Gebraucht LAM RESEARCH / NOVELLUS Concept 2 Sequel-X #9293855 zu verkaufen

LAM RESEARCH / NOVELLUS Concept 2 Sequel-X
ID: 9293855
CVD System Parallel plate type: PECVD (SiO (PSIO)).
LAM RESEARCH/NOVELLUS Concept 2 Sequel-X ist ein fortschrittliches Konzept im Halbleiterreaktordesign. Es ist ein einzigartiges Plasmaätzwerkzeug, das die Leistung und Leistungsfähigkeit eines herkömmlichen Plasmaätzens mit einem einzigartigen barrierefreien Ätzprozess kombiniert. Dies macht es ideal für die Erfüllung der anspruchsvollsten Lithographie-Anforderungen für aggressive, hochdichte Geräteherstellung. Es bietet auch beispiellose Prozessflexibilität und Skalierbarkeit. NOVELLUS Concept 2 Sequel-X Reaktor wurde entwickelt, um eine ungewöhnlich ausgewogene Kombination von Eigenschaften und Flexibilität zu bieten - eine Mischung aus guter Ätzfähigkeit und verbesserter Fähigkeit über eine Reihe von Prozessen. Es verfügt über Dual-Frequenz-Plasma-Fähigkeit, um eine getrennte Behandlung von aggressiven Ionen von denen zu ermöglichen, die eine einheitlichere Ätzung mit verbesserter Kontrolle über die Ätztiefe und -form bieten. Als solches ist es extrem vielseitig und sehr anpassungsfähig für verschiedene Anwendungen und eine Reihe von Metall- und dielektrischen Oberflächen. Der Sequel-X Reaktor ist mit proprietärer Kühltechnik ausgestattet und kann für Substrattemperaturen von bis zu 400 ° C eingerichtet werden. Dieses modernste Wärmemanagement sorgt für eine ausgewogene Temperaturverteilung in der gesamten Kammer, wodurch Hot Spots und heiße Kanten eliminiert werden. Es ermöglicht auch verlängerte Produktionslaufzeiten, erhöhte Produktivität sowie verbesserte Prozessausbeuten. Einige andere Schlüsselmerkmale von LAM RESEARCH Concept 2 Sequel-X umfassen seinen patentierten dualen Magnetfeldgenerator, der in der Lage ist, die Ionendichte und Energieverteilung unabhängig zu steuern; seine integrierte Gestaltung der schwimmenden Endplatte, die die Plasmaverteilung stabilisiert und Schwankungen in der gesamten Kammer minimiert; und seinem Hochfrequenz-HF-Generator, der eine erhöhte Ätzrate bis zu 2 µm Silizium erlaubt. Zusammenfassend ist Concept 2 Sequel-X ein wirklich revolutionäres Reaktordesign, das bahnbrechende Prozessflexibilität und Skalierbarkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen bietet. Seine fortschrittliche Kühltechnologie, Dual-Frequenz-Plasma, Dual-Magnetfeld-Generator, integrierte schwimmende Endplatte und Hochfrequenz-HF-Generator machen es in der Lage, die anspruchsvollsten Lithographie-Anforderungen zu erfüllen und gleichzeitig eine beispiellose Prozesseffizienz zu liefern.
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