Gebraucht AMAT / APPLIED MATERIALS Ultima X #293604378 zu verkaufen

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ID: 293604378
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2007
System, 12" Front interface Light curtain Type: 5.3 FI YASKAWA LM Track robot with edge grip Wafer pass and storage: 2 Slot Wafer alignment system Centura AP Mainframe Transfer chamber LID: Clear LCF Chamber A: Gas ring: 30-Port NORCAL Gate valve SHIMADZU TMP-H3603 LMC-A1 Turbo pump MKS AX7670-16 IR Diagnostic (EPD) Standard upper chamber Chamber B: Gas ring: 30-Port NORCAL Gate valve EDWARDS STP-XH3203P Turbo pump MKS AX7670-16 Standard upper chamber TTV (Old type) Chamber D: Gas ring: 30-Port NORCAL Gate valve EDWARDS STP-XH3203P Turbo pump Standard upper chamber Chamber A, B, D: Top / Side / Bias SPECTRUM 11002 / SPECTRUM 11002 / SPECTRUM B-10513 Gas panel exhaust: Bottom MFC Type: 8165C Multiflo VERIFLO Valves MILLIPORE Filters NTU Power rack Missing parts: FI Robot paddle RPC Turbo throttle valve assembly Channel boards ESC Power supply: 208 V, 320 A, 240 A 2007 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Ultima X ist ein PECVD-Reaktor (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), der zur Abscheidung von dünnen Schichten aus Dielektrikum und Metall auf Substraten während des Halbleiterherstellungsprozesses entwickelt wurde. Es ist eine Batch-Prozessausrüstung, die den Produktionsdurchsatz und die Ausbeuten durch Minimierung der Substrathandhabung verbessert. AMAT Ultima X verwendet eine Vielzahl von Prozessgasen, Flüssigkeiten und festen Vorläufern, um eine ganze Reihe von Dünnschichtmaterialien abzuscheiden. Seine einheitliche Abscheiderate und präzise Temperaturregelung sind entscheidend für die Herstellung hochwertiger integrierter Schaltungen. Das System hat zwei Komponenten: die Reaktorkammer und die Plasmaquellenkammer. ANGEWANDTE MATERIALIEN Ultima X Reaktorkammer ist zylindrisch in Form und aus Aluminiumlegierung. Es enthält einen Suszeptor, ein beheiztes Spannfutter, das auf einem Drehteller montiert ist, auf dem Substrate unter Konstanthaltung der Temperatur der Einheit genau geladen und gemessen werden können. Die Plasmaquellenkammer befindet sich oberhalb der Kammer und arbeitet bei einem Vakuumdruck von 10-4 Torr. Es liefert HF-Energie, die verwendet wird, um eine hochreaktive Umgebung zu erzeugen, so dass eine effiziente Keimbildung von Gasmolekülen auf dem Suszeptor, was zu Dünnschichtabscheidung. Ultima X kann auch in Verbindung mit P-CVD (Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition) und RTP (Rapid Thermal Processing) Verfahren verwendet werden, um Filmstrukturen mit einem Dickenbereich von 1-5µm zu schaffen. Es ist auch in der Lage, Glüh- und Diffusionsprozesse durchzuführen. Neben seiner Funktionalität bietet AMAT/APPLIED MATERIALS Ultima X außergewöhnliche Temperatur-, Vakuum- und Plasmagleichmäßigkeit. Es ist eine leistungsstarke, vielseitige und wirtschaftliche Maschine, die für eine leistungsstarke Dünnschichtabscheidung entwickelt wurde. Es ist ideal für den Einsatz in einer Vielzahl von Halbleiteranwendungen und gewinnt an Beliebtheit als kostengünstige Alternative zu herkömmlichen CVD-Systemen.
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