Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Producer III #9223648 zu verkaufen
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ID: 9223648
Wafergröße: 8"
Weinlese: 2004
Shrink system, 8"
Process: SILCU
CIM
(3) Twin chambers
Hardware configuration:
SMIF: (4) ASSYST Indexers
Handler system:
SMIF Front end robot
VHP Buffer robot
(3) Process chambers
Heat exchanger: Steelhead
High RF generator: (4) RFG 2000-2V
DPA RF Generator: ENI DPG-10
Platform type: Producer shrink
Chamber A & B & C:
Chamber body effective volume (Syscon):
Chamber A: 12980
Chamber B: 13275
Chamber C: 13300
SiH4_H: 1 SLM
SiH4-L: 300 Sccm
NH3 HI: 1 SLM
N2O HI: 3 SLM
N2O LO: 500 Sccm
N2: 10 SLM
NH3: 500 Sccm
Ar: 5 SLM
He: 10 SLM
Number of gas lines / Name: 10
RF1 & RF2 Generator (Max Power / Brand): 2000 W
Foreline pump (EBARA AAS 100WN): 10000 L/Min
Baratron off-set 626 MKS: 10 T
Lift pin type: Free drop
Lift pin speed (Timing of movement): 3580
Load lock: A & B
Configuration:
Pump capacity (EDWARDS BOC): IPX 100A
Difuser: ENTEGRIS 60 PSIG
Venting N2 flow rate: 10 SLM
Venting time: 57 Sec
Pump time: 65 Sec
Baratron Range / Brand / Off-Set: 325 Moducell MKS
Pressure set point for LL pumping switching: 45 Sec
Time delay for LL door open: 10 Sec
Transfer chamber:
Type of robot / Robot blade: Super blade
Robot speed with wafer / Runrate / Slope:
300000 / 210000
230000 / 120000
Robot speed without wafer (Ext/Rot):
200000 / 325000
230000 / 325000
MFC N2 Flow setting: 10 SLM
Chamber base pressure ( Actual / Alarm): 208 mTorr
Wafer transfer - chamber: 300 mTorr
Buffer pressure transfer chamber - wafer: 320 mTorr
Other periphere:
SiH4 HI: 29.6, 30, 36
NH3 HI 27.6, 27.8, 29
CDA Pressure: 85
HX Temperature / Flow rate: 75
N2 (P): 27
SiH4 LO
NH3 LO
N2O: 30
NF3
2004 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III ist ein fortschrittlicher Plasmareaktor zur Herstellung von Halbleiterchips. AMAT Producer III nutzt eine Elektronenzyklotronresonanz (ECR) -Quelle, um ein gleichmäßiges Plasma hoher Dichte zu schaffen, das für die Abscheidung dünner, präziser Schichten von Materialien wie Polysilizium-Gate-Dielektrika und Kupferleiterbahnen in der Chipproduktion entscheidend ist. ANGEWANDTE MATERIALIEN Hersteller III Design ermöglicht eine optimale Prozesskontrolle über bestehende Systeme. Die patentierten scheibenbeschränkten Volumina und die geräuscharme Technologie gewährleisten eine extrem gleichmäßige Abscheidung aus jedem Bereich des Wafers. Auch der Produzent III ist extrem energieeffizient, mit reduziertem Stromverbrauch und minimaler kollateraler Wärmeentwicklung. All dies ermöglicht es AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III, die Chip-Produktionspraktiken von Halbleiterherstellern zu verbessern. Der AMAT-Hersteller III baut auf den bisherigen AMAT-Herstellern I und II auf, indem er mehrere Hauptmerkmale hinzufügt. Es bietet zwei separate HF-Stromquellen, die unabhängig die Abscheidung von unten und oben des Wafers steuern können, so dass das Wachstum von über 200 Schichten möglich ist. Es ist auch mit einem proprietären UHP (Ultra High Pressure) System ausgestattet, das einen ultragleichmäßigen Gasfluss über den Wafer aufrechterhält und die Prozessbedingungen präziser reguliert. Der Hersteller III ermöglicht auch eine hohe Flexibilität der Abscheidung. Es kann eine einheitliche Folie auf den gesamten Wafer auftragen oder je nach Anwendung Zonen auswählen. Jede Zone verfügt über programmierbare Parameter, die für einzelne Abscheideprozesse angepasst werden können, sodass der Benutzer individuelle Entwurfsprozesse durchführen kann. Es verfügt auch über erweiterte Diagnosen und Datenprotokolle, die eine Offline-Analyse des Prozesses ermöglichen. Hersteller III ist ein hochentwickelter Plasmareaktor, der die präzisesten und wiederholbaren Abscheidungsergebnisse liefert. Mit verbesserter Prozesssteuerung, Flexibilität und Energieeffizienz bietet AMAT/APPLIED MATERIALS Producer III beispiellose Unterstützung für Chipherstellungsprozesse.
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