Gebraucht LAM RESEARCH / NOVELLUS Concept 2 Dual Speed Sequel #9251470 zu verkaufen
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LAM RESEARCH/NOVELLUS Concept 2 Dual Speed Sequel (DSS) Reaktor ist eine industriell bewährte Technologie zur Herstellung von Plasmaätzen, chemischer Dampfabscheidung und physikalischer Dampfabscheidung. Der DSS-Reaktor ist eine vielseitige Ausrüstung, die die besten Eigenschaften von LAM und NOVELLUS-Technologien zu einer einzigen Plattform kombiniert, die alle Abscheide- und Ätzprozesse durchführen kann. Das DSS bietet eine große Ätzkammer mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit, hohem Durchsatz und Flexibilität in der Gaschemie. NOVELLUS Concept 2 Dual Speed Sequel Reaktor wurde entwickelt, um hervorragende Plasmaätzleistung und Kontrolle zu liefern. Der Ätzprozess ist sehr reproduzierbar und gleichmäßig, was zu Präzisionsmerkmalen und engen Zielprofilen führt. Das fortschrittliche Plasmaätzsystem bietet einen hohen Durchsatz und eine geringe Kontamination, was höhere Erträge und eine schnellere Markteinführung ermöglicht. Zum DSS gehört auch eine Chemical Vapor Deposition (CVD) -Einheit, die zur Abscheidung von dünnen Schichten aus Materialien wie Silizium, Siliziumdioxid und metallischen Verbindungen zur Halbleiterbauelementherstellung verwendet wird. Die CVD-Maschine ist in der Lage, Hochtemperaturbetrieb, so dass Team Abscheidung von harten Materialien wie Kieselsäure und diamantähnlichen Kohlenstoff. Das Werkzeug bietet überlegene Gleichmäßigkeit und reduzierte Verschmutzung für hohe Erträge. Darüber hinaus bietet LAM RESEARCH Concept 2 Dual Speed Sequel Reaktor den physikalischen Dampfabscheidungsprozess (PVD). PVD kann verwendet werden, um dünne Metallfilme für Kontaktmetalle, Metallverbindungen und andere elektrische Komponenten abzuscheiden. Die PVD-Anlage ist äußerst zuverlässig und wiederholbar und bietet eine hervorragende Haftung und Abscheidungsgleichmäßigkeit bei minimaler Partikelerzeugung. Concept 2 Dual Speed Sequel Reaktor bietet ein beeindruckendes Feature-Set, einschließlich fortschrittlicher Gaschemie, geringer Verschmutzung, hohem Durchsatz, hochmodernen Steuerungsfunktionen und einer Vielzahl verschiedener Prozesse in einer einzigen Plattform. Diese Eigenschaften machen das Modell zu einer idealen Wahl für die Herstellung von Halbleiter- und anderen Dünnschichtbauelementen.
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