock lid hoist Chamber A,B,C,D: Silane nitride giant gap chamber Thick plate gas box with teflon insulator Direct drive cluster throttle valve Nupro gas valve, filter, manifold MKS 627B Dual 10-100 torr baratron heated Includes: Lift hoop Fingers Susceptor Not included: RF Matches Generator Heat exchanger Currently de-installed.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 ist ein hochmoderner Forschungs- und Entwicklungsreaktor, der zur Herstellung von ultradünnem Silizium und anderen Materialien für elektronische Chiptechnologien verwendet wird. Es ist in der Lage, Vorrichtungsschichten von weniger als 10 nm herzustellen und eignet sich zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie Graphen und Photovoltaikprodukten. AMAT P-5000 verwendet eine einzige Wafer-Bearbeitungskammer, bestehend aus einer kurzen dielektrischen Auskleidung und einer Reihe leistungsfähiger Komponenten, einschließlich Heizelement, Gasevakuierungsausrüstung und Injektor. Das Heizelement ist ein widerstandsfähiger keramischer Wärmetauscher, der sich schnell aufheizen und stabile Temperaturen erhalten kann. Das Gasentleerungssystem dient zur Entfernung unerwünschter Gase, während der Injektor zur Einspritzung von Prozessgasen in die Kammer dient. Die Kammer wird von einer Stromversorgungseinheit unterstützt, die kontinuierliche elektrische Energie an die verschiedenen Komponenten liefert, während zur Reinigung der Prozessgase eine Gasreinigungsmaschine eingesetzt wird. ANGEWANDTE MATERIALIEN P 5000 dient zur selektiven Ätzung von Silizium, Metallen und anderen Materialien durch Anwendung von Hochfrequenzsputtern oder anderen energie- oder ladungsbasierten Prozessen. Der Reaktor ist in der Lage, höhere Präzision und feinere Muster zu erzielen als herkömmliche lithographiemusterbasierte Verfahren, wie sie bei der Spanherstellung verwendet werden. Der Reaktor arbeitet typischerweise bei Plasmadrücken zwischen 0,5 und 5mTorr und kann dielektrische Schichten, Metalle und andere Materialien herstellen. AMAT P5000 unterstützt eine Reihe von Prozessparametern und Optionen, wie Temperaturbereich, Abscheidezeit und gesamte Prozesszykluszeit. Dies ermöglicht die Herstellung komplexer 3D-Mikrostrukturen und anderer komplizierter Chipkonstruktionen. Der Reaktor ist in der Lage, eine einheitliche Oberfläche für die Anwendung von elektrischen Schaltkreisen und Backend-Prozessen zu erzeugen, und wird in der Mikroelektronikindustrie zur Herstellung von ultradünnen integrierten Schaltkreisen verwendet. P5000 hat sich als zuverlässiges und effizientes Gerät erwiesen, mit dem Anwender präzise und leistungsstarke Geräte in einem Bruchteil der Zeit erreichen können, die herkömmliche lithographiebasierte Prozesse erfordern. Mit seinen fein abgestimmten Steuerungsfähigkeiten und der überlegenen Leistung ist P-5000 zu einem unschätzbaren Werkzeug für Forscher der Mikroelektronikindustrie geworden.
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