Gebraucht NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S #9097741 zu verkaufen

ID: 9097741
Wafergröße: 6"
Weinlese: 1996
CVD System, 6" Loadlock baratron: Tyran general Loadlock dry pump: EDWARDS QDP40 Slit valve: SMC L-motion TM Dry pump: EDWARDS QDP40 TM Throttle valve: Tyran general TM Baratron model: Tyran general TM Robot: MTR 5 TM Robot blade: Metal Wafer sensor: Existence Host interface: SECS Module controller: MC1 12" LCD Front monitor Module A: Shrink, STI/IMD Manometer 1: Tyran general Manometer 2: Tyran general TMP Pump right: TG1113MBW-09 TMP Pump left: Osaka vac TG1113M TMP Controller: TD 701/1101 Throttle valve: VAT 14046-PE24-0005 HF Generator: ENI OEM-50N-11601 LF Generator: ENI CLF-5000/400 Module dry pump: EDWARDS QDP80 Pump booster: EDWARDS EH1200 RF Match: TRAZAR AMU10E-1 Chamber gas box: MFC 1 Ar 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 2 O2 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 3 NF3 1 SLM BROOKS 5964 MFC 4 SIH4 200 SCCM BROOKS 5964 MFC 5 SIF4 200 SCCM BROOKS 5964 Module B: Shrink, STI/IMD Manometer 1: Tyran general Manometer 2: Tyran general TMP Pump right: TG1113MBW-09 TMP Pump left: Osaka vac TG1113M TMP Controller: TD 701/1101 Throttle valve: VAT 14046-PE24-0005 HF Generator: ENI OEM-50N-11601 LF Generator: ENI CLF-5000/400 Module dry pump: EDWARDS QDP80 Pump booster: EDWARDS EH1200 RF Match: TRAZAR AMU10E-1 Chamber gas box: MFC 1 Ar 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 2 O2 500 SCCM BROOKS 5964 MFC 3 NF3 1 SLM BROOKS 5964 MFC 4 SIH4 200 SCCM BROOKS 5964 MFC 5 SIF4 200 SCCM BROOKS 5964 DLCM Gas MFC MFC1: UPC, Ar/He, 1 SLM, BROOKS 5866 RT MFC2: UPC, Ar/He, 1 SLM, BROOKS 5866 RT MFC3: Ar/He, 500 SLM, BROOKS 5964 SMIF Interface: No PET Module: No UPS Power: 120 V, 3 Ph, 3 wires Main system: 208 V, 3 Ph, 5 wires Currently de-installed 1996 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor ist eine chemische Abscheidungskammer, die in der Halbleiterherstellung verwendet wird. Es ist in der Lage, sowohl Nieder- als auch Hochtemperatur-CVD-Prozesse (Chemical Vapor Deposition) zu liefern, die die Verarbeitung einer Vielzahl von Dielektrikum-, Oxynitrid- und Metallfilmen ermöglichen. Die Zwei-Kammer-Design erlaubt es, zwei Anwendungen (hohe und niedrige Temperatur) gleichzeitig oder unabhängig ausführen, so dass Batch-Vorläufer Lieferung und Abscheidung bei maximaler Prozessdurchsatz. CONCEPT 2 Doppelgeschwindigkeits-S-Reaktor verfügt über eine vielseitige Hochtemperatur-CVD-Kammer, die dielektrische und Metallfolien bei Temperaturen bis 1000 ° C verarbeiten kann. Es verfügt auch über eine niedrige Temperatur CVD-Kammer, die Oxynitrid und dielektrische Filme bei Temperaturen bis zu 450 ˚C verarbeiten kann. Beide Kammern sind für die Verwendung mit einer Vielzahl von Ausgangsvorläufern konzipiert und verfügen über mehrere Rezeptnachbearbeitungsoptionen. NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor ist mit fortschrittlichen, robusten technologischen Komponenten gebaut, die Genauigkeit, Probenahme und Kontrolle bieten. Die CVD-Kammer mit niedriger Temperatur verwendet eine patentierte forwardDirect™-Injektionstechnologie, die eine schnellere und effizientere Abscheidung sowie eine gleichmäßige Filmabscheidung und hohe Ausbeuten ermöglicht. Die Hochtemperatur-CVD-Kammer ist mit einem einzigartig gestalteten Gaskrümmer für eine enge Temperaturregelung und gleichmäßige Abscheidung über einen breiten Bereich ausgelegt. Ein weiteres Merkmal von CONCEPT 2 Dual Speed-S Reactor sind seine automatisierten Prozesse. Das patentierte Roboterfördersystem ermöglicht es dem Reaktor, Wafer, Substrate, Materialien und Komponenten automatisch durch das System zu bewegen, während der Roboterassistenzarm eine genaue und gleichmäßige Beladung der Vorverarbeitungskammer und der Prozessgefäße gewährleistet. Die Vorverarbeitungskammer ermöglicht auch eine Gummituchverarbeitung vor dem Beladen der Substrate in das Prozeßgefäß, um eine gleichmäßige Filmabscheidung zu gewährleisten. Insgesamt ist NOVELLUS CONCEPT 2 Dual speed-S Reactor eine zuverlässige, effiziente und vielseitige chemische Abscheidekammer. Die Fähigkeit, sowohl Nieder- als auch Hochtemperatur-CVD-Prozesse durchzuführen, macht es zur idealen Wahl für eine Vielzahl von Halbleiterherstellungsprozessen. Seine fortschrittlichen technologischen Komponenten, automatisierten Prozesse und forwardDirect™ Einspritztechnologie bieten einen genauen, gleichmäßigen und ertragsstarken Betrieb.
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