Gebraucht NOVELLUS CONCEPT 2 Altus #9095522 zu verkaufen
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Verkauft
ID: 9095522
Wafergröße: 8"
Chemical vapor deposition (CVD) system, 8"
Process: Shrink DLCM
Non-shrink process modules
SSD Module: Dual chamber
Wafer type: Notch
SECS/GEM Software: No
Standard chamber
Mainframe options:
System controller: MC3
Signal tower: No
AC Power rack: Standard
Interconnect cables: No
DLCM
User interface: Adjacent to system
Transfer robot type: BROOKS MTR 5
Paddle type: Standard
Shuttle type: Standard
Cassette type: No
Indexer type: Type II
Cool station: No
SMIF loader type: No
Manometer: Standard 100 Torr
Facilities configuration: Either
Control system: QNX4
Pump electrical interface: No
Missing parts:
Animatics type
Leak check shutoff valve
Process module A: Altus
Controller type: MC3
IOC Version: 3.02
Gate and throttle valve: Internal, non-heated
Process manometer: 100 Torr non-heated
Heater pedestals: D-Type
Shower heads: Yes
MOER Rings: No
Spindle assy seal type: Ferrofluidic
X-Y Centering station: Yes
Viewport window: Sapphire
RF Match: Trazar
Chamber process: Tungsten plug fill
Full face coverage
Module location: Center port
Standard footprint
Facility connections: Rear of chamber
Module location: Center port (default)
Missing parts:
RF High frequency generator
Endpoint detector
Gas box: Standard 10 channel
MFC Type: BROOKS 5964
MFC Size and location
Channel Gas Flow (SLM)
1 Argon 2 SLM
2 Sih4 50 sccm
3 Hydrogen 20 SLM
4 Argon 20 SLM
5 Wf6 Missing
6 C2F6 2 SLM
7 Oxygen S SLM
8 Argon 10 SLM
9 Hydrogen 20 SLM
10 Nitrogen 10 SLM
Process module B: Altus
Gate and throttle valve: Internal, non-heated
Process manometer: 100 Torr non-heated
Heater pedestals: D-Type
Shower heads: Yes
MOER Rings: No
Spindle assy seal type: Ferrofluidic
X-Y Centering station: Yes
Viewport window: Sapphire
RF Match: Trazar
Chamber process: Tungsten plug fill
MOER Rings
Sequel process module A center port
Standard footprint
RF Generator: No
Optical endpoint detector: Yes
Facility connections: Rear of chamber
Module location: Right port
Missing parts:
RF High frequency generator
Controller type
Gas box: Standard 10 channel
10 Gas, missing 9 gas sticks
MFC Size and location
Channel Gas Flow (SLM)
5 Wf6 750 sccm
(1-10) Missing.
NOVELLUS CONCEPT 2 Altus (C2A) ist ein Hochleistungsreaktor für Plasmaätz-, Abscheide- und Sputteranwendungen in der Halbleiterindustrie. Das Gerät verwendet patentierte vertikale magnetische Technologie, die hohe Leistung mit einer großen Elektrodenfläche kombiniert, um eine überlegene Prozessstabilität zu erreichen. Der C2A Reaktor wird von einem 30 kW HF-Generator angetrieben, der es ermöglicht, großflächige Substrate mit schnellerem Durchsatz als ein Standardreaktor zu verarbeiten. Der Reaktor verfügt auch über ein modernes Auto-Tuning-System, das es ermöglicht, die Plasma-Prozessparameter für jeden bearbeiteten Wafer schnell und genau zu optimieren. Das C2A verfügt über ein einzigartiges vertikales Magnetfeld, das höhere Plasmatemperaturen und eine geringere Dichte als ein Standardreaktor erzeugen kann. Dieses höhere Energieplasma ermöglicht verbesserte Ätzraten und verbesserte Gleichmäßigkeit. Die C2A verwendet auch eine einstellbare obere elektrostatische Abschirmung, um Plasmaverunreinigungen und ein schwimmendes Spannfutter zu verhindern, um eine konsistente Substrattemperatur zu halten. Das C2A verfügt auch über mehrere Kammern für mehr Bearbeitungsflexibilität. Auf diese Weise können Benutzer mehrere Prozesse gleichzeitig oder nacheinander ausführen. Die fortschrittliche Gasmanagementeinheit des C2A sorgt für eine gleichmäßige Gasströmung und eine vollständige Gaskontrolle. Dadurch wird sichergestellt, dass die Prozessparameter unabhängig von der Substratgröße oder der Anzahl der verarbeiteten Substrate konsistent bleiben. Das C2A ist auch mit einer fortschrittlichen Steuerungsmaschine ausgestattet, mit der Benutzer die Prozessparameter in Echtzeit überwachen, anpassen und optimieren können. Dieses Tool verwendet eine erweiterte Benutzeroberfläche für einfache Bedienung und Software, mit der Benutzer Prozessrezepte für verschiedene Substrate und Anwendungen erstellen und speichern können. CONCEPT 2 Altus (C2A) ist ein hochzuverlässiger, fortschrittlicher Reaktor für die Halbleiterverarbeitung in den Plasmaätz-, Abscheide- und Sputterarenen. Sein 30 kW HF-Generator, der einstellbare obere elektrostatische Schild und das schwimmende Spannfutter sorgen für überlegene Prozessstabilität, während seine vertikale magnetische Technologie, seine einstellbare Gasmanagementkapazität und sein überlegenes Steuerungsmodell für überlegene Leistung sorgen. Die C2A ist die ideale Wahl für jede Halbleiterverarbeitungsanlage.
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