Gebraucht APPLIED MATERIALS Centura 5200 DXZ #64984 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 64984
Darc Silane CVD System, 8"
208A, 3 Phase, 50/60Hz 87KVA, 10,000amps
Chamber A,B,C: DxZ Silane Chamber, E: Single Cool Down, F: Orienter
Process gas used: SiH4, H2, CF4, HE
Wide Body Loadlock, HP Robot
SNNF, HP Robot"
2000 vintage
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ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 DXZ ist ein Halbleiterverarbeitungsreaktor zur Herstellung von Halbleiterbauelementen. Der Reaktor weist eine großflächige Waferübertragungskammer und eine Prozesskammer mit zwei kleinflächigen Lastschlössern auf. Es bietet hochgenaue, hochpräzise Prozesssteuerung für die Herstellung von Transistoren, Dioden, Transistoren und mehr. Centura 5200 DXZ bietet eine integrierte Ionenquelle mit einem linearen Hochgeschwindigkeitsmagnetron, das ein Ionenquellenfeld mit hoher Gleichmäßigkeit, einstellbare Stromdichten und einen genauen Ziel-zu-Wafer-Abstand bietet. Der Reaktor verfügt über eine großflächige Vakuumausrüstung und ein integriertes Warmwand-Evakuierungssystem mit zwei Schrupppumpen und mehreren Ein-/Auslassöffnungen. ANGEWANDTE MATERIALIEN Das Reaktoraggregat Centura 5200 DXZ umfasst drei unabhängige Kammern, die als eigenständige Werkzeuge oder in Serie eingesetzt werden können. Die Transferkammer bietet eine Hochgeschwindigkeitsbearbeitung und eine großflächige Be- und Entladekapazität. Die Prozesskammer enthält eine Hochgeschwindigkeits-rotierende Magnetronquelle für erhöhte Gleichmäßigkeit und Feinkornsteuerung des Substrats. Die dritte Kammer ist die Ätzkammer, die ein Hochleistungswellenleiter-Magnetron verwendet, um ein gleichmäßiges und hochfrequentes anisotropes Ätzen bereitzustellen. Centura 5200 DXZ Reaktormaschine bietet mehrere erweiterte Funktionen. Es verfügt über eine automatische Substratreinigungs- und Aufbereitungstechnologie, die erhöhte Erträge und schnellere Zykluszeiten ermöglicht. Es beinhaltet auch ein integriertes in-situ Diagnosetool, das die Wafertemperatur und chemische Reaktionen in Echtzeit überwacht und anpasst. Der Reaktor bietet eine feinkörnige Abstimmung mehrerer Parameter wie Profil, Dosierung, Geschwindigkeit und Temperatur. ANGEWANDTE MATERIALIEN Centura 5200 DXZ Reaktoranlage ist für ein breites Spektrum von Prozessen konzipiert, von der Lithographie bis zur mehrschichtigen Abscheidung, Ätzung und Abscheidung. Es eignet sich für den Einsatz auf Verbindungshalbleitern, wie Galliumarsenid, mit erhöhten Ausbeuten und Zykluszeiten. Es ist auch in der Lage, Hochenergie-Implantation, wie Lithographie, Messtechnik und Photoresist Strippen zu handhaben, ohne die Leistung zu beeinträchtigen. Mit präziser Steuerung, hoher Dichte und hochpräzisem Betrieb ist die Centura 5200 DXZ ein wertvolles Werkzeug in der Halbleiterindustrie.
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