Gebraucht SIEMENS CVD #9077944 zu verkaufen

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Hersteller
SIEMENS
Modell
CVD
ID: 9077944
Reactors with silver-plated bell jars Process: polysilicon deposition Inlet Gas system: STC-H2 Steel pedestal: (44) homogeneously distributed brackets (24) Silver-copper electrodes Ring pipe Operation Parameters: Length of silicon rods: up to 3.200 mm Operating pressure of reactor: 6 barg Design pressure of reactor : 8 barg Height of bell jar: 3.7 mm External diameter of bell jar: 1.8 mm Internal diameter of bell jar: 1.55 mm Thickness of internal steel jacket: 25 mm Thickness of silver-plate: 1.5 - 3 mm Total weight (empty): 8.5 kg Total weight (filled with water): 9.1 kg Design temperature internal wall: 300°C Connection of high temperature cooling water Diameter: DN 100 Design temperature: 200°C Typical operation temperatures (in & out): Up to 165°C Maximal operating pressure: 12.5 barg Normal operation pressure: 10- 10.5 barg Typical electrode cooling water temperature: Up to 85°C Inspection glass Connection cooling water: DN 25 Connection H2 for cleaning/cooling: DN 25 Diameter of inspection glass: 70 mm Reactor base plate: 2000 mm Diameter (24) Cylindrical holes (9) Nozzles Includes: Thyristors Transformators.
Der SIEMENS CVD-Reaktor oder Microchemistry CVD Platform ist eine von SIEMENS entwickelte hochmoderne Reaktortechnologie, die die Synthese von hoch kontrollierten und konsistenten chemischen Aufdampffilmen (SIEMENS CVD) ermöglicht. Im Kern besteht der CVD-Reaktor aus einer beheizten Plattform, einer Vakuumkammer und einer Reaktionskammer. Die beheizte Plattform ist so konzipiert, dass sie über die Reaktionskammer eine gleichmäßige Temperatur liefert und ein konsistentes Reaktionsergebnis gewährleistet Die Vakuumkammer ist eine abgedichtete Einheit, die die Reaktionskammer aufnimmt. Es ist verantwortlich für die Bereitstellung von Druck, Temperatur und Gasstrom für den Prozess. Die Reaktionskammer besteht aus einem Verarbeitungselement, einem Gaseinlaß und einer Gasabgasöffnung. Das Verarbeitungselement ist dort, wo das Reaktionsgasgemisch Wärme ausgesetzt wird, wodurch die für eine erfolgreiche Abscheidung erforderlichen Prozesse aktiviert werden. Der Gaseinlaß leitet das Reaktionsgasgemisch in die Reaktionskammer ein und die Abgasöffnung entfernt das ungenutzte Gas. Um die Komplexität zu reduzieren, hat SIEMENS den SIEMENS CVD-Prozess hochautomatisiert, wodurch manuelle Eingriffe und menschliches Versagen entfallen. Zu den Merkmalen des CVD-Prozesses gehören eine benutzerfreundliche grafische Oberfläche, eine automatische Gasflussregelung, eine zweidimensionale Verschiebung von Prozessparametern sowie eine vollständige Überwachung des Abscheidungsprozesses. Die SIEMENS CVD-Technologie wurde umfassend getestet, um sicherzustellen, dass sie konsistente und zuverlässige CVD-Folien produziert. Es ist ein hocheffizientes Verfahren zur Herstellung einer kontrollierten Menge an Materialien bei hoher Reinheit, mit einem hohen Grad an Gleichmäßigkeit während der gesamten Abscheidung. Zusammenfassend ist SIEMENS CVD Reaktor ein modernes, automatisiertes und zuverlässiges Verfahren zur Synthese von CVD-Folien. Es ist eine fortschrittliche Fertigungstechnologie, die qualitativ hochwertige und konsistente Lagerstätten schneller und kostengünstiger herstellen kann als herkömmlichere Methoden. Mit seiner Fähigkeit, schlanke und hoch kontrollierte Ablagerungen zu produzieren, gehört das SIEMENS CVD-Verfahren heute zu den fortschrittlichsten in der Branche und bietet Herstellern ein effizientes und wiederholbares Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtmaterial, das für viele moderne Elektronik von entscheidender Bedeutung ist.
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