Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Producer III #9223648 zu verkaufen

ID: 9223648
Wafergröße: 8"
Weinlese: 2004
Shrink system, 8" Process: SILCU CIM (3) Twin chambers Hardware configuration: SMIF: (4) ASSYST Indexers Handler system: SMIF Front end robot VHP Buffer robot (3) Process chambers Heat exchanger: Steelhead High RF generator: (4) RFG 2000-2V DPA RF Generator: ENI DPG-10 Platform type: Producer shrink Chamber A & B & C: Chamber body effective volume (Syscon): Chamber A: 12980 Chamber B: 13275 Chamber C: 13300 SiH4_H: 1 SLM SiH4-L: 300 Sccm NH3 HI: 1 SLM N2O HI: 3 SLM N2O LO: 500 Sccm N2: 10 SLM NH3: 500 Sccm Ar: 5 SLM He: 10 SLM Number of gas lines / Name: 10 RF1 & RF2 Generator (Max Power / Brand): 2000 W Foreline pump (EBARA AAS 100WN): 10000 L/Min Baratron off-set 626 MKS: 10 T Lift pin type: Free drop Lift pin speed (Timing of movement): 3580 Load lock: A & B Configuration: Pump capacity (EDWARDS BOC): IPX 100A Difuser: ENTEGRIS 60 PSIG Venting N2 flow rate: 10 SLM Venting time: 57 Sec Pump time: 65 Sec Baratron Range / Brand / Off-Set: 325 Moducell MKS Pressure set point for LL pumping switching: 45 Sec Time delay for LL door open: 10 Sec Transfer chamber: Type of robot / Robot blade: Super blade Robot speed with wafer / Runrate / Slope: 300000 / 210000 230000 / 120000 Robot speed without wafer (Ext/Rot): 200000 / 325000 230000 / 325000 MFC N2 Flow setting: 10 SLM Chamber base pressure ( Actual / Alarm): 208 mTorr Wafer transfer - chamber: 300 mTorr Buffer pressure transfer chamber - wafer: 320 mTorr Other periphere: SiH4 HI: 29.6, 30, 36 NH3 HI 27.6, 27.8, 29 CDA Pressure: 85 HX Temperature / Flow rate: 75 N2 (P): 27 SiH4 LO NH3 LO N2O: 30 NF3 2004 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III ist ein fortschrittlicher Plasmareaktor zur Herstellung von Halbleiterchips. AMAT Producer III nutzt eine Elektronenzyklotronresonanz (ECR) -Quelle, um ein gleichmäßiges Plasma hoher Dichte zu schaffen, das für die Abscheidung dünner, präziser Schichten von Materialien wie Polysilizium-Gate-Dielektrika und Kupferleiterbahnen in der Chipproduktion entscheidend ist. ANGEWANDTE MATERIALIEN Hersteller III Design ermöglicht eine optimale Prozesskontrolle über bestehende Systeme. Die patentierten scheibenbeschränkten Volumina und die geräuscharme Technologie gewährleisten eine extrem gleichmäßige Abscheidung aus jedem Bereich des Wafers. Auch der Produzent III ist extrem energieeffizient, mit reduziertem Stromverbrauch und minimaler kollateraler Wärmeentwicklung. All dies ermöglicht es AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III, die Chip-Produktionspraktiken von Halbleiterherstellern zu verbessern. Der AMAT-Hersteller III baut auf den bisherigen AMAT-Herstellern I und II auf, indem er mehrere Hauptmerkmale hinzufügt. Es bietet zwei separate HF-Stromquellen, die unabhängig die Abscheidung von unten und oben des Wafers steuern können, so dass das Wachstum von über 200 Schichten möglich ist. Es ist auch mit einem proprietären UHP (Ultra High Pressure) System ausgestattet, das einen ultragleichmäßigen Gasfluss über den Wafer aufrechterhält und die Prozessbedingungen präziser reguliert. Der Hersteller III ermöglicht auch eine hohe Flexibilität der Abscheidung. Es kann eine einheitliche Folie auf den gesamten Wafer auftragen oder je nach Anwendung Zonen auswählen. Jede Zone verfügt über programmierbare Parameter, die für einzelne Abscheideprozesse angepasst werden können, sodass der Benutzer individuelle Entwurfsprozesse durchführen kann. Es verfügt auch über erweiterte Diagnosen und Datenprotokolle, die eine Offline-Analyse des Prozesses ermöglichen. Hersteller III ist ein hochentwickelter Plasmareaktor, der die präzisesten und wiederholbaren Abscheidungsergebnisse liefert. Mit verbesserter Prozesssteuerung, Flexibilität und Energieeffizienz bietet AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III beispiellose Unterstützung für Chipherstellungsprozesse.
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