Gebraucht LAM RESEARCH / NOVELLUS Altus #9098899 zu verkaufen

LAM RESEARCH/NOVELLUS Altus ist ein Mehrkammer-Vakuum-Plasma-chemische Dampfabscheidung (VPCVD) Reaktor, der bei der Herstellung von integrierten Schaltungen und Halbleiterbauelementen verwendet wird. Der Reaktor eignet sich für die Serienproduktion fortschrittlicher Hochleistungsstrukturen und ist in der Lage, dünne Filme mit extrem gleichmäßiger Dicke abzuscheiden, was ihn zu einer idealen Wahl für die Herstellung modernster mikroelektronischer Geräte macht. Der Reaktor besteht aus mehreren Kammern, die durch eine Transportleitung verbunden sind. Die Kammern umfassen eine Vorreinigungskammer, eine CVD-Kammer, eine Ätzkammer, eine Kühlkammer und eine Abscheidekammer. Die Vorreinigungskammer verwendet eine spezielle Heizfolge, die durch Sputtern dazu beiträgt, Schmutz und Oxidation von den Waferoberflächen zu entfernen. Es folgt die CVD-Kammer, in der Reaktanden, die entweder Monomere oder Vorläufer enthalten, auf der Waferoberfläche abgeschieden werden. Es folgt ein Plasmaätzzyklus, der die überschüssigen chemischen Verbindungen von der Oberfläche des Wafers entfernt und zu einer bevorzugten Form verhilft. Die Kühlkammer ist dazu ausgebildet, die Temperatur des Wafers vor dem Übergang in die Abscheidekammer auszugleichen. Die Abscheidekammer ist dort, wo der primäre Dünnschichtabscheidungsprozess stattfindet. Dies wird erreicht, indem ein Gemisch exothermer chemisch aktiver Gase über die Waferoberfläche geleitet wird. Die Mischung wird kontinuierlich überwacht und gehalten, während Temperatur, Druck und andere Bedingungen streng überwacht werden, um die optimale Abscheidung zu gewährleisten. Die Abscheidung kann in Abhängigkeit von der gewünschten Struktur bei Submikron bis 10 µm Dicke erfolgen. NOVELLUS Altus ist in der Lage, zuverlässige und wiederholbare Leistung, die Reproduktion enge Prozesssteuerung mit niedrigen Gleichmäßigkeitsschwankungen und ausgezeichnete Dicke Gleichmäßigkeit bis zu Sub-15nm Auflösung. Das hochautomatisierte Chargendesign ermöglicht einen hohen Produktionsdurchsatz bei minimalen Ausfallzeiten. Der Reaktor verfügt zudem über eine außergewöhnliche Plasmasteuerung und ist so konzipiert, dass er den Weg für fortschrittliche Gerätearchitekturen und Strukturen wie FinFETs, Strained Layer, SOI-Strukturen und mehr ebnet.