Gebraucht NOVELLUS Concept 3 Altus #9248122 zu verkaufen
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ID: 9248122
Wafergröße: 12"
CVD System, 12"
Dual chamber
BROOKS AUTOMATION Robot
Load port: 3-FOUP
Pre aligner and centering: Single axis
Mainframe: Platform type: Wafer transfer module, 12"
Load lock:
(2) Load locks
(3) Load lock cooling pedestals
Chambers: Altus C3 Mod A / Mod B
MKS Astron RPS Power supply
Pedestal:
Al Heater pedestals with lift pins (Station 1)
Al Heater pedestals (Stations 2-4)
Gas panel:
MFC / Gas / Size (SCCM)
MFC-P / Ar-F / 20000
MFC-N / B2H6-D / 500
MFC-M / Ar PNL / 20000
MFC-K / WF6-N / 500
MFC-J / WF6-M / 500
MFC-I / NF3 / 5000
MFC-G / SiH4-K / 500
MFC-F / Ar-K / 5000
MFC-E / WF6-J / 500
MFC-D / Ar-H / 50000
MFC-C / Ar CVD / 20000
MFC 9 / H2-C / 30000
MFC 8 / Ar-C / 20000
MFC 5 / WF6-W / 500
MFC 4 / Ar-B / 20000
MFC 3 / H2-A / 30000
MFC 2 / SiH4-D / 500
MFC 1 / Ar-D / 5000
APC 1 / Argon / 3000
Component:
NOVELLUS 01-172346-12 SSD Power rack
651WF Scrubber
Module A:
BOC EDWARDS iH1000 Pump
KASHIYAMA SDE90 Pump
Module B:
BOC EDWARDS iH1000 Pump
(3) KASHIYAMA SDE90 Pump.
NOVELLUS Concept 3 Altus ist ein hochentwickelter Ätzreaktor der nächsten Generation, der für eine Vielzahl von Anwendungen in der fortschrittlichen Halbleiterherstellung entwickelt wurde. Der Reaktor verwendet sowohl Hardware als auch Software, um die Genauigkeit und den Durchsatz im Ätzprozess zu maximieren. Im Kern nutzt Concept 3 Altus ein einziges großes Dreizonen-Dual-Plasma-Brennerdesign. Diese Konfiguration bietet eine Vielzahl von Vorteilen, darunter einen verbesserten Vorläuferdurchsatz, verbesserte Abscheideraten und eine höhere Gleichmäßigkeit über das Substrat. Der Brenner wurde für eine verbesserte elektrische Effizienz optimiert und ist in der Lage, hohe Durchsätze in Ätzanwendungen zu erzielen. Zusätzlich erlauben die drei Zonen einen größeren Leistungsbereich über das gesamte Substrat aufzubringen. Der Reaktor ist auf ein dreistufiges Plasmaätzverfahren ausgelegt. Zunächst beschichtet der Reaktor das Substrat mit einer Polymerschicht, die eine Beschädigung des Substrats durch den Ätzvorgang minimiert. Zweitens führt der Reaktor einen Hochleistungs-Plasmastufe über das Substrat und in die darunter liegenden Schichten. Schließlich beendet der Reaktor den Ätzprozess, indem es zu einem schnellen isotropen Ätzen kommt. Für eine optimale Ätzleistung ermöglicht NOVELLUS Concept 3 Altus den Einsatz von spezialisierter Computersoftware namens „QChamber“. Diese Software gewährleistet die Optimierung jedes Ätzprozesses durch eine detaillierte Analyse der Plasmabedingungen und beinhaltet auch eine spezielle Querschnittstechnologie zur Analyse des Ätzprofils. QChamber ermöglicht auch die Überwachung mehrerer Prozessebenen, einschließlich Codierungs- und Abscheideraten, Crossover-Erkennung und Bogenunterbrechung. Neben dem QChamber kann Concept 3 Altus in andere Prozessleitsysteme integriert werden. Dies ermöglicht eine bessere Anpassung und höhere Präzision während des Ätzprozesses. Es ermöglicht auch die Verwendung von erweiterten Funktionen wie Process-in-Place (PiP) -Reinigung, die die Effizienz jedes Ätzlaufs verbessert. NOVELLUS Concept 3 Altus ist ein leistungsstarkes Werkzeug für den modernen Halbleiterhersteller. Es bietet fortschrittliche Präzision und Kontrolle für Ätz- und andere Prozesse, die für die Produktionskette unerlässlich sind. Mit leistungsstarker Hardware, fortschrittlicher Software und branchenführenden Funktionen ist Concept 3 Altus hochkompetent und bietet jedem Chiphersteller einen Wettbewerbsvorteil.
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